公开(公告)号：KR20210026825A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190108142A

申请日：2019-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정한 ,  김창희 ,  김기환 ,  박수현 ,  최재홍

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/0847 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/12 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051

Abstract: 반도체 소자는 기판의 상면으로부터 돌출되는 활성 영역, 활성 영역과 교차하는 적어도 두 개의 게이트 전극들, 및 상기 게이트 전극들 사이의 상기 활성 영역 내의 소스/드레인 영역을 포함한다. 상기 소스/드레인 영역은 리세스 영역, 상기 리세스 영역의 내벽 상에 형성된 외부 도핑층, 상기 외부 도핑층 상에 형성된 중간 도핑층 및 상기 리세스 영역을 채우도록 상기 중간 도핑층 상에 형성된 내부 도핑층을 포함한다. 상기 외부 도핑층 또는 상기 중간 도핑층 중 어느 하나는 안티몬(Sb)을 포함하고, 상기 내부 도핑층은 인(P)을 포함한다.