公开(公告)号：KR102226526B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020200025978A

申请日：2020-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈 ,  윤현준 ,  심동교

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는, 기판상에 수직 방향으로 형성되는 복수의 셀 스트링들을 포함하고, 상기 복수의 셀 스트링들 각각에 포함되는 메모리 셀들은 복수의 워드 라인들과 복수의 비트 라인들에 의해서 제어되는 셀 어레이, 상기 복수의 비트 라인들에 연결되는 페이지 버퍼, 상기 복수의 워드 라인들과 상기 복수의 비트 라인들에 전압을 제공하는 전압 발생기, 상기 페이지 버퍼로부터 전달되는 센싱 데이터를 일시 저장하고, 저장된 데이터를 외부로 출력하는 입출력 버퍼, 그리고 상기 페이지 버퍼로부터 상기 입출력 버퍼로 센싱 데이터가 덤프된 후에는 상기 셀 어레이에 제공된 바이어스 전압의 리커버리 이전에 상태 신호를 레디 상태로 설정하는 제어 로직을 포함한다.

公开(公告)号：KR102261816B1

公开(公告)日：2021-06-07

申请号：KR1020170166196

申请日：2017-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김승범 ,  이덕우 ,  곽동훈

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/04

公开(公告)号：KR102125376B1

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：KR1020130076613

申请日：2013-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈 ,  심동교 ,  박기태 ,  박현욱

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G06F12/00

公开(公告)号：KR102083490B1

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：KR1020120086926

申请日：2012-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈

IPC: G11C16/22 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10

公开(公告)号：KR101959846B1

公开(公告)日：2019-03-20

申请号：KR1020120021673

申请日：2012-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈 ,  이천안

IPC: G11C13/00 ,  G11C16/08 ,  G11C16/14

公开(公告)号：KR101915719B1

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：KR1020120043887

申请日：2012-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

公开(公告)号：KR101916718B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020120020506

申请日：2012-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/107 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/105 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3427 ,  H01L27/11582

Abstract: 본발명은읽기디스터브를감소시키고프로그램시부스팅효율을향상시킨불휘발성메모리장치및 그것의메모리관리방법을제공한다. 본발명에따른메모리관리방법은복수의메모리블록의서브블록들의프로그램여부를검출하는단계및 검출결과에따라, 복수의메모리블록중 프로그램된서브블록을포함하지않는메모리블록에우선하여프로그램된서브블록을포함하는메모리블록에쓰기데이터를프로그램하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101798013B1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：KR1020100138502

申请日：2010-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장준석 ,  곽동훈

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/12

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3459

Abstract: 비휘발성메모리장치의프로그램방법에서, 멀티레벨셀들에멀티비트데이터의하위비트를프로그램하는하위비트프로그램, 및멀티레벨셀들에멀티비트데이터의상위비트를프로그램하는상위비트프로그램이수행된다. 상위비트프로그램을수행하도록, 최상위프로그램상태로프로그램될멀티레벨셀들에대한프리프로그램을수행하고, 멀티레벨셀들을멀티비트데이터에상응하는프로그램상태들로프로그램하는메인프로그램을수행한다. 비휘발성메모리장치의프로그램방법에의해문턱전압분포들의폭이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR1020170056072A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020150158944

申请日：2015-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈 ,  변대석 ,  윤치원

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C16/0483

Abstract: 본발명의실시예에따른불 휘발성메모리장치는제 1 및제 2 플레인을포함하는메모리셀 어레이, 그리고상기제 1 플레인과제 1 스트링선택라인들로연결되고, 상기제 2 플레인과제 2 스트링선택라인들로연결되며, 상기제 1 및제 2 스트링선택라인들에스트링선택신호및 스트링비선택신호를제공하는어드레스디코더를포함하되, 상기어드레스디코더는상기제 1 및제 2 플레인에따라서로다른스트링선택라인어드레스에기초하여상기제 1 및제 2 스트링선택라인들에각 플레인별로독립적으로상기스트링선택신호및 스트링비선택신호를제공한다.

Abstract translation: 根据本发明分成第一mitje存储器单元阵列，包括第二平面的一个实施例的非易失性存储器装置，以及串联连接在所述第一平面任务第一串选择线，其中，所述第二平面任务第二串选择线 以及地址解码器，耦合到第一和第二串选择线，用于向第一和第二串选择线提供串选择信号和串取消选择信号， 并且为每个平面独立地向第一和第二串选择线提供串选择信号和串非选择信号。

公开(公告)号：KR1020150131449A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020140057861

申请日：2014-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽동훈

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/06

CPC classification number: G06F3/06 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/00 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/16 ,  G11C16/20 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

Abstract: 본발명의일 실시예에따른스토리지장치의동작방법은복수의서브블록들을갖는적어도하나의메모리블록을포함하는불휘발성메모리를가지는스토리지장치의동작방법에있어서, 상기복수의서브블록들중 소거요청된서브블록에인접한, 소거요청되지않은서브블록의적어도하나의워드라인에연결된복수의메모리셀들중 가장높은프로그램상태를갖는백업메모리셀들의백업데이터를읽는단계, 상기백업데이터를저장하는단계, 상기소거요청된서브블록을소거하는단계, 상기백업데이터에기반하여, 상기가장높은프로그램상태를갖는상기백업메모리셀들을재프로그램하는단계를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，一种用于操作具有非易失性存储器的存储设备的方法，所述非易失性存储器包括具有多个子块的至少一个存储块，包括以下步骤：读取具有最高编程状态的备份存储单元的备份数据 在与子块的至少一个字线连接的多个存储单元中，与要移除的子块相邻，并且因此与子块中的移除请求无关; 存储备份数据; 移除请求移动的子块; 并且基于备份数据重新编程具有最高程序状态的备份存储单元。