公开(公告)号：KR1020170041518A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020150141050

申请日：2015-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한성찬 ,  이영락 ,  강창근 ,  김한주 ,  이칠훈

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본발명의기술적사상에의한반도체패키지제조방법은, 반도체칩 실장영역이형성된패키지기판을준비하는단계, 반도체칩 실장영역에반도체칩을실장하는단계, 반도체칩을둘러싸도록설정된제1 온도미만의제1 용액으로댐을형성하는단계, 및반도체칩의하부및 댐에의하여한정되는영역에설정된제1 온도이상의제1 용액으로언더필을충전하는단계를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明的技术构思的半导体封装制造方法包括以下步骤：准备形成有半导体芯片安装区域的封装基板;在半导体芯片安装区域上安装半导体芯片; 1溶液，并且用底部填充物填充等于或高于在由半导体芯片的下部和堤坝限定的区域中设定的第一温度的第一溶液。