公开(公告)号：KR100572321B1

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：KR1020030068799

申请日：2003-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강송원 ,  이선용 ,  김성일 ,  신명환 ,  장치운

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/6735 ,  H01L21/67769

Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제조하는 설비에 관한 것으로, 상기 설비는 웨이퍼 에 소정 공정을 수행하는 처리실과 공정이 완료된 웨이퍼들을 수납하는 FOUP이 보관되는 스토커를 가진다. FOUP은 내부가 질소가스로 채워진 상태로 스토커에 보관되며, 상기 스토커 내에 FOUP이 놓여지는 받침대 상에는 FOUP에 형성된 홀을 막는 밀봉부재가 고정 설치된다.
FOUP, 스토커, 자연산화막, 밀봉부재

Abstract translation: 本发明涉及一种设备制造半导体器件，该设备具有一个储料器，其用于容纳所述晶片处理腔室中的FOUP是在晶片上执行预定处理的步骤是完整的存储。 FOUP的内部保持在储料器中充满氮气，用密封部件防止形成在其上的FOUP形成在基体的孔中的状态被放置在FOUP存货被牢固地固定。

公开(公告)号：KR1020050032825A

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1020030068799

申请日：2003-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강송원 ,  이선용 ,  김성일 ,  신명환 ,  장치운

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/6735 ,  H01L21/67769

Abstract: Equipment for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a native oxide layer from being formed on a wafer in a FOUP(front open unified pod) by transferring and storing the FOUP while the FOUP is filled with inactive gas. A plurality of semiconductor substrates are received in equipment for fabricating a semiconductor device by using a container having a hole in its one surface. A predetermined process is performed on the semiconductor substrate in a process chamber. A gas injecting part injects gas to the inside of the container having the plurality of semiconductor substrate having undergone the process. A sealing member stops up the hole formed in the container to seal the container into which the gas is injected.

Abstract translation: 提供用于制造半导体器件的设备，以通过在FOUP填充有惰性气体的同时传送和存储FOUP来防止在FOUP（前开合的统一盒）中的晶片上形成自然氧化物层。 多个半导体基板通过使用在其一个表面上具有孔的容器而被接收在用于制造半导体器件的设备中。 在处理室中的半导体衬底上执行预定处理。 气体注入部分将气体注入到已经经历过多个半导体衬底的容器的内部。 密封构件阻止形成在容器中的孔以密封注入气体的容器。