公开(公告)号：KR1020050079096A

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：KR1020040007215

申请日：2004-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26

Abstract: 화학 기계적 연마 패드를 개시한다. 본 발명에 의한 화학 기계적 연마 패드는 그루브가 형성되어 있는 상부 패드 및 기판 패드를 구비하고, 상기 그루브는 동심원 형태의 그루브와 방사형의 그루브를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020010017439A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990032951

申请日：1999-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) apparatus is provided to uniformly perform a polishing process regarding the entire surface of a wafer, by forcibly controlling a height of a central portion of the wafer or edge portion of the wafer when the height of the central and edge portions of the wafer are not the same. CONSTITUTION: A wafer absorbing pad(121) is installed on a polishing table, and a recess part(121a) of a predetermined shape is formed on the wafer absorbing pad. A plurality of holes having a predetermined pattern is formed in a base surface of the recess part. A cover plate(122) seals the recess part. A sealing ring(126) is intervened between the cover plate and the recess part so that the holes are divided into a plurality of independent regions. Pipes are coupled to the respective regions. A vacuum pressure generating unit and a gas supplying unit are connected in parallel to the respective pipes. A wafer(101) polished by a wafer chuck is temporarily transferred to a wafer stage. A slurry eliminating unit eliminates slurry on the wafer of the wafer stage. A wafer cleaning unit cleans the wafer whose slurry is removed in the slurry eliminating unit.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光（CMP）装置，以通过强制地控制晶片的中心部分的高度或晶片的边缘部分的高度来均匀地执行关于晶片的整个表面的抛光工艺， 并且晶片的边缘部分不相同。 构成：将晶片吸收垫（121）安装在研磨台上，并且在晶片吸收垫上形成预定形状的凹部（121a）。 具有预定图案的多个孔形成在凹部的基面上。 盖板（122）密封凹部。 密封环（126）插入在盖板和凹部之间，使得孔分成多个独立区域。 管道连接到相应的区域。 真空压力发生单元和气体供给单元与各个管并联连接。 由晶片卡盘抛光的晶片（101）暂时转移到晶片台。 浆料清除单元消除晶片台晶片上的浆料。 晶片清洗单元清洗在浆料清除单元中除去浆液的晶片。

公开(公告)号：KR1020070073484A

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020060001438

申请日：2006-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  김명석

IPC: H01L21/304

Abstract: A chemical mechanical polishing method is provided to change automatically conditions and to perform a chemical mechanical polishing process to a target value by using simultaneously an in-line metrology method and an end point detection method. A chemical mechanical polishing method is used for planarizing a layer formed on a wafer. The chemical mechanical polishing method layer includes a process for polishing the layer to a target value by using an in-line metrology method(S200) and an end point detection method(S300). The in-line metrology method is used for changing a polishing condition for the layer. The end point detection method is used for polishing the layer to the target value.

Abstract translation: 提供化学机械抛光方法，通过同时使用在线计量方法和终点检测方法来自动改变条件并进行化学机械抛光处理到目标值。 化学机械抛光方法用于平坦化形成在晶片上的层。 化学机械抛光方法层包括通过使用在线测量方法（S200）和终点检测方法（S300）将层研磨到目标值的处理。 使用在线计量方法来改变该层的抛光条件。 端点检测方法用于将层抛光到目标值。

公开(公告)号：KR1020040023940A

公开(公告)日：2004-03-20

申请号：KR1020020055390

申请日：2002-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  홍석지 ,  김대윤

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for polishing a wafer by using a chemical mechanical polishing(CMP) recipe divided into multi-steps is provided to avoid an excessive CMP process even if an end point detection(EPD) fails by preventing a next process from being performed when the end point detection fails in the first step. CONSTITUTION: Light is irradiated to an etch target layer on a wafer while the etch target layer is polished by a CMP process(10). A maximum interval of time is set to perform a CMP process to the EPD on the wafer(20). The signal generated by the light reflected from the wafer is monitored(30). N EPD windows(n is an integer not less than 2) are set, defined by an arbitrarily selected range of time and an intensity range of the arbitrarily selected signal(40). The maximum interval of time is divided into n steps(50). When the signal intensity is included in the n EPD windows or an end point is not detected in the first step of the n steps, the CMP process is finished(60).

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用分为多步骤的化学机械抛光（CMP）配方来抛光晶片的方法，以避免过多的CMP处理，即使通过防止下一个处理不能执行端点检测（EPD）而失败， 在第一步中终点检测失败。 构成：在通过CMP工艺（10）抛光蚀刻目标层的同时，将光照射到晶片上的蚀刻目标层。 设置最大时间间隔以对晶片（20）上的EPD执行CMP处理。 监测从晶片反射的光产生的信号（30）。 通过任意选择的时间范围和任意选择的信号（40）的强度范围来定义N个EPD窗口（n是不小于2的整数）。 最大时间间隔分为n个步骤（50）。 当在n个EPD窗口中包括信号强度或在n个步骤的第一步中没有检测到终点时，CMP处理结束（60）。

公开(公告)号：KR100614239B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020040034351

申请日：2004-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  김명석 ,  강종묵 ,  김익주

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.
연마 두께, 가변 타임 방식, 폐루프 제어, 세정

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法，该方法包括一个抛光步骤和清洁步骤。 抛光步骤包括中间研磨步骤的最后研磨步骤包括研磨所述废物通过可变时间的方式通过具有厚度的膜中的控制回路来设置被抛光，直到由终点检测方法制造的晶片曝光的下部。 此外，所述清洁步骤包括以下步骤：用去离子水洗涤该晶片，该方法包括：刷清洁晶片与化学液体含有氢氟酸，所述方法包括：刷清洁晶片与化学液体，包括氨，氨，过氧化氢，并与去离子水的混合化学溶液的晶片 步骤的清洁，以及包括使用所述马兰戈尼原理的干燥步骤。

公开(公告)号：KR1020050051094A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084811

申请日：2003-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우

IPC: B24B49/00

Abstract: 반도체 기판을 연마하고 상기 반도체 기판의 연마 종말점을 검출하기 위한 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치가 개시되어 있다. 상기 반도체 기판의 연마 종말점을 검출하기 위한 광을 투과시키는 종말점 검출창은 연마 공정에 의해 상부면이 손상됨으로써 상기 광이 왜곡 변화되는 것을 방지하기 위해 상부면에 오목부가 형성된다. 상기 오목부의 깊이는 연마 패드에 형성된 그루브의 깊이와 동일하거나 더 깊게 형성된다. 따라서 상기 연마 패드의 그루브가 없어져 수명이 다할 때까지 상기 종말점 검출창은 손상되지 않으므로 연마 종말점을 정확하게 검출할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050108915A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020040034351

申请日：2004-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  김명석 ,  강종묵 ,  김익주

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/013 ,  B24B37/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050073891A

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020040002004

申请日：2004-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  성정환 ,  정기홍 ,  서건식 ,  김명석

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼의 막질을 연마하는 화학적 기계적 연마 방법에 있어서, 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 상기 막질을 연마하는 단계와; 상기 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 연마된 후 잔류하는 막질의 두께 데이터를 측정하는 단계와; 폐루프 제어 방식(CLC)에 의해 상기 두께 데이터에 대응하는 연마 시간을 계산하는 단계와; 상기 계산된 연마 시간동안 상기 잔류 막질을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정후 두께 산포를 종래에 비해 더 잘 관리할 수 있으며, 언더 CMP된 경우 필요한 경우 자동적으로 재연마 공정을 진행할 수 있다. 또한, 오퍼레이터에 의하여 CMP 진행 레시피(recipe)를 설정할 필요도 없으며, 결과적으로 완전 자동 시스템(Full Auto System)을 구현할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050007505A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：KR1020030046184

申请日：2003-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: CMP(chemical mechanical polishing) equipment is provided to maximize the actual use of slurry by including a slurry blowing unit capable of forcibly blowing slurry to a gap between a polishing head part and a polishing pad. CONSTITUTION: A polishing pad with predetermined roughness is mounted on the upper surface of a polishing table part(130) rotating at a predetermined RPM(revolution per minute). A polishing head part(110) absorbs a wafer(50) to be polished and make the wafer come in contact with the polishing pad while rotating the wafer at a predetermined RPM. A pad conditioning part(150) scratches the surface of the polishing pad to make the polishing pad maintain predetermined roughness. A slurry supply part(170) supplies slurry(60) to the upper part of the polishing pad. A slurry blowing unit blows the slurry to a direction in which the polishing pad comes in contact with the polishing head part.

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）设备，以通过包括能够强力地将浆料吹送到研磨头部分和抛光垫之间的间隙的浆料吹送单元来最大化浆料的实际使用。 构成：具有预定粗糙度的抛光垫安装在以预定RPM（每分钟转数）旋转的抛光台部件（130）的上表面上。 抛光头部分（110）吸收要抛光的晶片（50），并使得晶片与抛光垫接触，同时以预定RPM旋转晶片。 衬垫调节部件（150）划伤抛光垫的表面以使抛光垫保持预定的粗糙度。 浆料供应部分（170）将浆料（60）供应到抛光垫的上部。 浆料吹送单元将浆料吹向抛光垫与抛光头部分接触的方向。

公开(公告)号：KR1020090025581A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070090540

申请日：2007-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최범준 ,  윤홍석 ,  부재필 ,  조찬우

IPC: H01L21/304

Abstract: A carrier head for a chemical mechanical polishing device and a filter assembly thereof are provided to prevent the moisture generated inside a membrane from being inhaled to the pressure control system by installing the filter assembly inside the gas path of a pressure distribution housing. A head membrane(110) includes a plurality of pressing areas. A connection tube(120) is connected to the pressing area. A pressure distribution housing(130) is installed inside a carrier head main body(101). A filter assembly(140) is installed inside the gas path of the pressure distribution housing. The moisture is not inhaled to the inside of the pressure control system.

Abstract translation: 提供一种用于化学机械抛光装置的载体头及其过滤器组件，以通过将过滤器组件安装在压力分配壳体的气体路径内，防止膜内产生的水分被吸入压力控制系统。 头膜（110）包括多个按压区域。 连接管（120）连接到按压区域。 压力分配壳体（130）安装在承载头主体（101）的内部。 过滤器组件（140）安装在压力分配壳体的气体路径内部。 湿气不会吸入压力控制系统的内部。