公开(公告)号：KR20210026825A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190108142A

申请日：2019-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정한 ,  김창희 ,  김기환 ,  박수현 ,  최재홍

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/0847 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/12 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051

Abstract: 반도체 소자는 기판의 상면으로부터 돌출되는 활성 영역, 활성 영역과 교차하는 적어도 두 개의 게이트 전극들, 및 상기 게이트 전극들 사이의 상기 활성 영역 내의 소스/드레인 영역을 포함한다. 상기 소스/드레인 영역은 리세스 영역, 상기 리세스 영역의 내벽 상에 형성된 외부 도핑층, 상기 외부 도핑층 상에 형성된 중간 도핑층 및 상기 리세스 영역을 채우도록 상기 중간 도핑층 상에 형성된 내부 도핑층을 포함한다. 상기 외부 도핑층 또는 상기 중간 도핑층 중 어느 하나는 안티몬(Sb)을 포함하고, 상기 내부 도핑층은 인(P)을 포함한다.

公开(公告)号：WO2018105955A3

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/KR2017/013993

申请日：2017-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용진 ,  김기환 ,  김종윤 ,  여문기 ,  이대규 ,  이성연 ,  윤용상

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/01 ,  G06F3/0485

Abstract: 본 발명은 전자 장치에서 입력 차원을 제어하기 위한 것으로, 전자 장치의 동작 방법은 상기 전자 장치 및 지면 간 거리를 측정하는 동작과, 상기 거리가 임계값보다 작은 경우, 다른 전자 장치에게 상기 전자 장치의 위치를 나타내는 2차원 좌표에 대한 제1 정보를 송신하는 동작과, 상기 거리가 상기 임계값보다 작지 않은 경우, 상기 다른 전자 장치에게 상기 전자 장치의 상기 위치를 나타내는 3차원 좌표에 대한 제2 정보를 송신하는 동작을 포함한다.

公开(公告)号：WO2018105955A2

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：PCT/KR2017/013993

申请日：2017-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용진 ,  김기환 ,  김종윤 ,  여문기 ,  이대규 ,  이성연 ,  윤용상

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/01 ,  G06F3/0485

Abstract: 본 발명은 전자 장치에서 입력 차원을 제어하기 위한 것으로, 전자 장치의 동작 방법은 상기 전자 장치 및 지면 간 거리를 측정하는 동작과, 상기 거리가 임계값보다 작은 경우, 다른 전자 장치에게 상기 전자 장치의 위치를 나타내는 2차원 좌표에 대한 제1 정보를 송신하는 동작과, 상기 거리가 상기 임계값보다 작지 않은 경우, 상기 다른 전자 장치에게 상기 전자 장치의 상기 위치를 나타내는 3차원 좌표에 대한 제2 정보를 송신하는 동작을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020150071794A

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020130158481

申请日：2013-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양승철 ,  김당원 ,  김학재 ,  김기환

IPC: H05B6/64

CPC classification number: H01J23/10 ,  H01J23/005 ,  H01J23/11 ,  H01J23/20 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587 ,  H05B6/66

Abstract: 본발명은요크; 요크내에배치되고작용공간이형성된양극실린더와, 작용공간의축을중심으로방사상으로배열된복수의베인과, 양극실린더의양 측에각각설치된제1폴피스및 제2폴피스를가지는양극부; 작용공간에배치되되복수의베인과이격배치되는필라멘트를가지는음극부; 복수의베인중 어느하나의베인에연결되고양극부와음극부에서발생되는고주파를요크의외부로전송시키는안테나리드를가지는출력부를포함하고, 양극부의제1 폴피스는, 제1평탄부와, 상기제1평탄부의내측에형성된경사부와, 경사부의내측에형성되고지름이약 9.5 내지약 10.5mm 인제2평탄부와, 제2평탄부에형성되되작용공간과대응하는위치에형성되고지름이약 8 내지약 8.2mm인제1홀과, 경사부에형성되고안테나리드가관통되는제2홀을포함한다. 본발명은보다높고안정된고효율화를실현함과동시에, 부하변동시의발진효율변화를억제할수 있으며, 에너지를절약할수 있다. 또한, 마그네트론의중요특성인, 발진효율을열화시키지않고, 부하안정도(MoB)를개선할수 있다.

Abstract translation: 本发明包括：轭; 阴极单元，具有布置在轭中并具有反应空间的阴极筒，沿径向布置在反应空间的轴周围的多个叶片，以及分别安装在阴极筒两侧的第一和第二极片; 阳极单元，其布置在反应空间中并且具有与叶片间隔开的细丝; 以及输出单元，其连接到一个叶片并具有将阴极单元和阳极单元中产生的高频波传输到轭的外部的天线引线。 阴极单元的第一极片包括：第一平坦单元; 形成在所述第一平面单元的内侧的倾斜单元，形成在所述倾斜单元的内侧并具有9.5-10.5mm的直径的第二平坦单元; 第一孔，形成在第二平坦单元上，以对应于反应空间，直径为8-8.2mm; 以及形成在斜坡单元上并使天线引线通过的第二孔。 本发明可以提高可靠性和效率，抑制负载变化的情况下的加速效率的变化，并且节省能量。 本发明还可以防止作为磁控管的关键特征的加速效率的劣化，并提高负载稳定性（MoB）。

公开(公告)号：KR1020100078808A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080137169

申请日：2008-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기환 ,  강보수 ,  김창정 ,  이명재 ,  안승언 ,  이창범

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: PURPOSE: A resistivity memory device is provided to improve the reliability of the device by preventing the deterioration of a switching device and an error in reducing information. CONSTITUTION: At least more than one first electrode(E1) is formed on a substrate(SUB1). At least one second electrode(E2) is separated from the first electrode. A first lamination structure(S1) is interposed between the first and the second electrode. The first lamination structure comprises a first interlayer electrode(M1) having a barrier layer(b1). The barrier layer comprises at least one of a conductive metal nitride and a conductive metal oxide.

Abstract translation: 目的：提供电阻率记忆装置，通过防止开关装置的劣化和减少信息的误差来提高装置的可靠性。 构成：在衬底（SUB1）上形成至少多于一个第一电极（E1）。 至少一个第二电极（E2）与第一电极分离。 第一层压结构（S1）插在第一和第二电极之间。 第一层压结构包括具有阻挡层（b1）的第一层间电极（M1）。 阻挡层包括导电金属氮化物和导电金属氧化物中的至少一种。

公开(公告)号：KR1020100043941A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020080103206

申请日：2008-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창범 ,  겐리치스테파노비치 ,  김창정 ,  안승언 ,  김기환

IPC: H01L21/8247

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a resistive random access memory array is provided to obtain a stable operational property by forming the resistive random access memory array including a memory resistor and a selection transistor at a room temperature and subsequently performing a thermal treatment process. CONSTITUTION: A plurality of word lines(11) is formed to a first direction. A memory resistor(12) and a switch structure(14) are formed on the word lines. A plurality of bit lines(15), which is formed to a second direction, is formed on the switch structure. A resistive random access memory array and a selection transistor(20), which is connected to the resistive random access memory array, are formed. A thermal treatment process is performed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电阻随机存取存储器阵列的方法，以通过在室温下形成包括存储电阻器和选择晶体管的电阻随机存取存储器阵列，随后执行热处理工艺，以获得稳定的工作特性。 构成：多个字线（11）形成为第一方向。 在字线上形成记忆电阻（12）和开关结构（14）。 形成在第二方向上的多个位线（15）形成在开关结构上。 形成电阻随机存取存储器阵列和连接到电阻随机存取存储器阵列的选择晶体管（20）。 进行热处理工艺。

公开(公告)号：KR1020090103113A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020080028496

申请日：2008-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이명재 ,  박영수 ,  이창범 ,  안승언 ,  김기환 ,  강보수

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and manufacturing method is provided to increase the degree of integration of the memory device. CONSTITUTION: The semiconductor device includes the memory array(100), and the peripheral circuit(200). The memory array is formed in the first substrate(S1). The peripheral circuit is formed in the second substrate(S2). The first and the second substrate are mutually attached to the memory array and peripheral circuit to be electrically connected. One of the first and the second substrate is the glass substrates, the intensification(hard) plastic substrate, the flexible plastic substrate, the Si substrate, and the GaAs substrate and SiN substrate.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件和制造方法以增加存储器件的集成度。 构成：半导体器件包括存储器阵列（100）和外围电路（200）。 存储器阵列形成在第一衬底（S1）中。 外围电路形成在第二基板（S2）中。 第一和第二基板相互连接到存储器阵列和外围电路以电连接。 第一和第二基板之一是玻璃基板，强化（硬）塑料基板，柔性塑料基板，Si基板以及GaAs基板和SiN基板。

公开(公告)号：KR1020000044443A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980060941

申请日：1998-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기환

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H04M1/72522 ,  H04M1/271 ,  H04M2201/40

Abstract: PURPOSE: A method for storing a telephone number by a voice recognition is provided to store the telephone number, by use of the voice recognition by detecting a telephone number called in the cellular telephone recognizing voice. CONSTITUTION: A method for storing a telephone number by a voice recognition in a cellular telephone, which recognizes voice, comprises the steps of: checking whether a call is exited; outputting a message, asking to store the called telephone number and a telephone number through a voice recognition, to a displayer, when the call is exited; being inputted the voice involved in the telephone number, when a data, which asks to store the telephone number through the voice recognition, is inputted; being inputted a name involved in the voice; and storing the telephone number, the voice, and the name by linking with each other.

Abstract translation: 目的：提供通过语音识别来存储电话号码的方法，以通过检测在蜂窝电话识别语音中呼叫的电话号码，通过使用语音识别来存储电话号码。 构成：通过识别语音的蜂窝电话中的语音识别来存储电话号码的方法，包括以下步骤：检查呼叫是否退出; 当呼叫退出时，输出消息，要求将被叫电话号码和电话号码通过语音识别存储到显示器; 当输入要通过语音识别存储电话号码的数据时，输入涉及电话号码的语音; 输入声音中的名称; 并且通过彼此链接来存储电话号码，语音和名称。

公开(公告)号：KR100239176B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970036255

申请日：1997-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기환

IPC: H04M1/26

CPC classification number: H04M1/274575 ,  H04M1/2725 ,  H04M1/72519

Abstract: 이전에 통화를 시도한 전화번호를 기억할 수 있는 무선통신단말기의 통화 재시도 자동제어장치에 있어서, 통화 재시도 시간 및 간격을 저장하는 메모리와, 통화 연결 실패 여부를 판단하는 수단과, 통화 연결 실패를 판단한 경우 상기 메모리로부터 통화 재시도 시간 및 간격을 읽고, 해당하는 시간동안 해당하는 간격으로 통화가 이루어질 때까지 통화 재시도를 행하는 수단으로 구성됨을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990085905A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980018599

申请日：1998-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기환

IPC: H04Q11/04

Abstract: 통화 시도 반복횟수와 통화 시도 주기시간을 저장하고 있는 메모리를 가지는 이동통신단말기와 상기 이동통신단말기와 무선링크를 통해 연결되는 무선기지국과 상기 무선기지국을 통해 상기 이동통신단말기와 연결되는 이동교환국으로 이루어지는 무선통신시스템에서 통화량 폭증시 우선적인 채널할당에 의한 통화 형성방법 있어서, 상기 이동통신단말기가 발신을 시도하면 다이얼링 번호를 송신하고, 이에 응답하여 수신된 소정의 신호가 채널부족 상태 알림 메시지이면 소정의 키 입력에 의해 상기 메모리에 저장되어 있는 통화 시도 반복횟수와 통화 시도 주기시간을 독출하여 통화 우선권정보를 생성하며, 상기 통화우선권 정보를 상기 무선기지국을 통해 이동교환국으로 전송한 다음, 통화로가 형성되는지를 검사하여 통화로가 형성되면 통화� � 개시하는 제 1과정과, 상기 이동교환국이 상기 무선기지국을 통해 다이얼링 번호가 수신되면 채널 및 해당 통화로의 상태를 검사여 채널이 부족하면 채널부족 상태 알림 메시지를 상기 무선기지국을 통해 상기 이동통신단말기로 송신하고, 이에 응답하여 상기 통화우선권 정보가 수신되면 우선적으로 채널을 할당하여 통화로를 형성하는 제 2과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.