公开(公告)号：KR1020030068266A

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：KR1020020007969

申请日：2002-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허명구 ,  권영국 ,  안병재 ,  김병주

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F2001/13398

Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display is provided to prevent display deterioration by accurately maintaining a cell gap of a TFT substrate and a color filter substrate of a liquid crystal display panel against an external pressure. CONSTITUTION: Shield films(720) shield non-active display areas formed between pixel electrodes(630) and open active display areas corresponding to the pixel electrodes. Color pixels(733,735,737) cover the non-active display areas and the parts facing the pixel electrodes with having apertures(725) to expose the shielding films by partially removing color pixels placed at the non-active display areas. Cell gap maintaining elements(780) are formed inside the apertures formed on the shielding films to maintain a cell gap between a first substrate and a second substrate. The hardness of the cell gap maintaining elements are higher than the hardness of the color pixels.

Abstract translation: 目的：提供液晶显示器以通过精确地保持液晶显示面板的TFT基板和滤色器基板的单元间隙抵抗外部压力来防止显示劣化。 构成：屏蔽膜（720）屏蔽形成在像素电极（630）和对应于像素电极的打开的有源显示区域之间的非有效显示区域。 彩色像素（733,735,737）覆盖非活动显示区域和面向像素电极的部分，其具有孔（725），以通过部分去除放置在非活动显示区域处的彩色像素而露出屏蔽膜。 在形成在屏蔽膜上的孔内形成单元间隙保持元件（780），以保持第一基板和第二基板之间的单元间隙。 电池间隙保持元件的硬度高于彩色像素的硬度。

公开(公告)号：KR1020040006998A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020020041624

申请日：2002-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안병재 ,  권영국 ,  김병주 ,  허명구

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/136222

Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display and a method for manufacturing a color filter substrate used therefor are provided to realize equal spacers by breaking down protrusion parts different in size in bonding a liquid crystal display, thereby preventing light loss. CONSTITUTION: Black matrices(220) are formed on an insulating substrate(210). Red, green, and blue color filters are formed on the black matrices. A reference electrode(270) is formed on the color filters. A photoresist layer for forming spacers are formed on the reference electrode. An optical mask having mask patterns including slits is arranged on the photoresist layer. Spacers(320) having protrusion parts at one ends are formed by exposing and developing the photoresist layer.

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示器及其制造方法，用于通过在液晶显示器的接合中分解尺寸不同的突起部分来实现等间隔件，从而防止光损失。 构成：黑色矩阵（220）形成在绝缘衬底（210）上。 红色，绿色和蓝色滤色片形成在黑色矩阵上。 参考电极（270）形成在滤色器上。 在参考电极上形成用于形成间隔物的光致抗蚀剂层。 具有包括狭缝的掩模图案的光掩模布置在光致抗蚀剂层上。 通过曝光和显影光致抗蚀剂层来形成在一端具有突出部分的间隔物（320）。

公开(公告)号：KR1020040005256A

公开(公告)日：2004-01-16

申请号：KR1020020039746

申请日：2002-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병주 ,  권영국 ,  허명구 ,  안병재

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate is provided to maintain constantly the parasitic capacitance due to an alignment error by forming additionally a compensative pattern connected to a gate line. CONSTITUTION: A TFT substrate includes a gate wiring, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a data wiring, a protective layer, and a pixel electrode. The gate wiring is formed with a gate line(121), a gate electrode(123), a gate pad, and a compensative pattern(122). The gate insulating layer is formed on the gate wiring. The semiconductor layer is formed on a predetermined region of the gate insulating layer. The data wiring is formed with a data line(171), a source electrode(173), a drain electrode(175), and a data pad. The protective layer includes a contact hole and is formed on the data wiring. The pixel electrode is formed on the protective layer in order to be connected to the drain electrode(175) through the contact hole.

Abstract translation: 目的：提供TFT基板，通过形成连接到栅极线的补偿图案来恒定地维持由于取向误差引起的寄生电容。 构成：TFT基板包括栅极布线，栅极绝缘层，半导体层，数据布线，保护层和像素电极。 栅极布线形成有栅极线（121），栅极电极（123），栅极焊盘和补偿图案（122）。 栅极绝缘层形成在栅极布线上。 半导体层形成在栅极绝缘层的预定区域上。 数据线由数据线（171），源电极（173），漏电极（175）和数据焊盘构成。 保护层包括接触孔，并形成在数据布线上。 像素电极形成在保护层上，以便通过接触孔与漏电极（175）连接。

公开(公告)号：KR1020030033133A

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：KR1020010063905

申请日：2001-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성욱 ,  권영국 ,  김경욱 ,  김병주 ,  박영배

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A method for forming contact parts of wires, and a thin film transistor substrate and a method for fabricating the same are provided to improve the reliability of the contact parts between wires and a contact layer by forming wires in the dual or more structure. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes gate wires formed on an insulating substrate(10) in a dual structure of upper and lower layers and having gate lines(22), gate electrodes(26) and gate pads(24), an upper metal layer(202) of the gate pads being formed with an aperture pattern for exposing a lower metal layer(201) of the gate pads, a gate insulating film(30) covering the gate wires, a semiconductor pattern formed on the gate insulating film, data wires formed on the gate insulating film with data lines(62) and source and drain electrodes(65,66) to be electrically connected to the semiconductor layer, and a protecting film(70) for covering the data wires and the semiconductor pattern. The protecting film and the gate insulating film have first and second contact holes(72,74) for exposing the drain electrodes and the data pads and third contact holes(76) for exposing the lower layer of the gate pads. Via the first to third contact holes, the drain electrodes, the data pads and the lower layer of the gate pads contact pixel electrodes(82), and auxiliary data and gate pads(84,86).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成导线的接触部分的方法和薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过在双重结构或多结构中形成导线来提高导线与接触层之间的接触部分的可靠性。 构成：薄膜晶体管衬底包括形成在上层和下层的双重结构的绝缘衬底（10）上并具有栅极线（22），栅电极（26）和栅极焊盘（24）的栅极线，上部金属 栅极层的层（202）形成有用于暴露栅极焊盘的下部金属层（201）的孔径图案，覆盖栅极线的栅极绝缘膜（30），形成在栅极绝缘膜上的半导体图案， 在栅极绝缘膜上形成有数据线（62）和与半导体层电连接的源极和漏极（65,66）的数据线以及用于覆盖数据线和半导体图案的保护膜（70）。 保护膜和栅极绝缘膜具有用于暴露漏电极和数据焊盘的第一和第二接触孔（72,74）和用于暴露栅极焊盘的下层的第三接触孔（76）。 通过第一至第三接触孔，漏极电极，数据焊盘和栅极焊盘的下层接触像素电极（82）以及辅助数据和栅极焊盘（84,86）。

公开(公告)号：KR1019970033873A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019950057062

申请日：1995-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영국

IPC: B41J2/34

Abstract: 감열기록소자의 기판 정렬장치에 대하여 기재하고 있다. 본 발명은 발열저항체열이 형성된 세라믹기판, 상기 세라믹기판의 하부에 부착되어 열을 방출시키는 방열판, 및 상기 세라믹기판이 상기 방열판에 정렬되도록 부착시키는 정렬 지그(align jig)를 포함하는 감열기록소자의 기판 정렬장치에 있어서, 상기 세라믹판의 양측면에는 상기 발열저항체열과 동일선상에 위치하도록 홈이 형성되고, 상기 정렬 지그에는 상기 홈과 정합되는 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 감열기록소자의 기판 정렬장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 세라믹기판의 측단부와 발열저항체열이 평행하지 않아도 항상 일정한 정렬 상태를 유지하여 기판 생산성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100878233B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020020039746

申请日：2002-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병주 ,  권영국 ,  허명구 ,  안병재

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로 절연 기판과, 절연 기판 위에 형성되어 있으며 게이트선, 게이트 전극, 게이트 패드 및 보상용 패턴을 포함하는 게이트 배선과, 게이트 배선 위에 형성되어 있는 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위의 소정 영역에 형성되어 있는 반도체층과, 게이트 절연층 및 반도체층 위에 형성되어 있으며 데이터선, 소스 전극, 게이트 전극 및 보상용 패턴과 소정 부분이 중첩되어 있는 드레인 전극, 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 데이터 배선 위에 형성되어 있으며 접촉구를 가지는 보호층과, 보호층 위에 형성되어 있으며, 접촉구를 통해 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 포함한다.
박막트랜지스터기판, 스티치, 기생용량, 노광

公开(公告)号：KR100816339B1

公开(公告)日：2008-03-24

申请号：KR1020010063905

申请日：2001-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성욱 ,  권영국 ,  김경욱 ,  김병주 ,  박영배

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 배선의 접촉부 형성 방법, 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 접촉부에서의 접촉 특성을 향상시키기 위하여, 이중층의 배선을 덮는 절연막을 형성하기 전에 배선의 상부 금속층의 일부를 미리 제거하여 접촉층에 접촉하는 하부 금속층의 일부를 드러낸다. 구체적으로, 본 발명에 따른 배선을 형성하기 위하여, 기판 위에 제1 배선층 및 제1 배선층의 일부를 드러내는 개구 패턴이 있는 제2 배선층을 가지는 이중층 구조를 가지는 배선을 형성한 후, 배선을 덮는 절연막을 형성한다. 이어, 절연막에 제1 배선층을 드러내는 접촉 구멍을 형성한 다음, 절연막 위에 접촉 구멍을 통하여 제1 배선층에 접촉하는 접촉층을 형성한다.
이중층 배선, 접촉 특성, 개구 패턴

Abstract translation: 为了提高该接触特性，在布线，薄膜晶体管基板及其制造的方法的接触形成方法的接触部，预先对本发明以除去之前覆盖的双层布线的绝缘膜的形成布线的顶部金属层的一部分 揭示与接触层接触的下面的金属层的一部分。 具体地，为了根据本发明形成的布线，形成具有具有开口图案暴露所述第一布线层的基板上的部分和第一布线层上的第二布线层的2层结构的布线之后，绝缘膜覆盖所述布线 形式。 接下来，在绝缘膜上形成用于暴露第一布线层的接触孔，然后通过接触孔在绝缘膜上形成接触层以接触第一布线层。

公开(公告)号：KR1020080004787A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020060063533

申请日：2006-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이범섭 ,  박상근 ,  권영국

IPC: G11C8/12

Abstract: An odd block selection circuit in a memory device is provided to reduce layout area and to reduce loading time of an odd block selection signal, by enabling to select all odd memory cell blocks in the memory device. According to an odd block selection circuit for selecting an odd memory cell block among a number of memory cell blocks, a first signal processing part(310) outputs an odd selection signal in logic high in response to a least significant bit signal of a row address. A second signal processing part(370) outputs an odd block selection signal to a row decoder in response to the odd selection signal and a selection circuit driving signal. The odd block selection circuit is located on the middle region between banks, and is connected to the row decoder.

Abstract translation: 提供存储器件中的奇数块选择电路，通过使能能够选择存储器件中的所有奇数存储器单元块来减少布局面积并减少奇数块选择信号的加载时间。 根据用于在多个存储单元块中选择奇数存储器单元块的奇数块选择电路，第一信号处理部分（310）响应于行地址的最低有效位信号输出逻辑高的奇数选择信号 。 响应于奇数选择信号和选择电路驱动信号，第二信号处理部分（370）将奇数块选择信号输出到行解码器。 奇数块选择电路位于组之间的中间区域，并连接到行解码器。

公开(公告)号：KR1020030042080A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：KR1020010072592

申请日：2001-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성욱 ,  권영국 ,  김경욱 ,  김병주 ,  박영배

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for fabricating the same are provided to form data wires in a dual-layered structure and form slits on either of upper or lower layer in the dual-layered structure in contact parts, thereby reducing the resistance of the data wires contacting other conductive materials and improving the contact characteristics. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes gate wires formed on an insulating substrate, a gate insulating film(30) covering the gate wires, data wires formed on the gate insulating film with data lines in a dual-layered structure, pixel electrodes(82) formed on pixel areas defined by the intersection between the gate and data wires, thin film transistors connected to the gate and data wires and the pixel electrodes, and a protecting film(70) formed on the data wires and the thin film transistors with contact holes(74,76,78) for exposing the data and gate wires partially. The data wires exposed via the contact holes of the protecting film are formed with slits on upper layers(662,682) of the dual-layered structure for exposing lower layers(661,681) thereof.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，以形成双层结构的数据线，并在接触部分的双层结构中的上层或下层中形成狭缝，从而降低电阻 的数据线接触其他导电材料并改善接触特性。 构成：薄膜晶体管基板包括形成在绝缘基板上的栅极线，覆盖栅极线的栅极绝缘膜（30），以双层结构的数据线形成在栅极绝缘膜上的数据线，像素电极（82 ）形成在由栅极和数据布线之间的交点，连接到栅极的薄膜晶体管和数据线以及像素电极所形成的像素区域上，以及形成在数据线上的保护膜（70）和具有接触的薄膜晶体管 用于部分地暴露数据和栅极线的孔（74,76,78）。 通过保护膜的接触孔露出的数据线在双层结构的上层（662,682）上形成狭缝，用于暴露其下层（661,681）。

公开(公告)号：KR100786177B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020020007969

申请日：2002-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허명구 ,  권영국 ,  안병재 ,  김병주

IPC: G02F1/1339

Abstract: 액정표시장치가 개시되어 있다. 컬러필터기판과 TFT 기판의 셀 갭을 유지시켜주는 셀 갭 유지 부재 및 셀 갭 유지 부재보다 경도가 낮은 색화소가 비유효 디스플레이 영역에서 상호 접촉되지 않도록 하여 외부에서 셀 갭 유지 부재에 가해지는 압력에 의하여 샐 갭 유지 부재가 색화소의 내부로 함몰되면서 발생하는 셀 갭 변경을 최소화하여 고품질 디스플레이가 가능토록 한다.
액정표시장치, 셀 갭, 스페이서

Abstract translation: 公开了一种液晶显示装置。 在无效显示区域中防止用于保持彩色滤光片基板和TFT基板的单元间隙的单元间隙保持构件和比单元间隙保持构件低的硬度的彩色像素彼此接触， 因此，当间隙保持部件凹入彩色像素中时发生的单元间隙变化被最小化以实现高质量显示。