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公开(公告)号：KR1019960001179B1
公开(公告)日：1996-01-19
申请号：KR1019890020759
申请日：1989-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김강원
IPC: H01L27/14
Abstract: the blocking layer separately formed as the first layer and the second layer; the first layer formed where the transparent conducting film is not formed.
Abstract translation: 分别形成作为第一层和第二层的阻挡层; 形成未形成透明导电膜的第一层。
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公开(公告)号：KR100502810B1
公开(公告)日：2005-10-14
申请号：KR1019980013581
申请日：1998-04-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
Abstract: 컬러 필터 및 차광막이 형성되어 있는 기판을 열 체임버 내에서 예열시킨 후, 스퍼터링 체임버로 기판을 옮겨 25℃∼60℃ 정도의 온도에서 ITO막을 증착한다. 또는 열 체임버 내에서 기판을 예열하는 과정을 거치지 않고, 바로 스퍼터링 체임버 내에서 온도를 높여가며 ITO막을 증착할 수도 있다. 이 경우, 초기 단계에서는 60℃의 저온에서 증착하며, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 체임버의 온도를 높여 120℃ 정도에서 ITO막의 성막을 마친다. 120℃ 이하의 낮은 온도에서 증착된 ITO막은 막구조가 치밀하고 표면의 거친 정도가 낮은 비정질 상태로 형성된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019990080371A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980013581
申请日：1998-04-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
Abstract: 컬러 필터 및 차광막이 형성되어 있는 기판을 열 체임버 내에서 예열시킨 후, 스퍼터링 체임버로 기판을 옮겨 25℃∼60℃ 정도의 온도에서 ITO막을 증착한다. 또는 열 체임버 내에서 기판을 예열하는 과정을 거치지 않고, 바로 스퍼터링 체임버 내에서 온도를 높여가며 ITO막을 증착할 수도 있다. 이 경우, 초기 단계에서는 60℃의 저온에서 증착하며, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 체임버의 온도를 높여 120℃ 정도에서 ITO막의 성막을 마친다. 120℃ 이하의 낮은 온도에서 증착된 ITO막은 막구조가 치밀하고 표면의 거친 정도가 낮은 비정질 상태로 형성된다.
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公开(公告)号：KR100056011B1
公开(公告)日：1992-11-03
申请号：KR1019890018821
申请日：1989-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김강원
IPC: H01L23/522 , H01L27/04
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