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公开(公告)号：KR102224568B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140112651A
申请日：2014-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/10
CPC classification number: H04R3/005 , G11B27/034 , G11B27/28 , H04R1/406 , H04R25/407 , H04R1/326 , H04R2499/11 , H04S2400/15
Abstract: 오디오 데이터를 처리하는 전자 장치에 있어서, 오디오 데이터를 수신하는 복수의 마이크, 및 수신된 상기 오디오 데이터를 방향별로 구분하고, 구분된 방향의 오디오 데이터에서 지정된 주파수 대역의 음들이 지정된 간격 이내로 존재하는 적어도 하나의 유음 구간을 수집하도록 설정된 오디오 데이터 처리 모듈을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자장치가 개시된다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020060035470A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084987
申请日：2004-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대윤
IPC: H04L9/00
Abstract: 본 발명은 정보 보안 시스템 및 정보 보안 방법에 관한 것으로 정보 보안을 정보 관리 인력에 의해서 인위적으로 실시하는 것이 아니라 기계적인 방법을 이용하여 자동으로 정보 보안을 실시함으로서 용이하게 예외 없이 모든 휴대용 정보기기에 대하여 안전한 정보 보안을 구현하는 효과를 가진다. 이를 위한 본 발명의 정보 보안 시스템은 휴대용 정보기기를 통한 정보 유출을 방지하기 위한 정보 보안 시스템에 있어서, 일정한 지역에서 감지용 장치을 내장한 상기 휴대용 정보기기를 무선으로 감지하고 그 종류를 인식하는 감지부; 상기 감지부에서 감지된 휴대용 정보기기의 정보 입출력 장치를 무선으로 제어하는 무선 제어부; 및 상기 입출력 장치에 대하여 동작제어용 암호를 발생시키는 암호 발생부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
정보보안, 휴대용, 정보기기, 암호-
公开(公告)号：KR100553704B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1020040004726
申请日：2004-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 패드에 관한 것으로, 연마 패드는 서로 적층된 하부 패드와 상부 패드를 가진다. 상부 패드의 상부면에는 슬러리의 유동을 안내하는 홈들(grooves)이 형성되고, 상부 패드의 하부면에는 리바운딩 유지홈들이 형성된다. 리운딩 유지홈들은 연마 패드가 두꺼워짐에 따라 리테이너 링에 의해 가압시 리바운딩이 줄어드는 것을 방지한다.
화학적 기계적 연마, CMP, 연마 패드, 리바운딩, 홈(groove)-
公开(公告)号：KR1020050077098A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：KR1020040004726
申请日：2004-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 패드에 관한 것으로, 연마 패드는 서로 적층된 하부 패드와 상부 패드를 가진다. 상부 패드의 상부면에는 슬러리의 유동을 안내하는 홈들(grooves)이 형성되고, 상부 패드의 하부면에는 리바운딩 유지홈들이 형성된다. 리운딩 유지홈들은 연마 패드가 두꺼워짐에 따라 리테이너 링에 의해 가압시 리바운딩이 줄어드는 것을 방지한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040076123A
公开(公告)日：2004-08-31
申请号：KR1020030011466
申请日：2003-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대윤
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for planarizing an interlayer dielectric is provided to more easily perform a subsequent process and reduce fabricating cost by planarizing an interlayer dielectric covering a cell capacitor structure by CMP(chemical mechanical polishing). CONSTITUTION: A cell capacitor structure(104) is formed on a cell array region of a semiconductor substrate(102) having the cell array region and a peripheral circuit region. An interlayer dielectric is formed on the semiconductor substrate including the cell capacitor structure. The interlayer dielectric in the cell array region is etched to form an interlayer dielectric pattern(108). The interlayer dielectric pattern is etched by a CMP technology using an end point detection process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于平坦化层间电介质的方法，以通过CMP（化学机械抛光）平坦化覆盖电池电容器结构的层间电介质来更容易地执行后续工艺并降低制造成本。 构成：在具有单元阵列区域和外围电路区域的半导体衬底（102）的单元阵列区域上形成单元电容器结构（104）。 在包括电池电容器结构的半导体衬底上形成层间电介质。 蚀刻单元阵列区域中的层间电介质以形成层间电介质图案（108）。 通过使用终点检测处理的CMP技术蚀刻层间介电图案。
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公开(公告)号：KR100471184B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020077286
申请日：2002-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정 설비에서 서로 다른 2 막질의 연마 공정에서 연마 시간을 제어하기 위한 연마 제어 시스템 및 그의 제어 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 연마 제어 시스템은 순차적으로 연마되는 서로 다른 2 막질의 연마 시간을 제어하기 위하여 상부 막질은 엔드포인트 검출 방식으로 진행하고, 하부 막질은 폐루프 제어 방식에 의해서 처리된다. 연마 제어 시스템은 상부 막질의 연마 공정 중에 엔드포인트가 검출되면, 이를 판별하여 자동으로 하부 막질을 폐루프 제어 방식으로 연마하기 위한 레시피를 설정하여 연마 공정을 수행한다. 따라서 본 발명에 의하면, 서로 다른 두 막질의 연마 공정에서 하나의 막질은 엔드포인트 검출 방법으로, 다른 하나는 폐루프 제어 방식으로 진행함으로써, 두 방법을 상호 보완하여 엔드 포인트 검출 방법과 CLC 방법을 조합하여 연마 공정의 제어가 용이하고, 각각의 장점만을 살려 시너지 효과를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040049492A
公开(公告)日：2004-06-12
申请号：KR1020020077286
申请日：2002-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12
Abstract: PURPOSE: A system for controlling the polishing time of each layer in a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process for a multilayered layer and a method thereof are provided to be capable of optimizing the polishing time. CONSTITUTION: A system for controlling the polishing time of each layer in a CMP process for a multilayered layer is provided with a polishing part(120), a measurement part(160) for measuring the thicknesses of the layer before and after the CMP process, a data base(150) for storing the thickness data supplied from the measurement part, and an end point detecting system(130) for controlling the polishing part. The system further includes a closed loop control maintenance part(140) for calculating the polishing time using the thickness data of the measurement part and polishing the layer using a closed loop control process, and an operator part(110) for inputting the setting data of CMP process recipes and monitoring the progressing state of the CMP process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制用于多层的CMP（化学机械抛光）工艺中的每层的抛光时间的系统及其方法，以能够优化抛光时间。 构成：用于控制用于多层的CMP工艺中的每个层的抛光时间的系统设置有抛光部分（120），用于测量CMP处理之前和之后的层的厚度的测量部分（160） 用于存储从测量部分提供的厚度数据的数据库（150）和用于控制抛光部件的终点检测系统（130）。 该系统还包括一个闭环控制维护部分（140），用于使用测量部分的厚度数据计算抛光时间并使用闭环控制过程对该层进行抛光;以及操作部分（110），用于输入测量部分的设置数据 CMP过程配方并监控CMP过程的进度状态。
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公开(公告)号：KR1020040023940A
公开(公告)日：2004-03-20
申请号：KR1020020055390
申请日：2002-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for polishing a wafer by using a chemical mechanical polishing(CMP) recipe divided into multi-steps is provided to avoid an excessive CMP process even if an end point detection(EPD) fails by preventing a next process from being performed when the end point detection fails in the first step. CONSTITUTION: Light is irradiated to an etch target layer on a wafer while the etch target layer is polished by a CMP process(10). A maximum interval of time is set to perform a CMP process to the EPD on the wafer(20). The signal generated by the light reflected from the wafer is monitored(30). N EPD windows(n is an integer not less than 2) are set, defined by an arbitrarily selected range of time and an intensity range of the arbitrarily selected signal(40). The maximum interval of time is divided into n steps(50). When the signal intensity is included in the n EPD windows or an end point is not detected in the first step of the n steps, the CMP process is finished(60).
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用分为多步骤的化学机械抛光（CMP）配方来抛光晶片的方法，以避免过多的CMP处理，即使通过防止下一个处理不能执行端点检测（EPD）而失败， 在第一步中终点检测失败。 构成：在通过CMP工艺（10）抛光蚀刻目标层的同时，将光照射到晶片上的蚀刻目标层。 设置最大时间间隔以对晶片（20）上的EPD执行CMP处理。 监测从晶片反射的光产生的信号（30）。 通过任意选择的时间范围和任意选择的信号（40）的强度范围来定义N个EPD窗口（n是不小于2的整数）。 最大时间间隔分为n个步骤（50）。 当在n个EPD窗口中包括信号强度或在n个步骤的第一步中没有检测到终点时，CMP处理结束（60）。
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公开(公告)号：KR1020160004508A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140082867
申请日：2014-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 동국대학교 산학협력단
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/378
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는리셋신호를수신하는제1입력단자, 이미지신호를수신하는제2입력단자, 한방향으로램핑하는하나의램프신호를수신하는제3입력단자, 및출력단자를포함하는비교기와, 복수의스위치들을포함하는스위치회로를포함하고, 상기비교기는, 리셋페이즈에서상기복수의스위치들의제1배열에따라상기리셋신호와상기램프신호를비교하고상기출력단자를통해제1비교신호를출력하고, 이미지페이즈에서상기복수의스위치들의제2배열에따라상기이미지신호와상기램프신호를비교하고상기출력단자를통해제2비교신호를출력한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器包括：比较器，包括接收复位信号的第一输入端子，接收图像信号的第二输入端子，接收沿着方向斜坡的灯信号的第三输入端子， 和输出端子; 以及包括开关的开关电路。 比较器根据复位阶段的开关的第一布置比较复位信号和灯信号，通过输出端输出比较信号，根据图像中的开关的第二布置比较图像信号和斜坡信号 并通过输出端输出第二比较信号。
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