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公开(公告)号：KR100706793B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050071138
申请日：2005-08-03
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B08B3/00 , C23C16/4482
Abstract: 본 발명은 테스트 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 테스트 시스템은 테스트 데이터를 생성하는 레퍼런스 칩과, 상기 테스트 데이터를 입력받아 상기 레퍼런스 칩으로 상기 테스트 데이터를 반환하는 테스트 대상 칩을 포함하며, 상기 레퍼런스 칩은 상기 테스트 데이터와 상기 반환된 테스트 데이터를 비교하여 상기 테스트 대상 칩의 데이터 전송 동작 이상 유무를 판별하는 것을 특징으로 한다.
반도체, 케미컬, 전구체, 버퍼링 탱크Abstract translation: 本发明涉及一种测试系统。 测试系统包括测试芯片，用于接收所述参考芯片，用于生成测试数据与参考芯片返回的测试数据的测试数据，根据本发明的参考芯片所述返回和测试数据 并将测试数据相互比较以确定待测芯片是否存在数据传输操作异常。
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公开(公告)号：KR1019960042994A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950012904
申请日：1995-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 반도체 클린 룸에 대해 기재되어 있다. 이는 천정에 주 덕트와 부 덕트가 배치되어 있고, 바닥에 펌프 스태이지가 배치되어 있는 플리넘 및 덕트 샤프트가 중앙복도를 따라 배치되어 있는 클린 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 덕트의 용량을 용이하게 증가시킬 수 있고, 스테이지와 스테이즈 사이의 왕복을 용이하게 할 수 있으며, 클린 영역의 공간 활용에 대한 제한을 줄일 수 있다. 또한, 플리넘 내의 기류의 유동이 차단되는 것을 방지할 수 있고, 스테이지 상에 설치되는 장비의 변경 혹은 증가를 용이하게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060010540A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059275
申请日：2004-07-28
Applicant: (주)원익머트리얼즈 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , B01J19/24 , H01L21/67098 , H01L21/6715 , H01L2924/01009
Abstract: 본 발명은 반도체 공정용 불소가스 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불소가스 발생장치에서 발생되는 불소가스의 불순물을 제거하는 필터장치를 구비하여 반도체 공정으로 투입되는 불소가스의 순도를 향상시킬 수 있는 반도체 공정용 불소가스 제조장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020060028874A
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020040077754
申请日：2004-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , B67D1/12 , H01L21/67253 , H01L21/67276
Abstract: 가스 공급 시스템은 공정 설비로 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함한다. 상기 가스 공급부에는 가스 저장 용기와 공정 설비를 연결하는 공급 라인 상에 밸브가 구비되고, 상기 밸브와 공정 설비 사이의 공급 라인 상에 압력 센서가 구비된다. 주 제어부는 상기 공정 설비로 가스 공급을 조절하기 위해 상기 가스 공급부의 동작을 제어한다. 보조 제어부는 상기 주 제어부의 기능을 감시하여 상기 주 제어부에 결함이 발생할 경우, 상기 주 제어부의 기능을 제한하여 상기 가스 공급부가 상기 주 제어부의 결함에 영향을 받지 않고 정상적으로 작동하도록 유지시킨다. 또한 보조 제어부는 상기 주 제어부와 무관하게 발생되는 상기 밸브의 비정상적인 동작에 의한 압력 센서의 신호 변화에 따라 상기 밸브의 동작을 중단시킨다.
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公开(公告)号：KR1020070031723A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050086466
申请日：2005-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정에 사용하는 약액 공급 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 약액 공급 장치는 소정의 약품유체를 저장하는 공간을 갖는 하우징과 상기 하우징의 내부벽 표면을 보호하는 소정의 보호막, 그리고 상기 보호막이 손상되면 손상된 부분을 통해 약품유체가 외부로 배출되는 복수의 배출홀들을 포함하는 약액 탱크 및 상기 배출홀들로부터 배출되는 상기 약품유체의 유무를 검출하는 감지 시스템을 포함한다. 이때, 상기 보호막은 불소수지 재질의 보호시트이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 약액 공급 장치는 약액을 저장하는 약액 탱크의 내부 손상을 감지할 수 있다.
약액, 저장탱크, 라이닝 탱크, 약액 공급 장치, 검출부재-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070016460A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050071138
申请日：2005-08-03
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B08B3/00 , C23C16/4482
Abstract: 본 발명은 케미컬 공급 장치 및 케미컬 공급 방법에 관한 것으로, 케미컬이 저장된 모 탱크(Mother Tank)와, 상기 모 탱크에 비해 제1 거리차(h)만큼 상대적으로 높은 위치에 배치되어 상기 모 탱크와의 위치간 압력차에 의해 상기 모 탱크로부터 상기 케미컬을 정량적으로 제공받는 중간 탱크(Intermediate Tank)와, 상기 중간 탱크에 비해 제2 거리차(h')만큼 상대적으로 높은 위치에 배치되어 상기 중간 탱크와의 위치간 압력차에 의해 상기 중간 탱크로 제공된 정량의 케미컬을 제공받는 버블링 탱크(Bubbling Tank)를 포함하는 케미컬 공급 장치를 이용하여 정량의 케미컬을 안정적으로 공급할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 중간 버퍼링 탱크를 설치하여 케미컬 공급의 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있고, 정량의 중간 버퍼링 탱크를 사용하여 정해진 양만큼 케미컬을 공급하기 때문에 케미컬 공급 과잉에 따른 공정 사고 내지는 안전 사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.
반도체, 케미컬, 전구체, 버퍼링 탱크-
公开(公告)号：KR1020060010538A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059273
申请日：2004-07-28
Applicant: (주)원익머트리얼즈 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , B01J19/24 , H01L21/6715 , H01L2924/01009
Abstract: 본 발명은 반도체 공정용 불소 가스 제조 장치에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 불소 가스의 제조 공정중 내부 폭발 및 충격에 의해 양극판이 회전하는 현상을 방지하는데 있다.
이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 전해액이 소정 높이로 충진되고 상단 개구부가 상부 커버에 의하여 밀봉되며, 상부 커버에 양극판 및 음극판이 일정 거리 이격되어 고정된 반도체 공정용 불소 가스 제조 장치에 있어서, 양극판과 상부 커버 사이에는, 양극판이 회전하지 않도록 극판 고정 부재가 더 형성된 구성이 개시된다.
이러한 극판 고정 부재는 예를 들면 양극판에 형성된 지지봉과, 이것에 대응되는 위치의 상부 커버에 형성된 지지홈으로 이루어질 수 있다.
불소, 수소, 양극, 음극, 격벽, 극판 고정 부재-
公开(公告)号：KR100636021B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020050010433
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사 , 씨앤지하이테크 주식회사
Abstract: 사이클론은 몸체와 선회류 출구부재를 포함한다. 몸체는 유체가 투입되는 인입 통로, 인입 통로에 연결되어 유체 내의 제 1 입자가 배출되는 상단을 갖는 원통형 통로, 및 원통형 통로의 하단에 연결된 상단과 상기 제 1 입자보다 큰 비중을 갖는 제 2 입자가 배출되는 개방된 하단을 갖는 원추형 통로를 갖는다. 선회류 출구부재는 원통형 통로의 상단에 삽입된다. 원통형 통로로부터 선회 상승하는 제 1 입자가 배출되는 제 1 배출 통로가 선회류 출구부재 내에 수직 방향을 따라 형성된다. 수직 방향을 따른 원통형 통로의 길이는 원통형 통로의 지름의 0.5 내지 2배이고, 수직 방향을 따른 원추형 통로의 길이는 원통형 통로의 지름의 5 내지 9배이다.
Abstract translation: 旋风器包括主体和旋流出口构件。 体是具有顶部和具有较大的比重大于所述第一颗粒被连接到在其中引入一个流体连接到所述圆筒形通道的下端的入口通道，入口通道的第二颗粒，并具有顶部到其上的圆柱形通道中的流体排出第一颗粒 并且具有开放的下端的锥形通道被排出。 涡流出口部件插入圆柱形通道的上端。 在回旋流出口构件上沿着铅直方向形成有第一排出通路，通过该第一排出通路，从圆柱形通路上升并且上升的第一颗粒被排出。 圆柱形通道沿竖直方向的长度是圆柱形通道直径的0.5至2倍，圆锥形通道沿竖直方向的长度是圆柱形通道直径的5至9倍。
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公开(公告)号：KR1020060089403A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010433
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사 , 씨앤지하이테크 주식회사
Abstract: 사이클론은 몸체와 선회류 출구부재를 포함한다. 몸체는 유체가 투입되는 인입 통로, 인입 통로에 연결되어 유체 내의 제 1 입자가 배출되는 상단을 갖는 원통형 통로, 및 원통형 통로의 하단에 연결된 상단과 상기 제 1 입자보다 큰 비중을 갖는 제 2 입자가 배출되는 개방된 하단을 갖는 원추형 통로를 갖는다. 선회류 출구부재는 원통형 통로의 상단에 삽입된다. 원통형 통로로부터 선회 상승하는 제 1 입자가 배출되는 제 1 배출 통로가 선회류 출구부재 내에 수직 방향을 따라 형성된다. 수직 방향을 따른 원통형 통로의 길이는 원통형 통로의 지름의 0.5 내지 2배이고, 수직 방향을 따른 원추형 통로의 길이는 원통형 통로의 지름의 5 내지 9배이다.
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公开(公告)号：KR1020060010539A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059274
申请日：2004-07-28
Applicant: (주)원익머트리얼즈 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , B01J19/24 , H01L21/6715 , H01L2924/01009
Abstract: 본 발명은 반도체 공정용 불소가스 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불소방 상부의 높이를 증가시켜 장치의 이상 발생시에도 전해액이 불소 배출관 또는 수소 배출관으로 유출되는 것을 방지하며, 전해액의 비말이 불소 배출관 또는 수소 배출관으로 유입되는 것을 방지하는 반도체 공정용 불소가스 제조장치에 관한 것이다.
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