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    반도체장치 제조방법
    1.
    发明公开
    반도체장치 제조방법 失效

    公开(公告)号：KR1019930024195A

    公开(公告)日：1993-12-22

    申请号：KR1019920008679

    申请日：1992-05-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 천영휘 ,  김기주 ,  박문한

    IPC: H01L21/78

    Abstract: 유리 또는 세라믹등과 같이 유연성이 없고 취성이 큰 재질의 기판을 사용하는 반도체장치의 제조방법중에서 기판의 절단공정을 소정공정은 거쳐 반도체장치가 형성된 기판상에 흡열재 패턴을 형성하고, 상기 흡열재 패턴하부의 기판을 레이저로 용융시켜 절단하였다.
    따라서, 깨지기 쉬운 재질의 기판을 사용하는 반도체장치의 절단과정시 발생되는 기판의 미세크랙을 방지할 수 있으며, 절단면이 매끄러워 별도의 연마공정이 필요없는 등 공정이 간단하고, 절단공정중의 반도체장치의 오염을 방지하기 위한 보호층의 형성이 불필요하므로 보호층에 의한 오염을 방지할 수 있으며, 절단면이 매끄러워 장치의 오염을 방지하기 위한 보호층의 형성이 불필요하므로 보호층에 의한 오염을 방지할 수 있어 반도체장치의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.

    반도체장치 제조방법
    5.
    发明授权
    반도체장치 제조방법 失效
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1019950005274B1

    公开(公告)日：1995-05-22

    申请号：KR1019920008679

    申请日：1992-05-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 천영휘 ,  김기주 ,  박문한

    IPC: H01L21/78

    Abstract: The method include the steps of fixing a patterned mask (15) on a substrate (11) to be cut, applying an endothermic material to the exposed substrate to form an endothermic material pattern (17) on the substrate, removing the mask (15), fusing and cutting the substrate under the endothermic pattern (17) using a laser apparatus (18), and removing the pattern (17), thereby preventing the microcracks of substrate generated in cutting.

    Abstract translation: 该方法包括以下步骤：将图案化掩模（15）固定在待切割的基底（11）上，将吸热材料施加到暴露的基底上以在基底上形成吸热材料图案（17），去除掩模（15） ，使用激光装置（18）在吸热图案（17）下熔合和切割基板，并且去除图案（17），从而防止在切割中产生的基板的微裂纹。

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