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公开(公告)号：KR101596830B1
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：KR1020090028590
申请日：2009-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리장치의쓰기방법은, 복수의밴드레지스터들중 어느하나의밴드레지스터에따라제 1 밴드프로그램동작을수행하는단계, 및상기제 1 밴드프로그램동작이완료된후, 상기복수의밴드레지스터들중 어느하나의밴드레지스터에따라제 2 밴드프로그램동작을수행하는단계를포함하되, 상기제 2 밴드프로그램동작의밴드레지스터는상기제 1 밴드프로그램동작동안에결정된다.
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公开(公告)号：KR100852179B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020060135049
申请日：2006-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/28
Abstract: 정전기로 인하여 플래쉬 셀 퓨즈 회로가 원하지 않은 프로그래밍이 되는 것을 방지할 수 있는 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제어 방법이 개시된다. 비휘발성 반도체 메모리 장치는 독출전압 발생회로, 플래쉬 셀 퓨즈 회로, 및 로우 디코더를 포함한다. 독출전압 발생회로는 독출 인에이블 신호 및 트림 코드에 응답하여 독출 전압을 발생시킨다. 플래쉬 셀 퓨즈 회로는 독출 인에이블 신호보다 제 1 시간 늦게 인에이블되는 퓨즈 워드라인 인에이블 신호 및 셀 선택신호에 응답하여 트림 코드를 발생시킨다. 따라서, 비휘발성 반도체 메모리 장치는 플래쉬 셀 퓨즈회로 내에 있는 퓨즈 셀들이 정전기 방전으로 인한 원하지 않은 프로그램이 되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100841980B1
公开(公告)日：2008-06-27
申请号：KR1020060130220
申请日：2006-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/16
Abstract: 본 발명에 따른 플래시 메모리 장치에 포함되는 복수의 메모리 셀들을 소거하는 방법은, 제 1 과소거 검증 전압보다 낮은 문턱전압을 갖는 소거된 메모리 셀들을 포스트 프로그램하는 단계와; 그리고 제 2 과소거 검증 전압보다 낮은 문턱전압을 갖는 소거된 메모리 셀들을 포스트 프로그램하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 과소거 검증 전압은 상기 제 1 과소거 검증 전압보다 낮은 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100839489B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060116022
申请日：2006-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/30 , G11C16/04 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028
Abstract: 플래쉬 메모리 장치는 비휘발성인 복수의 플래쉬 퓨즈 셀들로 구성되어 제1 트림 코드를 저장하고 출력하는 플래쉬 퓨즈 셀 어레이, 상기 제1 트림 코드와 외부에서 제공된 전압 조정 코드에 대해 소정의 연산을 수행하여 제2 트림 코드를 생성하는 트림 코드 처리부, 플래쉬 메모리 셀들을 포함하는 플래쉬 메모리 어레이 및 상기 플래쉬 메모리 셀들의 소거, 프로그램, 읽기 동작 등에 사용되는 고전압을 상기 제2 트림 코드에 따라 생성하여 상기 플래쉬 메모리 어레이에 제공하는 레귤레이터를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100735011B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020060006870
申请日：2006-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26
Abstract: A NOR flash memory and a read method thereof are provided to prevent a sensing fail due to voltage noise during a data output operation of an output driver. A NOR flash memory includes a memory cell and a sense amplifier sensing data stored in the memory cell in response to a sensing signal. An output driver outputs data sensed by the sense amplifier. A control circuit controls the sensing period of the sense amplifier. The control circuit includes a phase shift circuit, which determines generation time of the sensing signal to avoid noise of a power supply voltage in response to a clock signal, and a signal generator generating the sensing signal according to the determination result.
Abstract translation: 提供NOR闪存及其读取方法，以防止在输出驱动器的数据输出操作期间由于电压噪声导致的感测故障。 NOR闪速存储器包括响应于感测信号而存储在存储器单元中的存储单元和感测放大器感测数据。 输出驱动器输出由读出放大器感测的数据。 控制电路控制感测放大器的感测周期。 控制电路包括相移电路，其确定响应于时钟信号的感测信号的发生时间以避免电源电压的噪声，以及根据确定结果产生感测信号的信号发生器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100735010B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050083799
申请日：2005-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/30
Abstract: 여기에 개시된 플래시 메모리 장치는, 복수 개의 메모리 셀들로 구성된 메모리 셀 어레이; 상기 메모리 셀 어레이로 인가될 복수 개의 정전압들을 발생하는 전압 발생 회로; 그리고 상기 복수 개의 정전압들 중 하나를 선택하여 상기 메모리 셀 어레이로 인가하는 선택회로를 포함하며, 상기 전압 발생 회로는 상기 정전압들을 발생하는 분압 경로를 통해 상기 선택회로로부터 입력된 누설 전류를 방전한다. 그 결과, 전압 발생 회로로부터 발생된 전압들의 전압 변동이 방지된다.
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公开(公告)号：KR1020070054857A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050112917
申请日：2005-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대한
IPC: B25J15/00
Abstract: 본 발명은 로봇암용 블레이드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 장비에서 웨이퍼를 이송시키기 위한 로봇암용 블레이드에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 로봇암용 블레이드는 로봇암에 연결되어 웨이퍼를 이송시키는 것으로서, 상기 웨이퍼의 이면을 지지하며, 표면에 전기 전도체가 노출된 몸체부; 및 상기 몸체부에서 연장되어 로봇암에 연결되는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 부도체 재질의 몸체부에 전도체를 설치하여 웨이퍼와 몸체부 사이에 정전기가 발생하는 것을 방지함으로써, 정전기에 의해서 웨이퍼가 오염되거나 불량이 증가하는 것을 방지하는 효과를 달성하였다.
블레이드, 정전기, 부도체, 전도체-
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公开(公告)号：KR101551449B1
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020090015933
申请日：2009-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/26
Abstract: 본발명의실시예에따른비휘발성메모리장치는, 복수의워드라인들및 복수의비트라인들의교차영역에형성되는복수의메모리셀들을갖는셀 어레이, 어드레스에응답하여상기복수의워드라인들중 어느하나를선택하는어드레스디코더, 상기선택된워드라인에연결된메모리셀들에프로그램데이터를쓰기위한쓰기회로, 및쓰기동작시복수의밴드프로그램동작들이순차적으로수행되도록상기어드레스디코더및 쓰기회로를제어하는제어회로를포함하되, 상기제어회로는밴드프로그램동작시다음밴드프로그램의쓰기조건을선택할수 있다.
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