公开(公告)号：KR1020060084589A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005305

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조능호 ,  김성욱 ,  박용길 ,  정배현 ,  채동엽 ,  최연수

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: The present invention provides a method of manufacturing a TFT array panel in a cost-effective manner. The method includes: forming thin film transistors each having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; forming an insulating layer on the thin film transistors; forming a first conductive layer electrically connected to the drain electrodes on the insulating layer; forming a second conductive layer on the first conductive layer; forming a photoresist layer including first portions and second portions thinner than the first portions; selectively etching the second conductive layer with a first etchant by using the photoresist layer as an etch blocker; and selectively etching the first conductive layer with a second etchant by using the photoresist layer and the second conductive layer as etch blockers.

公开(公告)号：KR1020060071024A

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040109915

申请日：2004-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상권 ,  정배현 ,  조능호 ,  이재형

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/41733 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78696

Abstract: 신뢰성이 향상된 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 박막 트랜지스터는 제1 도전 라인, 반도체 패턴, 제2 도전 라인 및 제3 도전 라인을 포함한다. 제1 도전 라인은 기판 상에 배치되며 제1 반도체 패턴부 및 제2 반도체 패턴부는 각각 채널 패턴부로부터 연장된다. 제2 도전 라인은 제1 반도체 패턴부 및 채널 패턴부의 일부에 형성되며, 제1 반도체 패턴부의 제1 폭과 실질적으로 동일한 제2 폭을 갖는다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 반도체 패턴의 형성 전에 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 표시장치는 박막트랜지스터를 갖는 제1 표시기판, 제2 표시기판 및 액정층을 포함한다. 따라서, 박막 트랜지스터의 신뢰성이 향상되고, 표시장치의 화질이 향상된다.
표시장치, 박막 트랜지스터, 반도체 패턴, 도전 라인, 식각, 폭

公开(公告)号：KR1020070010863A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050065828

申请日：2005-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이인성 ,  조능호 ,  이동훈

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1262

Abstract: An array substrate, a method for manufacturing the same, and a display device having the same are provided to prevent inferiority of horizontal stripes by preventing local charge trapping by preventing under-cut in patterning, thereby improving display quality. A substrate has a display area(DA) and peripheral areas(PA1,PA2) formed around the display area. Switching devices(220) are formed at the display area. Each switching device has a gate electrode(221), a source electrode(225) and a drain electrode(226). The gate electrode has a first metal film, a second metal film accumulated on the first metal film, and a third metal film formed on the second metal film through nitriding of the second metal film. A pixel electrode(250) is electrically connected with the second metal film through an insulator film and contact holes(245) formed at the third metal film.

Abstract translation: 提供了一种阵列基板及其制造方法以及具有该阵列基板的显示装置，以通过防止图案化中的下切而防止局部电荷捕获，从而提高显示质量，防止水平条纹的劣化。 基板具有在显示区域周围形成的显示区域（DA）和外围区域（PA1，PA2）。 开关装置（220）形成在显示区域。 每个开关器件具有栅电极（221），源电极（225）和漏电极（226）。 栅电极具有第一金属膜，第一金属膜上积聚的第二金属膜和通过氮化第二金属膜形成在第二金属膜上的第三金属膜。 像素电极（250）通过绝缘膜与形成在第三金属膜上的接触孔（245）与第二金属膜电连接。

公开(公告)号：KR100502810B1

公开(公告)日：2005-10-14

申请号：KR1019980013581

申请日：1998-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강원 ,  조능호

IPC: G02F1/1335

Abstract: 컬러 필터 및 차광막이 형성되어 있는 기판을 열 체임버 내에서 예열시킨 후, 스퍼터링 체임버로 기판을 옮겨 25℃∼60℃ 정도의 온도에서 ITO막을 증착한다. 또는 열 체임버 내에서 기판을 예열하는 과정을 거치지 않고, 바로 스퍼터링 체임버 내에서 온도를 높여가며 ITO막을 증착할 수도 있다. 이 경우, 초기 단계에서는 60℃의 저온에서 증착하며, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 체임버의 온도를 높여 120℃ 정도에서 ITO막의 성막을 마친다. 120℃ 이하의 낮은 온도에서 증착된 ITO막은 막구조가 치밀하고 표면의 거친 정도가 낮은 비정질 상태로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020080043605A

公开(公告)日：2008-05-19

申请号：KR1020060112354

申请日：2006-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구동성 ,  조능호 ,  주한진

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133502 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516

Abstract: A color filter substrate, a liquid crystal panel and a liquid crystal display device including the same are provided to embody the liquid crystal panel of high image quality by preventing after glow due to ion impurities from occurring. A color filter substrate includes a substrate(110), a black matrix(120), a plurality of color filters(130), an overcoat(140), and a common electrode(150). The black matrix is formed on the substrate and is made by conductive material. The plurality of color filters are formed on the substrate and the black matrix. The overcoat is formed on the plurality of color filters. A first voltage is applied to the common electrode and a second voltage is applied to the black matrix. The common electrode is formed of transparent conductive material. The first voltage is a common voltage. The second voltage is a negative DC voltage or a positive DC voltage.

Abstract translation: 提供一种滤色器基板，液晶面板和包括该滤色器基板的液晶显示装置，以通过防止发生由于离子杂质引起的辉光而体现高图像质量的液晶面板。 滤色器基板包括基板（110），黑矩阵（120），多个滤色器（130），外涂层（140）和公共电极（150）。 黑色矩阵形成在基板上，并由导电材料制成。 多个滤色器形成在基板和黑矩阵上。 外涂层形成在多个滤色器上。 向公共电极施加第一电压，并向黑矩阵施加第二电压。 公共电极由透明导电材料形成。 第一个电压是一个公共电压。 第二电压是负DC电压或正直流电压。

公开(公告)号：KR1020080041018A

公开(公告)日：2008-05-09

申请号：KR1020060109081

申请日：2006-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조능호 ,  정배현 ,  노영태 ,  이재형 ,  최연수 ,  전상호 ,  신영철 ,  김택희 ,  이형종

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: A method for fabricating a TFT(thin film transistor) substrate is provided to avoid notching by adding hydrogen in forming a lower insulation layer, and to prevent a step open by using a multi slit in a connection region of a pixel electrode and a drain electrode. A gate interconnection is formed on a substrate. A first insulation layer(162) with added hydrogen is formed on the gate interconnection. A semiconductor layer and a data interconnection are formed on the first insulation layer. A second insulation layer is formed on the data interconnection. A photoresist layer(230) is formed on the second insulation layer, and an exposure and development process is performed to form a photoresist pattern in a manner that all the photoresist pattern in a contact hole formation region is removed and the photoresist pattern in a pixel electrode formation region is left by the same thickness. A blanket etch process is performed on the photoresist pattern to form a contact hole. After a light-transmitting conductive layer is formed on the resultant structure, the light-transmitting conductive layer on the photoresist pattern is lifted-off to form a pixel electrode. The light-transmitting conductive layer can be formed after the substrate is cleaned.

Abstract translation: 提供一种制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以避免在形成下绝缘层时加入氢而引起切口，并且通过在像素电极和漏电极的连接区域中使用多狭缝来防止步骤打开 。 在基板上形成栅极互连。 在门互连上形成具有加氢的第一绝缘层（162）。 半导体层和数据互连形成在第一绝缘层上。 在数据互连上形成第二绝缘层。 在第二绝缘层上形成光致抗蚀剂层（230），并且进行曝光和显影处理以形成光致抗蚀剂图案，使得去除接触孔形成区域中的所有光致抗蚀剂图案，并且将像素中的光致抗蚀剂图案 电极形成区域保持相同的厚度。 在光致抗蚀剂图案上进行覆盖蚀刻工艺以形成接触孔。 在所得结构上形成透光导电层之后，光致抗蚀剂图案上的透光导电层被剥离以形成像素电极。 透光导电层可以在清洁基板之后形成。

公开(公告)号：KR1020060037699A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040086732

申请日：2004-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재형 ,  조능호 ,  송봉섭

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231

Abstract: 어레이 기판의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 스위칭 소자를 형성한다. 스위칭 소자를 보호하는 보호막을 형성한다. 스위칭 소자의 제1 전극에 해당하는 보호막의 상부를 노출시키는 유기막 패턴을 형성한다. 유기막 패턴을 마스크로 하여 보호막을 패터닝하여, 제1 전극의 일부를 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막 패턴을 형성한다. 상술한 어레이 기판의 제조 방법은 유기막 패턴을 마스크로 이용함으로써 마스크 수를 줄여 제조 단가를 절감할 수 있고 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990080371A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980013581

申请日：1998-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강원 ,  조능호

IPC: G02F1/1335

Abstract: 컬러 필터 및 차광막이 형성되어 있는 기판을 열 체임버 내에서 예열시킨 후, 스퍼터링 체임버로 기판을 옮겨 25℃∼60℃ 정도의 온도에서 ITO막을 증착한다. 또는 열 체임버 내에서 기판을 예열하는 과정을 거치지 않고, 바로 스퍼터링 체임버 내에서 온도를 높여가며 ITO막을 증착할 수도 있다. 이 경우, 초기 단계에서는 60℃의 저온에서 증착하며, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 체임버의 온도를 높여 120℃ 정도에서 ITO막의 성막을 마친다. 120℃ 이하의 낮은 온도에서 증착된 ITO막은 막구조가 치밀하고 표면의 거친 정도가 낮은 비정질 상태로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020080032982A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020060099473

申请日：2006-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조능호

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133509 ,  G02F1/133553

Abstract: A color filter substrate and an LCD panel having the same are provided to enable a low reflection layer to prevent light, emitted from a backlight unit, from being transferred to a TFT(Thin Film Transistor) formed in a gate driver and a pixel TFT of a TFT substrate after being reflected in a black matrix, thereby preventing photo currents and improving contrast of the LCD panel. A black matrix(20) defines a pixel area. A color filter(40) is formed in the pixel area. A common electrode(60) is formed to cover the black matrix and the color filter. A low reflection layer(30) is formed on the black matrix. The black matrix comprises a conduction layer made from metal material and an insulating layer made from opaque insulating material. A thickness of the low reflection layer is about 200angstrom to 900angstrom. A thickness of the conduction layer is about 1000angstrom to 3000angstrom. The low reflection layer is made from CrOxNy.

Abstract translation: 提供一种滤色器基板和具有该滤色器基板的LCD面板，以使低反射层能够防止从背光单元发射的光被转移到形成在栅极驱动器中的TFT（薄膜晶体管）和像素TFT TFT基板被反射成黑矩阵，从而防止光电流并改善LCD面板的对比度。 黑矩阵（20）定义像素区域。 在像素区域中形成滤色器（40）。 公共电极（60）被形成为覆盖黑矩阵和滤色器。 在黑色矩阵上形成低反射层（30）。 黑矩阵包括由金属材料制成的导电层和由不透明绝缘材料制成的绝缘层。 低反射层的厚度约为200至900nm。 导电层的厚度约为1000至3000纳米。 低反射层由CrOxNy制成。