-
公开(公告)号：KR100510442B1
公开(公告)日：2005-10-21
申请号：KR1019970062424
申请日：1997-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 저온에서 정합의 평탄하고 매끈한 실리사이드층을 형성할 수 있는 실리사이드 형성방법 및 정합 실리사이드(self-aligned silicide)를 구비하는 모스(MOS) 트랜지스터에 대해 기재되어 있다. 이 실리사이드 형성방법은, 실리콘층 상에 실리사이드용 금속층을 형성하는 단계와, 금속막 상에 중간 금속층을 형성하는 단계, 및 결과물을 열처리하여 막역전(alyer inversion)에 의해 실리사이드/합금층으로 이루어진 이중층의 하부에 실리사이드를 형성하는 단계를 구비하여 이루어지고, 이 모스(MOS) 트랜지스터는, 반도체기판 상에 형성된 게이트전극과, 게이트전극 양측의 반도체기판에 형성된 소오스/ 드레인, 및 게이트전극의 상부 표면과 소오스/ 드레인의 표면에 각각 형성되며, 코발트(Co)를 상부층으로 하고 하프뮴(Hf)을 하부층으로 하는 이중층의 실리사이드로 이루어진다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990034856A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970056565
申请日：1997-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/43
Abstract: 본 발명은 Co/Nb 이중 금속층 구조를 이용한 실리사이드 형성 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 상기 실리콘 기판 보다 상대적으로 더 큰 산화 성향을 갖는 Nb과, 상기 Nb 및 실리콘 기판 보다 상대적으로 더 큰 확산 계수를 갖는 Co를 차례로 형성하여 이중 금속층(Co/Nb)을 형성하고, 상기 이중 금속층을 열처리하여 막의 역전에 의한 Co 실리사이드막 및 상기 Co 실리사이드막 상에 Co-Nb 합금층을 형성한다. 상기 Nb는 실리콘 표면의 자연산화막을 제거하고, 상기 Co의 확산 양을 제한하여 에피 코발트 실리사이드막이 형성되도록 한다. 이때, 열처리 분위기를 질소 분위기로 하는 경우 상기 Co-Nb 합금층 상에 Nb 질화막(NbN)이 형성되어 상부 배선층에 대한 확산 방지층으로 작용하게 된다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 실리사이드막 형성시 실리콘 과잉 소모를 발생시키는 경쟁 반응-예를 들어, NbSi
2 및 Co-Nb-Si 등이 없게 되므로 실리콘의 소모를 최소화할 수 있고, 따라서 접합 영역을 상대적으로 더 얕게 형성할 수 있으며, 모오스 트랜지스터의 게이트 전극 상부 및 소오스/드레인 영역에 실리사이드막을 동시에 형성할 수 있으며, 실리사이드막 상부에 형성되는 Nb 질화막에 의해 실리사이드막과 상부 배선층의 반응을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.-
-
公开(公告)号：KR1020150008961A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020130074763
申请日：2013-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04R25/554 , H04B1/0475 , H04B1/3805 , H04B15/02 , H04B15/04 , H04M1/72591 , H04R3/002 , H04R2225/49
Abstract: 본 발명에 따른 보청기 호환 휴대형 전자장치는 전력 증폭 모듈을 포함하는 무선 통신부; 송전단을 통해 상기 전력 증폭 모듈로 제 1전류를 전달하고, 그라운드 단자를 통해 상기 전력 증폭 모듈로부터 제 2전류를 수신하는 전원부; 상기 전력 증폭 모듈 및 상기 전원부 사이에 연결되고, 상기 제 1전류가 흐르는 제 1선로 및 상기 제 2전류가 상기 제 1전류의 방향과 반대 방향으로 흐르는 제 2선로를 포함하는 선로부; 및 보청기 호환을 위한 자기 신호를 발생시키고, 상기 제 1전류에 의해 발생되는 제 1자기장 및 상기 제 2전류에 의해 발생되는 제 2자기장을 수신하는 리시버를 포함하는 오디오 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 根据本发明的与助听器兼容的移动电子设备包括：无线通信单元，包括功率放大模块; 电源单元，用于通过电力传输终端将第一电流传送到功率放大模块，以及通过接地端子从功率放大模块接收第二电流; 连接到功率放大模块和电源单元之间的线路单元，并且包括第一电流流过的第一线路和第二电流沿第一电流的相反方向流动的第二线路 ; 以及音频处理单元，其生成用于助听器兼容性的磁信号，并且包括接收器，用于接收由第一电流产生的第一磁场和由第二电流产生的第二磁场。
-
公开(公告)号：KR100276388B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970056565
申请日：1997-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/43
CPC classification number: H01L21/28052 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L29/665
Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicide using a structure of a Co/Nb double metallic layer is provided to form simultaneously an epi-Co silicide layer on a gate electrode and a source/drain region of a MOS transistor by using a Co/Nb double metallic layer. CONSTITUTION: A p type semiconductor substrate(20) is formed by implanting B ions into a semiconductor substrate(20). A thermal oxide layer of 100 angstrom is formed on the p type semiconductor substrate(20). As ions are implanted to the thermal oxide layer. A sample having an n+ type well region(22) is formed on the p type semiconductor substrate(20). A double metallic layer of an Nb layer and a Co layer are formed on the p type semiconductor substrate(20). An epitaxial cobalt silicide layer(28) is formed by performing a thermal process. A Co-Nb alloy layer(29) and an Nb nitride layer(30) are formed on the epitaxial cobalt silicide layer(28).
Abstract translation: 目的：提供一种使用Co / Nb双金属层的结构形成硅化物的方法，以通过使用Co / Nb在MOS晶体管的栅电极和源极/漏极区上同时形成外延钴硅化物层 双金属层。 构成：通过将B离子注入到半导体衬底（20）中形成p型半导体衬底（20）。 在p型半导体衬底（20）上形成100埃的热氧化层。 当离子注入热氧化物层时。 在p型半导体衬底（20）上形成具有n +型阱区（22）的样品。 在p型半导体衬底（20）上形成Nb层和Co层的双金属层。 通过进行热处理形成外延钴硅化物层（28）。 在外延钴硅化物层（28）上形成Co-Nb合金层（29）和Nb氮化物层（30）。
-
公开(公告)号：KR1019990041770A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062424
申请日：1997-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 저온에서 정합의 평탄하고 매끈한 실리사이드층을 형성할 수 있는 실리사이드 형성방법 및 정합 실리사이드(self-aligned silicide)를 구비하는 모스(MOS) 트랜지스터에 대해 기재되어 있다. 이 실리사이드 형성방법은, 실리콘층 상에 실리사이드용 금속층을 형성하는 단계와, 금속막 상에 중간 금속층을 형성하는 단계, 및 결과물을 열처리하여 막역전(alyer inversion)에 의해 실리사이드/합금층으로 이루어진 이중층의 하부에 실리사이드를 형성하는 단계를 구비하여 이루어지고, 이 모스(MOS) 트랜지스터는, 반도체기판 상에 형성된 게이트전극과, 게이트전극 양측의 반도체기판에 형성된 소오스/ 드레인, 및 게이트전극의 상부 표면과 소오스/ 드레인의 표면에 각각 형성되며, 코발트(Co)를 상부층으로 하고 하프뮴(Hf)을 하부층으로 하는 이중층의 실리사이드로 이루어진다.
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
