公开(公告)号：KR1020150050095A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130131506

申请日：2013-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 공두안후아 ,  김택 ,  김시한 ,  홍현기

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/007 ,  H01L33/30

Abstract: III-V족버퍼층과그 형성방법과이를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된버퍼층은개시된일 실시예에의한버퍼층의형성방법은기판상에베이스층(노출층)을형성하고, 상기베이스층상에제1 화합물반도체층을형성하고, 상기제1 화합물반도체층상에제2 화합물반도체층을형성하며, 상기제2 화합물반도체층상에상기제1 및제2 화합물반도체층을교번적층한다. 상기제1 및제2 화합물반도체층은서로다른온도에서형성하며, 상기제1 및제2 화합물반도체층은 III-V족화합물반도체로형성한다.

Abstract translation: 在本发明中公开了III-V缓冲层，其形成方法，包括III-V缓冲层的电子器件及其制造方法。 根据本发明的实施例，形成III-V缓冲层的方法包括以下步骤：在基底上形成基层（曝光层）; 在所述基底层上形成第一化合物半导体层; 在所述第一化合物半导体层上形成第二化合物半导体层; 并且将第一和第二化合物半导体层交替地沉积在第二化合物半导体层上，其中第一和第二化合物半导体层分别在不同的温度下形成，并且第一和第二化合物半导体层形成为III-V族化合物半导体 。

公开(公告)号：KR1020140114946A

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：KR1020130028820

申请日：2013-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 공두안후아 ,  김택

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/026 ,  G02B6/12004 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18361

Abstract: A hybrid vertical cavity laser comprises: an optical circuit template including a grating having a lower refractive index unit and a higher refractive index unit that are alternately arranged in a first direction, and a waveguide guiding light in the first direction; a mesa structure including a first-type semiconductor layer, an active layer, a second-type semiconductor layer, and an upper reflective layer that are sequentially stacked on the optical circuit template in a second direction perpendicular to the first direction, wherein the first-type semiconductor layer, active layer, second-type semiconductor layer, and upper reflective layer are a mesa-etched and protrude in order for a portion of the first-type semiconductor layer to be exposed; a first electrode formed on the exposed mesa-etched surface of the first-type semiconductor layer; and a second electrode formed on the upper reflective layer. When an overlapped length between the waveguide and a mesa aperture forming an opening through which light produced from the active layer enters the grating is D, a pitch of the grating is p, the condition 0

Abstract translation: 混合垂直腔激光器包括：光电路模板，包括具有沿第一方向交替布置的较低折射率单位和较高折射率单位的光栅，以及在第一方向上引导光的波导; 在与第一方向垂直的第二方向依次堆叠在光电路模板上的包括第一类型半导体层，有源层，第二类型半导体层和上反射层的台面结构， 半导体层，有源层，第二类型半导体层和上部反射层被台面蚀刻并突出以使第一类型半导体层的一部分露出; 形成在所述第一型半导体层的暴露的台面蚀刻表面上的第一电极; 以及形成在上反射层上的第二电极。 当波导与形成从有源层产生的光进入光栅的开口的台面孔之间的重叠长度为D时，光栅的间距为p，满足条件0

公开(公告)号：KR102050502B1

公开(公告)日：2020-01-08

申请号：KR1020130028820

申请日：2013-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 공두안후아 ,  김택

IPC: H01S5/183

公开(公告)号：KR1020170034214A

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020150132604

申请日：2015-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 공두안후아 ,  김성구 ,  변현일

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/125

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/305 ,  G02B6/34 ,  G02B2006/12157

Abstract: 광학장치는, 기판상에배치되며, 가이딩부(guiding portion)와테이퍼부(taper portion)를포함하는광 도파로(waveguide); 및광학장치는상기기판상에서상기테이퍼부일측상에배치되는그레이팅패턴(grating pattern);을포함하며, 상기그레이팅패턴은, 상기기판의상면에평행한제1 방향을따라교대로배열되는복수의저굴절율부및 복수의고굴절율부를포함하고, 상기복수의고굴절율부각각은원형경로(circular path)에의해정의되는곡률(curvature)을갖는곡면화된(curved) 내측벽및 곡면화된외측벽을구비하며, 상기복수의고굴절율부중 적어도하나의고굴절율부의내측벽및 외측벽은제1 초점위치(focusing position)를가지며, 상기복수의고굴절율부중 적어도하나의고굴절율부의내측벽또는외측벽, 또는상기테이퍼부의측벽은상기제1 초점위치와는다른제2 초점위치를갖는다.

Abstract translation: 一种光学器件，包括：设置在基板上的光波导，所述光波导包括引导部分和锥形部分; 和光学装置是锥形部光栅图案（光栅图案）被布置在一侧上在基片上，包括，光栅图案具有多个低沿第一方向平行的交替布置到所述衬底的所述上表面上 包括折射率部分和多个高折射率，并且每个所述多个高折射率yulbu的是和具有弯曲一个（弯曲的）内由圆形路径限定壁和具有曲率（曲率）弯曲的外壁（圆形路径） 中，所述多个高折射率bujung至少一个高折射率部和外壁的内壁具有第一聚焦位置（聚焦位置），以具有该多个高折射率bujung的至少一个高折射率部的内壁或外壁上，或者锥形部 并且侧壁具有与第一焦点位置不同的第二焦点位置。