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1.发明公开색변화 저감용 광학 필름의 제조방법, 색변화 저감용 광학필름이 적용된 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 审中-实审制造用于减少彩色移动的光学薄膜的方法，使用光学薄膜的有机发光显示器和制造有机发光显示器的方法
公开(公告)号：KR1020150059494A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143152
申请日：2013-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/5275 , B29C33/3885 , B29D11/00365 , B29D11/00788 , B29K2029/04 , B29K2905/00 , B29K2907/00
Abstract: 광학필름제조방법은다수의마이크로렌즈패턴에대응하는형상이음각된마스터를형성하는단계; 상기마스터를이용하여, 상기다수의마이크로렌즈패턴이형성된저굴절률패턴층을형성하는단계; 기판상의제1면에, 상기저굴절률패턴층의굴절률보다큰 굴절률을가지는고굴절률물질층을형성하고, 상기저굴절률패턴층을상기고굴절률물질층에임프린트하여고굴절률패턴층을형성하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 光学膜的制造方法包括： 形成其中刻有与多个微透镜图案相对应的形状的主体的步骤; 形成低折射率图案层的步骤，其中通过使用母版形成微透镜图案; 在所述基板的第一表面上形成折射率高于所述低折射率图案层的折射率的高折射率材料层的步骤，并且通过将所述低折射率图案层压印在所述高折射率图案层上而形成高折射率图案层 折射率材料层。 根据本发明，低折射率图案层用作压印用模具以形成高折射率图案层。 因此，不存在将压印用模具与高折射率图案层分离的剥离处理。 此外，可以形成具有较少缺陷的微透镜阵列图案。
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公开(公告)号：KR1020130123760A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120047126
申请日：2012-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B29C59/026 , G03F7/0002
Abstract: A template system and a nanoimprint method using the same are provided. The template system comprises: a substrate in which resin materials are sprayed; a template which has a nanopattern and transfers the nanopattern to the resin materials; a template chuck for supporting the template; and a pressure control device which controls the pressure of the template about the substrate according to the density of captured bubbles between the substrate and template. [Reference numerals] (140) Pressure control device;(150) Photographing device;(160) Air bubble calculation device
Abstract translation: 提供了使用其的模板系统和纳米压印方法。 模板系统包括：喷射树脂材料的基板; 具有纳米图案并将纳米图案转移到树脂材料的模板; 用于支持模板的模板卡盘; 以及压力控制装置，其根据基板和模板之间捕获的气泡的密度来控制模板围绕基板的压力。 （附图标记）（140）压力控制装置;（150）摄影装置;（160）气泡计算装置
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公开(公告)号：KR1020130085759A
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020120006803
申请日：2012-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B29C43/021 , B29C43/10 , B29C2043/025 , B29C2043/3233 , B29C2043/3238 , B29C2043/3615 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A stamp, a manufacturing method thereof, and an imprint method using the stamp are provided to rapidly spread resin by improving conformal contact property with a substrate and to precisely align an inner chamber by vertically manufacturing the inner chamber. CONSTITUTION: A stamp (10) comprises an inner chamber (30) and a transparent member (20). The transparent member has an access pipe (35) through which fluid can flow to the inner chamber. The transparent member is formed of a substrate which can form the inner chamber and the access pipe with laser.
Abstract translation: 目的：提供一种印模，其制造方法和使用该印模的印记方法，以通过改善与基板的共形接触性来快速扩展树脂，并通过垂直制造内腔来精确对准内室。 构成：印模（10）包括内室（30）和透明构件（20）。 透明构件具有入口管（35），流体可以通过该入口管流到内腔。 透明构件由可以用激光形成内室和进入管的基板形成。
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公开(公告)号：KR100498502B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020030036745
申请日：2003-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C29/38
Abstract: 기준 데이터를 스택시켜 레이턴시를 보상하는 반도체 메모리 장치 및 그 테스트 방법이 개시된다. 상기 반도체 메모리 장치는, 추가적인 신호 없이 두 신호간의 레이턴시를 검출해내고 기준 데이터를 스택시키는 방법으로 레이턴시를 보상하여 두 신호간의 에러를 테스트 할 수 있다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 테스트 시에 데이터 동기 신호와 출력 데이터를 동기시키기 위한 부가적인 회로가 불필요하여, 시스템을 단순화시킬 수 있고, 전력 소모를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020040107704A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030036745
申请日：2003-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C29/38
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device for compensating latency by stacking reference data and test method thereof are provided to simplify the system and to reduce power consumption by eliminating an additional circuit for synchronizing a data synchronizing signal with an output data through stacking reference data. CONSTITUTION: A semiconductor memory device for compensating latency by stacking reference data comprises a memory cell array part(210) for receiving and storing bit data of reference data(REFD) which make an N bit data pattern in write action, and for outputting the bit data of the stored reference data(REFD) in the memory cell; an output shift register(230) for updating and storing bit data of the output data(OUTD) by shifting it, and for outputting stored N bit data; a reference shift register(240) for storing bit data of reference data(REFD) by stacking or shifting it based on comparison result; a comparison part for comparing output N bit data from the reference shift register(240) corresponding to output N bit data from the output shift register(230), and for outputting comparison information(SSI) having the first logic state and the second logic state.
Abstract translation: 目的：提供一种用于通过堆叠参考数据及其测试方法来补偿等待时间的半导体存储器件，以通过消除用于通过堆叠参考数据将数据同步信号与输出数据同步的附加电路来简化系统并降低功耗。 构成：用于通过堆叠参考数据补偿等待时间的半导体存储器件包括存储单元阵列部分（210），用于接收和存储在写入动作中使N位数据模式成为写入动作的参考数据（REFD）的位数据，并用于输出该位 存储单元中存储的参考数据（REFD）的数据; 输出移位寄存器（230），用于通过移位来存储输出数据（OUTD）的位数据并存储存储的N位数据; 用于通过基于比较结果堆叠或移位参考数据（REFD）的位数据来存储参考移位寄存器（240） 比较部分，用于比较对应于来自输出移位寄存器（230）的输出N位数据的参考移位寄存器（240）的输出N位数据，并输出具有第一逻辑状态和第二逻辑状态的比较信息（SSI） 。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100855968B1
公开(公告)日：2008-09-02
申请号：KR1020070001691
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
CPC classification number: H04L7/0008 , H04L7/04
Abstract: 블록들 간에 연결되는 트라이 스테이트 양방향 버스의 전달지연을 검출하여 검출된 전달지연을 보상하는 방법 및 이를 이용하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 반도체 장치는, 복수개의 슬레이브 블록들, 상기 슬레이브 블록들을 제어하는 마스터 블록, 상기 마스터 블록과 상기 슬레이브 블록들 사이에 연결되고 상기 마스터 블록과 상기 슬레이브 블록들 사이에서 데이터를 전달하는 트라이 스테이트 양방향 버스, 및 상기 마스터 블록과 상기 슬레이브 블록들 사이에 연결되고 상기 마스터 블록으로부터 발생되는 제어신호들을 상기 슬레이브 블록들로 전달하는 단방향 버스를 구비한다. 특히 상기 마스터 블록은 선택된 슬레이브 블록이 할당된 심볼을 전송하는 시점으로부터 상기 할당된 심볼이 상기 마스터 블록에 도착하는 시점까지의 클럭 수를 카운트하여 상기 마스터 블록과 상기 선택된 슬레이브 블록 간의 전달지연시간(propagation delay time)을 검출하여 저장하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100799684B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020060089153
申请日：2006-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L25/4915 , H04L1/0061 , H04L25/14
Abstract: A communication system and a control method thereof are provided to decrease an SSN(Simultaneous Switching Noise) and an ISI(Inter Symbol Interference) noise by partially inverting data to be transmitted before transmission. A communication system includes a transmitter(2100) and a receiver(2200). The transmitter inverts first bits of first transmission data(DATA) based on an error signal, and serializes the first transmission data to generate second transmission data(DOUT0-DOUT3). The transmitter transmits the second transmission data to plural communication channels(CH1-CH4). The receiver inverts the first bits of first reception data(DIN0-DIN3) which is received from the communication channels based on an error signal, and inverts the received first bits. The receiver parallelizes the first reception data to generate second reception data(DI). The receiver generates the error signal based on the second reception data.
Abstract translation: 提供一种通信系统及其控制方法，通过部分地反转在传输之前传输的数据来减少SSN（同时切换噪声）和ISI（符号间干扰）噪声。 通信系统包括发射机（2100）和接收机（2200）。 发送器基于误差信号反转第一传输数据（DATA）的第一位，并串行化第一传输数据以产生第二传输数据（DOUT0-DOUT3）。 发射机将第二传输数据发送到多个通信信道（CH1-CH4）。 接收机根据误差信号反转从通信信道接收到的第一接收数据（DIN0-DIN3）的第一比特，并且反转所接收的第一比特。 接收机将第一接收数据并行化以产生第二接收数据（DI）。 接收机根据第二接收数据产生误差信号。
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公开(公告)号：KR1020160056776A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020150103875
申请日：2015-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 도전성영역(conductive region) 및비도전성영역(nonconductive region)을포함하며, 상기도전성영역은적어도하나의제1나노와이어를함유하며, 상기비도전성영역은부분적으로끊어진적어도하나의제2나노와어어를포함하는나노구조체, 그제조방법및 상기나노구조체를포함하는패널유닛을제시한다.
Abstract translation: 提供包括导电区域和非导电区域的纳米结构，其制造方法和包括纳米结构的面板单元。 导电区域包括至少一个第一纳米线，并且非导电区域包括部分断开的至少一个第二纳米线。
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公开(公告)号：KR1020140076357A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144806
申请日：2012-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B29C33/424 , B82Y10/00 , G03F7/0002
Abstract: Disclosed are a nanoimprint stamp having a high contrast alignment mark and a method for manufacturing the same. The disclosed nanoimprint stamp having a high contrast alignment mark comprises a transparent substrate having multiple convex parts, and a translucence film on the convex parts. The translucence film has a transmittance of approximately 20-80% for an ultraviolet ray.
Abstract translation: 公开了具有高对比度对准标记的纳米压印印模及其制造方法。 所公开的具有高对比度对准标记的纳米压印印模包括具有多个凸部的透明基板和凸部上的半透膜。 半透膜对于紫外线具有大约20-80％的透射率。
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