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公开(公告)号：KR1020140030517A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020120096267
申请日：2012-08-31
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0659 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7204
Abstract: A method for operating a memory controller, which controls the operation of a nonvolatile memory device comprising a memory area including multi level cells (MLCs), comprises the steps of: receiving an address of the memory area which is to be accessed and data which is to be programmed in the memory area; analyzing access history information for the memory area based on the address; generating a first mapping data corresponding to the data based on the analysis result, or generating a second mapping data based on the data and previous mapping data previously programmed in the MLCs; and transmitting a program command including one of the first and the second mapping data to the nonvolatile memory device. [Reference numerals] (S320) Program a first mapping data corresponding to a first data to MLCs; (S340) Read the first mapping data stored in the MLCs; (S350) Transmit a second mapping data selected on the basis of a second data and the first mapping data; (S360) Overwrite the second mapping data on the first mapping data
Abstract translation: 一种用于操作控制包括包括多电平单元（MLC）的存储器区域的非易失性存储器件的操作的存储器控制器的方法，包括以下步骤：接收要访问的存储器区域的地址和 被编程在存储器区域中; 基于地址分析存储区域的访问历史信息; 基于分析结果产生对应于数据的第一映射数据，或者基于先前在MLC中编程的数据和先前映射数据生成第二映射数据; 以及将包括第一和第二映射数据中的一个的程序命令发送到非易失性存储器件。 （参考编号）（S320）将与第一数据相对应的第一映射数据编程到MLC; （S340）读取存储在MLC中的第一映射数据; （S350）发送基于第二数据和第一映射数据选择的第二映射数据; （S360）覆盖第一映射数据上的第二映射数据
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公开(公告)号：KR1020160121905A
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：KR1020150051751
申请日：2015-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0679 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2029/0411
Abstract: 비휘발성메모리컨트롤러의동작방법이제공된다. 비휘발성메모리컨트롤러의동작방법은호스트로부터제공받은데이터를제1 단위데이터및 제2 단위데이터로나누고, 상기제1 단위데이터를 n개의비트(단, n은 1 이상의정수)를포함하는제1 코드워드(codeword)로인코딩하고, 상기제2 단위데이터를, 상기제1 코드워드의 n개의비트중 그값이 0인비트에대응되는 n-w개의비트(단, w는 n보다작은 1 이상의정수)를포함하는제2 코드워드로인코딩하고, 미리결정된비트맵을이용하여상기제1 코드워드및 상기제2 코드워드에대해비트-상태매핑(bit-to-state mapping)을수행하고, 상기제1 코드워드및 상기제2 코드워드를비휘발성메모리의제1 페이지및 제2 페이지에각각프로그램하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了用于操作非易失性存储器控制器的方法。 用于操作非易失性存储器控制器的方法包括将从主机提供的数据划分为第一单元数据和第二单元数据，将第一单元数据编码为包括n个位数的第一码字（n是等于或大于1的整数） ），将第二单位数据编码为第二码字，其包括与第一码字的n个比特中的具有值0的比特相对应的nw个比特数（w是小于n且等于或大于1的整数） 使用预定位图对所述第一码字和所述第二码字执行比特到状态映射，以及将所述第一码字和所述第二码字分别编程到非易失性存储器的第一页和第二页。
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公开(公告)号：KR1020170067205A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020150173273
申请日：2015-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/14 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0466 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5648
Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의불휘발성메모리장치는, 읽기시에선택된워드라인에읽기전압을인가하도록구성되는행 디코더회로, 그리고비트라인들을통해메모리셀 어레이에연결되는페이지버퍼회로를포함한다. 페이지버퍼회로는읽기전압이인가된때에, 각페이지버퍼에저장되는 N-개의비트들중에서읽기전압과연관된비트가대응하는비트라인의전압에따라갱신된다. 읽기시에인접한레벨들을갖는 N-개의읽기전압들이선택된워드라인에인가되는동안각 페이지버퍼에서대응하는비트라인의전압에따라 N-개의비트들이각각한 번씩판별된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器件。 本发明的非易失性存储器件包括行解码器电路和页缓冲器电路，所述行解码器电路被配置为在读取时将读取电压施加到选择的字线，并且页缓冲器电路通过位线耦合到存储器单元阵列。 当施加读取电压时，页面缓冲器电路根据对应位线的电压来更新存储在每个页面缓冲器中的N位中的与读取电压相关联的位。 根据每个页面缓冲器中相应位线的电压确定N位，而读取时具有相邻电平的N读取电压被施加到所选字线。
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公开(公告)号：KR102247087B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020140085334
申请日：2014-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 복수의메모리셀들에기입될쓰기데이터를수신하는단계, 쓰기데이터가최하위비트데이터인지판별하는단계, 그리고판별의결과에따라쓰기데이터를인코딩하는단계로구성된다. 쓰기데이터가최하위비트데이터이면, 쓰기데이터는상기쓰기데이터에따라인코딩된다. 상기쓰기데이터가최하위비트데이터가아니면, 쓰기데이터의하위데이터의인코딩데이터및 쓰기데이터에따라쓰기데이터가인코딩된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150024141A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020130101223
申请日：2013-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5621 , G06F12/0246 , G06F2212/72
Abstract: 비휘발성 메모리 장치의 신뢰도를 향상시키기 위한 스테이트 셰이핑 동작을 수행하는 스테이트 셰이핑 엔진을 포함하는 메모리 컨트롤러가 제공된다. 메모리 컨트롤러는 MLC 비휘발성 메모리 장치로 프로그램될 데이터의 변경 구간 정보를 제공하는 스테이트 셰이핑 맵핑 정보를 구동하는 램, 그리고, 스테이트 세이핑 맵핑 정보에 따라서, MLC 비휘발성 메모리 장치로 제공될 오리지널 데이터의 프로그램 스테이트를 바꾸는 스테이트 셰이핑 인코더를 포함한다. 스테이트 셰이핑 인코더는 프로그램될 데이터의 최상위 프로그램 스테이트에 해당하는 데이터의 개수를 감소시킨다. 그리고 스테이트 셰이핑 맵핑 정보는 데이터를 변경할 MLC 비휘발성 메모리 장치의 로직컬 페이지 구간을 포함한다.
Abstract translation: 提供了一种存储器控制器，其包括状态整形引擎，其执行用于提高非易失性存储器件的可靠性的状态整形操作。 存储器控制器包括：RAM，被配置为提供向MLC非易失性存储器件提供要编程的数据的改变部分信息的状态整形映射信息; 以及状态整形编码器，被配置为基于状态整形映射信息来改变要提供给MLC非易失性存储器件的原始数据的编程状态。 状态整形编码器减少与要编程的数据的顶部编程状态相对应的数据的数量，并且状态整形映射信息包括MLC非易失性存储器件的逻辑页面部分以改变数据。
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公开(公告)号：KR102242565B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020170071733
申请日：2017-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메모리컨트롤러의동작방법이개시된다. 본개시의실시예에따른메모리컨트롤러의동작방법은, 소거상태의복수의메모리셀들에대한소거상태정보를기초로상기복수의메모리셀들을복수의그룹들로구분하는단계; 상기복수의그룹들중 제1 그룹에포함된메모리셀들중 적어도일부의메모리셀에대해하나이상의타겟-프로그램상태를설정하는단계; 및상기하나이상의타겟-프로그램상태가설정된상기적어도일부의메모리셀에대해, 복수의프로그램상태중 상기타겟-프로그램상태를제외한프로그램상태로프로그램하는단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160111594A
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020150036173
申请日：2015-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1048 , G11C7/1006 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/42 , G11C29/52 , H03M13/2707 , H03M13/271 , H03M13/2789 , H03M13/2909 , H03M13/6508 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3436 , G11C2207/00
Abstract: 본발명은불휘발성메모리및 상기불휘발성메모리를제어하는메모리컨트롤러를포함하는스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 메모리컨트롤러가외부장치로부터읽기요청을수신하는단계, 불휘발성메모리의하나의페이지의데이터중에서읽기요청이가리키는목표데이터에따라메모리컨트롤러가읽기스킴을조절하는단계, 그리고조절된읽기스킴에따라메모리컨트롤러가목표데이터를불휘발성메모리로부터읽는단계로구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制非易失性存储器的存储器控制器的存储装置的操作方法。 本发明的操作方法包括以下步骤：存储器控制器从外部设备接收读取请求; 在非易失性存储器的一页的数据中，存储器控制器根据读取请求指示的目标数据控制读取方案; 并且存储器控制器根据受控读取方案从非易失性存储器读取目标数据。
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公开(公告)号：KR1020160006327A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140085334
申请日：2014-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C16/102
Abstract: 본발명은스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 복수의메모리셀들에기입될쓰기데이터를수신하는단계, 쓰기데이터가최하위비트데이터인지판별하는단계, 그리고판별의결과에따라쓰기데이터를인코딩하는단계로구성된다. 쓰기데이터가최하위비트데이터이면, 쓰기데이터는상기쓰기데이터에따라인코딩된다. 상기쓰기데이터가최하위비트데이터가아니면, 쓰기데이터의하위데이터의인코딩데이터및 쓰기데이터에따라쓰기데이터가인코딩된다.
Abstract translation: 本发明涉及存储装置的操作方法。 操作方法包括接收要写入存储单元的写入数据的步骤，确定写入数据是否为最低诱饵数据的步骤，以及根据确定结果对写入数据进行编码的步骤。 当写入数据是最低写入数据时，写入数据根据写入数据进行编码。 当写入数据不是最低写入数据时，写入数据根据写入数据和写入数据的低数据的编码数据进行编码。
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