KR102238176B1 - Data communicating method for use in single wire protocol communication and therefore system

    公开(公告)号:KR102238176B1

    公开(公告)日:2021-04-12

    申请号:KR1020140045572A

    申请日:2014-04-16

    Inventor: 김선권 김기홍

    Abstract: SWP 통신 시에 소모되는 전력을 최소화 또는 줄일 수 있는 단일 와이어 프로토콜 통신에서의 데이터 통신 방법이 개시된다. SWP 통신의 경우에 양방향 통신이 단일 와이어 입출력(I/O)을 통해 서로 다른 데이터 전송 방식으로 수행된다. 먼저, 통신 패킷의 데이터 비트들 중에서 제1 로직상태를 갖는 비트들의 개수가 설정된 개수를 초과하는 지가 송신 시에 체크된다. 제1 로직상태를 갖는 비트들의 개수가 설정된 개수를 초과하면, 상기 통신 패킷의 데이터 비트들의 로직상태는 반전된다. 상기 로직상태의 반전 시에 통신 패킷의 극성 비트가 세팅될 수 있다. 상기 반전된 데이터 비트들이 상기 단일 와이어 입출력을 통해 전송될 때 전력 소모가 줄어든다. 본 발명의 개념에 따르면, 하드웨어의 추가적 부담없이 SWP 통신 시의 전력소모 이슈가 개선된다.

    초음파 영상 처리 장치 및 방법

    公开(公告)号:KR102218308B1

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:KR1020130056982

    申请日:2013-05-21

    Abstract: 초음파에코신호를영상화하는초음파영상처리장치및 방법에관한것이다. 초음파영상처리방법의일 실시예는복수의초음파펄스를서로다른방향으로조사하고, 대상체로부터복수의초음파에코신호를획득하는단계; 상기초음파에코신호의감쇠율을구하는단계; 상기감쇠율을기초로상기획득한초음파에코신호를보정하는단계; 및상기보정된초음파에코신호를초음파영상으로출력하는단계를포함할수 있다.

    피검체의 주기적인 생체 신호를 이용하여 관심 영역의 온도 변화를 모니터링하는 방법 및 장치.
    7.
    发明公开
    피검체의 주기적인 생체 신호를 이용하여 관심 영역의 온도 변화를 모니터링하는 방법 및 장치. 审中-实审
    使用对象的周期性生物信号监测利益区域的温度变化的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020150026611A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130105694

    申请日:2013-09-03

    Abstract: 초음파를 이용하여 영상을 생성하는 방법은 소정 시간 동안 피검체의 생체 신호들을 획득하는 단계; 상기 소정 시간 동안 상기 피검체에 설정된 관심 영역을 향하여 조사된 초음파들의 에코 신호들을 이용하여 적어도 하나 이상의 초음파 프레임들을 생성하는 단계; 상기 관심 영역을 향하여 재조사된 초음파의 에코 신호를 이용하여 초음파 프레임을 재생성하고, 상기 초음파를 재조사하는 시점에서의 상기 피검체의 생체 신호를 재획득하는 단계; 및 상기 재생성된 초음파 프레임 및 상기 재획득된 생체 신호에 기초하여 상기 생성된 초음파 프레임들로부터 참조 프레임을 결정하는 단계;를 포함한다.

    Abstract translation: 使用超声波的图像生成方法包括以下步骤:在预定时间内获得被检体的生物信号; 使用在所述对象中设置的感兴趣区域辐射的超声波的回波信号预定时间来生成一个或多个超声波帧; 使用向感兴趣区域再次照射的超声波的回波信号再生超声波帧,并且在重新发射超声波的时间点再次获得被摄体的生物信号; 以及基于重新获得的生物信号和再生的超声波帧从所生成的超声帧中确定参考帧。

    시스템 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 시스템
    8.
    发明授权
    시스템 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 시스템 有权
    시스템성능을향상시킬수있는플래시메모리시스템

    公开(公告)号:KR100875293B1

    公开(公告)日:2008-12-23

    申请号:KR1020070013351

    申请日:2007-02-08

    Abstract: An integrated circuit memory system includes an integrated circuit device having a random access memory array, a non-volatile memory array (e.g., flash memory array) and a data transfer circuit therein. The memory arrays and data transfer circuit may be included in a common integrated circuit chip. The random access memory (RAM) array includes a plurality of columns of RAM cells and a first plurality of bit lines, which are electrically connected to the plurality of columns of RAM cells. The non-volatile memory array includes a plurality of columns of non-volatile memory cells and a second plurality of bit lines, which are electrically connected to a plurality of columns of non-volatile memory cells. The data transfer circuit is electrically connected to the first and second pluralities of bit lines. The data transfer circuit is configured to support direct bidirectional communication between the first and second pluralities of bit lines.

    Abstract translation: 集成电路存储器系统包括具有随机存取存储器阵列,非易失性存储器阵列(例如,闪存阵列)和其中的数据传输电路的集成电路器件。 存储器阵列和数据传输电路可以被包括在公共集成电路芯片中。 随机存取存储器(RAM)阵列包括多列RAM单元和第一多个位线,其电连接到多列RAM单元。 非易失性存储器阵列包括电连接到多列非易失性存储器单元的多列非易失性存储器单元和第二多个位线。 数据传输电路电连接到第一和第二多个位线。 数据传输电路被配置为支持第一和第二多个位线之间的直接双向通信。

    메모리 시스템 및 그것의 데이터 읽기 방법
    9.
    发明授权
    메모리 시스템 및 그것의 데이터 읽기 방법 有权
    存储器系统及其数据读取方法

    公开(公告)号:KR100854972B1

    公开(公告)日:2008-08-28

    申请号:KR1020070014966

    申请日:2007-02-13

    CPC classification number: G11C16/0483

    Abstract: 본 발명에 따른 메모리 시스템은: 메모리; 및 상기 메모리를 제어하는 메모리 제어기를 포함하되, 상기 메모리는, 랜덤 억세스를 수행할 수 있는 메모리 어레이를 갖는 랜덤 억세스 가능 메모리; 낸드 플래시 메모리; 및 상기 메모리 제어기가 상기 랜덤 억세스 가능 메모리를 제어할지 혹은 상기 낸드 플래시 메모리를 제어할지 선택하는 선택회로를 포함한다.
    랜덤 억세스, 낸드

    향상된 동작 특성을 갖는 플래시 메모리 시스템 및 그것의액세스 방법
    10.
    发明授权
    향상된 동작 특성을 갖는 플래시 메모리 시스템 및 그것의액세스 방법 失效
    FLASH存储器系统可以改进访问性能和访问方法

    公开(公告)号:KR100823169B1

    公开(公告)日:2008-04-18

    申请号:KR1020070008025

    申请日:2007-01-25

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/20 G11C16/0483 G11C16/08 G11C16/26

    Abstract: A flash memory system capable of improving access performance and an access method thereof are provided to access memory cells by considering threshold voltage distribution of the memory cells. A flash memory device(130) includes a plurality of storing regions. A content memory(110) stores setting information corresponding to each of the plurality of storing regions. A processing unit(150) sets operation condition of the flash memory device by referring to the setting information, during access operation of the flash memory device. The flash memory device is a NAND flash memory device. The plurality of storing regions is a page unit.

    Abstract translation: 提供能够提高访问性能的闪存系统及其访问方法,以通过考虑存储器单元的阈值电压分布来访问存储器单元。 闪存器件(130)包括多个存储区域。 内容存储器(110)存储与多个存储区域中的每一个对应的设置信息。 处理单元(150)在闪速存储器件的访问操作期间通过参考设置信息设置闪速存储器件的操作条件。 闪存器件是NAND闪存器件。 多个存储区域是页面单元。

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