-
1.비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 그것의 블록 관리 방법, 프로그램 방법 및 소거 방법 有权
Title translation: 非易失性存储器件,包括其的存储器系统,其块管理方法,其编程方法和擦除方法公开(公告)号:KR101832934B1
公开(公告)日:2018-02-28
申请号:KR1020120008370
申请日:2012-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646 , H01L27/11582
Abstract: 본발명에따른기판위에수직방향으로신장된복수의블록들을갖는비휘발성메모리장치의프로그램방법은, i(2 이상의자연수)개의상태들을이용하여 m(자연수)-비트프로그램동작을수행하는단계; 및오버라이트동작의조건을만족할때, 상기 i개의상태들보다높게설정된적어도하나의엑스트라상태를이용하여 n(양의실수)-비트프로그램동작을수행하는단계를포함하고, 상기오버라이트동작은, 상기 m-비트프로그램동작에서프로그램된이전상태를상기적어도하나의엑스트라상태로프로그램하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的具有沿垂直方向在垂直方向上延伸的多个块的非易失性存储器件的编程方法包括:使用i(两个或更多个自然数)状态执行m(自然数)位编程操作; 并且当满足覆盖操作的条件时,使用至少一个比i状态设置更高的额外状态执行n(正实)位编程操作, 并且将在m位编程操作中编程的先前状态编程为至少一个额外状态。
-
公开(公告)号:KR1020150085375A
公开(公告)日:2015-07-23
申请号:KR1020140005184
申请日:2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1072 , G06F3/0619 , G06F3/0644 , G06F3/0679 , G06F2212/202 , G06F2212/403
Abstract: 메모리컨트롤러의동작방법이제공된다. 상기메모리컨트롤러의동작방법은호스트로부터제공받은오리지널데이터를복수의단위데이터로나누고, 상기복수의단위데이터중 적어도일부의순서를바꾸어, 타겟스테이트의개수를감소시킨다.
Abstract translation: 提供了一种用于操作存储器控制器的方法。 用于操作存储器控制器的方法将从主机接收的原始数据分成多个单元数据,改变单元数据的至少一部分的顺序,并减少目标状态的数量。
-
公开(公告)号:KR2019990023013U
公开(公告)日:1999-07-05
申请号:KR2019970035316
申请日:1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김종하
IPC: B21D37/00
Abstract: 본 고안은 프레스 금형 세척장치에 관한 것으로서, 푸셔(15)로 고정하면서 가압 실린더(11)로 금형(16)을 가압하여 소재(18)를 일정한 규격으로 타발하는 장치에 있어서: 상기 금형(16)의 타발후 잔류하는 이물질을 제거하도록 공압장치(23)로부터 제공되는 공기를 분출하는 에어 노즐(21)이 푸셔(15) 상에 설치되는 것을 특징으로 한다.
이에 따라 반도체 소자를 지니는 제품의 제조현장에서 금형을 이용한 프레스 작업중 소자에 이물질이 혼입되지 않도록 하여 불량을 방지하는 효과가 있다.-
-
-
-
-
-
公开(公告)号:KR1020160006327A
公开(公告)日:2016-01-19
申请号:KR1020140085334
申请日:2014-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C16/102
Abstract: 본발명은스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 복수의메모리셀들에기입될쓰기데이터를수신하는단계, 쓰기데이터가최하위비트데이터인지판별하는단계, 그리고판별의결과에따라쓰기데이터를인코딩하는단계로구성된다. 쓰기데이터가최하위비트데이터이면, 쓰기데이터는상기쓰기데이터에따라인코딩된다. 상기쓰기데이터가최하위비트데이터가아니면, 쓰기데이터의하위데이터의인코딩데이터및 쓰기데이터에따라쓰기데이터가인코딩된다.
Abstract translation: 本发明涉及存储装置的操作方法。 操作方法包括接收要写入存储单元的写入数据的步骤,确定写入数据是否为最低诱饵数据的步骤,以及根据确定结果对写入数据进行编码的步骤。 当写入数据是最低写入数据时,写入数据根据写入数据进行编码。 当写入数据不是最低写入数据时,写入数据根据写入数据和写入数据的低数据的编码数据进行编码。
-
公开(公告)号:KR1020150093006A
公开(公告)日:2015-08-17
申请号:KR1020140013742
申请日:2014-02-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0656 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/00 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법은 외부 장치로부터 복수의 서브 페이지 데이터 및 쓰기 커맨드를 수신하는 단계; 수신된 복수의 서브 페이지 데이터 중 적어도 하나의 서브 페이지 데이터를 메인 영역에 포함된 메모리 셀들에 선 메인 프로그램하는 단계; 복수의 서브 페이지 데이터 중 나머지 서브 페이지 데이터를 버퍼 영역에 포함된 메모리 셀들에 버퍼 프로그램하는 단계; 및 버퍼 영역에 버퍼 프로그램된 데이터를 선 메인 프로그램된 메모리 셀들에 재 메인 프로그램하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例,非易失性存储器件的操作方法包括以下步骤:从外部设备接收多个子页面数据和写入命令; 首先对包含在主区域中的存储器单元上的接收到的子页数据中的至少一个进行主编程; 对缓冲区中包含的存储单元中的其余子页数据进行缓冲编程; 其次,在首先编程的存储单元中,缓冲区中缓冲编程的数据进行主编程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-