中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

13 records (took 0.019 seconds)

    다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
    1.
    发明授权
    다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 有权
    包括具有多层结构的栅极绝缘体的有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR100995451B1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：KR1020030044799

    申请日：2003-07-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이상윤 ,  박종진 ,  류이열 ,  변영훈 ,  구본원 ,  강인남

    IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00

    CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537

    Abstract: 본 발명은 유기 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 위의 게이트 전극, 게이트 절연층, 유기 활성층, 소스/드레인 전극 또는 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스/드레인 전극, 유기 활성층이 차례로 형성된 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 게이트 절연층이 ⅰ) 고유전율 재료의 제1 절연층과 ⅱ) 유기 활성층과 친화적인 절연성 유기 고분자의 제2 절연층을 포함하며, 제2 절연층이 유기 활성층 바로 아래에 존재하도록 구성되어 있는 다층 구조의 절연막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
    본 발명에 따르는 유기 박막 트랜지스터는 문턱전압 및 구동전압이 낮고, 전하 이동도 및 I
    on /I
    off 가 높고
    , 유기 반도체 층의 형성을 용이하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 절연막 제조를 습식 공정으로 달성될 수 있어서 공정 단순화 및 비용 절감 효과를 도모할 수 있다.
    유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체, 고유전상수, 다층 구조 절연막, 습식 공정

    탄소나노튜브 및 금속나노입자를 이용한 도전성 필름형성방법
    2.
    发明公开
    탄소나노튜브 및 금속나노입자를 이용한 도전성 필름형성방법 无效
    导电膜的生产工艺，显示出卓越的电导率和调节电导率，是必不可少的

    公开(公告)号：KR1020050011867A

    公开(公告)日：2005-01-31

    申请号：KR1020030050915

    申请日：2003-07-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박종진 ,  이상윤 ,  구본원 ,  강인남

    IPC: C08J5/18 ,  B82Y30/00

    Abstract: PURPOSE: Provided is a production process of conductive film which is chemically combined with a carbon nanotube to improve conductivity of a film and to adjust conductivity as necessary so that it is effectively used in the field of electrodes, antistatic washable sticky mat, antistatic shoes, conductive polyurethane rollers or electromagnetic interference shielding. CONSTITUTION: The production process of conductive film comprises the steps of: (i) reacting acid-treated carbon nanotube and the tube with metal nano particles having self assembled monolayer of a compound represented by formula: HS-R-A on the surface, wherein R is C2-C20 organic group consisting of -NHCO-, -COO- or -O- group and A is carboxylate, hydroxyl, acylhalide or amine group to produce carbon nanotube-graft-nanometal by a linker; and (ii) distributing the compound in organic solvent or organic solution, coating and drying the compound.

    Abstract translation: 目的：提供与碳纳米管化学结合以提高膜的导电性并根据需要调节导电性的导电膜的制造方法，从而有效地用于电极领域，抗静电可洗涤粘性垫，抗静电鞋， 导电聚氨酯辊或电磁干扰屏蔽。 构成：导电膜的制造方法包括以下步骤：（i）使酸处理的碳纳米管和管与表面上由式HS-RA表示的化合物自组装单层的金属纳米颗粒反应，其中R为 由-NHCO-，-COO-或-O-基团组成的C 2 -C 20有机基团，A为羧酸酯，羟基，酰卤或胺基，通过连接体产生碳纳米管 - 接枝 - 纳米金属; 和（ii）将化合物分配在有机溶剂或有机溶液中，涂覆并干燥化合物。

    드라이 에칭을 이용한 유기 발광소자의 제조 방법
    3.
    发明公开
    드라이 에칭을 이용한 유기 발광소자의 제조 방법 无效
    有机发光显示器的制造方法利用干蚀刻

    公开(公告)号：KR1020060093205A

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：KR1020050014041

    申请日：2005-02-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 구본원 ,  김상열 ,  이상윤 ,  강인남

    IPC: H05B33/10

    CPC classification number: H01L51/0018 ,  H01L21/31116 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5231 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/12044

    Abstract: 본 발명은 한 쌍의 전극 사이에 유기막을 포함하는 유기 발광 소자를 제조함에 있어서, 유기막 위에 음극층을 형성하고, 음극층을 마스크로 하여 유기막을 드라이 에칭에 의해 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭을 이용한 유기 발광 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 의하면 유기막을 간단한 공정에 의해 정밀하게 패터닝함으로써 제조 비용을 낮추고 제조공정성을 향상시킬 수 있고, 본 발명의 방법은 저분자 유기 발광 소자 뿐만 아니라 고분자 유기 발광 소자에도 광범위하게 적용될 수 있다.
    유기 발광 소자, 유기막, 패터닝, 드라이 에칭, 전자주입층, 전자수송층, 정공억제층, 고분자, 저분자

    유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
    5.
    发明公开
    유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 有权
    有机隔离层和有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：KR1020040028010A

    公开(公告)日：2004-04-03

    申请号：KR1020020059061

    申请日：2002-09-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 구본원 ,  송인성 ,  기인서 ,  최환재 ,  정은정 ,  강인남

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052

    Abstract: PURPOSE: An organic gate isolating layer and an organic TFT(Thin Film Transistor) using the same are provided to be capable of considerably increasing the grain size of an organic active layer and electric charge mobility. CONSTITUTION: An organic TFT is provided with a substrate(1), a gate electrode(2) formed at the predetermined upper portion of the substrate, and an organic gate isolating layer(3) formed at the upper portion of the resultant structure. The organic TFT further includes an organic active layer(6) formed on the organic gate isolating layer, and a source and drain electrode(4,5) formed at the upper portion of the resultant structure. At this time, the organic gate isolating layer is formed by using predetermined chemical equations. Preferably, the organic active layer is made of one selected from a group consisting of pentacene, copper phthalocyanine, polythiophene, polyaniline, polyacetylene, polypyrrole, and polyphenylene vinylene.

    Abstract translation: 目的：提供使用其的有机栅绝缘层和有机TFT（薄膜晶体管）能够显着增加有机活性层的晶粒尺寸和电荷迁移率。 构成：有机TFT设置有基板（1），形成在基板的预定上部的栅极（2）和形成在所得结构的上部的有机栅极隔离层（3）。 有机TFT还包括形成在有机栅绝缘层上的有机活性层（6）和形成在所得结构的上部的源极和漏极（4,5）。 此时，通过使用规定的化学式来形成有机栅极隔离层。 优选地，有机活性层由并五苯，酞菁铜，聚噻吩，聚苯胺，聚乙炔，聚吡咯和聚亚苯基亚乙烯基组成的组中的一种制成。

    수직형 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 트랜지스터
    6.
    发明公开
    수직형 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 트랜지스터 无效
    垂直有机薄膜晶体管和有机发光晶体管

    公开(公告)号：KR1020060080446A

    公开(公告)日：2006-07-10

    申请号：KR1020050000848

    申请日：2005-01-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 구본원 ,  강인남 ,  김창주 ,  오세용 ,  이상윤

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/105

    Abstract: 본 발명은 수직형 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 활성층이 유전율 3.5 이상인 p형 유기반도체 화합물로 이루어지며, 양극과 음극의 일함수 값이 서로 다른 것을 특징으로 하는 수직형 유기박막 트랜지스터 및 유기 발광 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 수직형 유기 박막 트랜지스터는 채널 길이가 짧아서 전류-전압 특성이 우수하며, 제작 공정이 간편할 뿐만 아니라, 게이트 전압에 따른 전류 특성이 증가형으로 나타나 간단한 방법에 의해 유기 발광 트랜지스터로 제작될 수 있다.

    유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 금속 프탈로시아닌, 유기발광소자, 수직형 트랜지스터, 채널길이, 증가형 전류특성, 일함수

    금속나노입자 및 카본나노튜브를 이용한 도전성 필름 또는패턴 형성방법
    7.
    发明公开
    금속나노입자 및 카본나노튜브를 이용한 도전성 필름 또는패턴 형성방법 无效
    使用金属纳米颗粒和碳纳米管制备导电膜或图案的方法，以及由该方法制备的导电膜或图案

    公开(公告)号：KR1020040106947A

    公开(公告)日：2004-12-20

    申请号：KR1020030036265

    申请日：2003-06-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박종진 ,  구본원 ,  이상윤 ,  강인남 ,  정은정

    IPC: C09D5/24 ,  B32B33/00 ,  B82B3/00

    CPC classification number: C09D5/24 ,  B32B33/00 ,  C08J7/047 ,  C08J2333/08 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C09D1/00 ,  C09D4/00 ,  C09D133/08

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing a conductive film or pattern and a conductive film or pattern prepared by the method are provided, to allow a metal nanoparticle to be uniformly doped on the network structure of a carbon nanotube, thereby improving the conductivity of a film, and to allow a conductive film to be obtained easily without the complex process such as etching, etc. CONSTITUTION: A conductive film is prepared by obtaining an acid-treated carbon nanotube; and dispersing a metal nanoparticle and the carbon nanotube in an organic solvent, coating the dispersion on a substrate, and drying it. A conductive pattern is prepared by obtaining an acid-treated carbon nanotube; and dispersing a metal nanoparticle and the carbon nanotube in a photopolymerizable organic solvent containing a multifunctional monomer and a photopolymerization initiator, coating the dispersion on a substrate, optionally exposing the coated one, and developing it. Preferably the metal nanoparticle is gold, silver, copper, palladium, nickel or platinum.

    Abstract translation: 目的：提供一种制备导电膜或图案的方法以及通过该方法制备的导电膜或图案，以使金属纳米颗粒均匀地掺杂在碳纳米管的网络结构上，从而提高膜的导电性， 并且允许在没有诸如蚀刻等复杂工艺的情况下容易地获得导电膜。构成：通过获得酸处理的碳纳米管制备导电膜; 并将金属纳米颗粒和碳纳米管分散在有机溶剂中，将该分散体涂布在基材上并干燥。 通过获得酸处理的碳纳米管制备导电图案; 并将金属纳米颗粒和碳纳米管分散在含有多官能单体和光聚合引发剂的可光聚合的有机溶剂中，将该分散体涂布在基材上，任选地暴露涂布的有机溶剂并显影。 优选地，金属纳米颗粒是金，银，铜，钯，镍或铂。

Patent Agency Ranking