公开(公告)号：KR3007643060000S

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：KR3020130045133

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김현수 ,  박형근 ,  김효경 ,  샤피 ,  오창현 ,  유미선 ,  은일영 ,  차연진

公开(公告)号：KR3007554040000S

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：KR3020130049766

申请日：2013-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김현수 ,  김효경 ,  박형근 ,  샤피 ,  오창현 ,  유미선 ,  윤태구 ,  은일영 ,  이영민 ,  차연진

公开(公告)号：KR3007506860000S

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR3020130045136

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김현수 ,  박형근 ,  김효경 ,  샤피 ,  오창현 ,  유미선 ,  은일영 ,  차연진

公开(公告)号：KR3007431250000S

公开(公告)日：2014-05-19

申请号：KR3020130045134

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김현수 ,  박형근 ,  김효경 ,  샤피 ,  오창현 ,  유미선 ,  은일영 ,  차연진

公开(公告)号：KR3007431240000S

公开(公告)日：2014-05-19

申请号：KR3020130045135

申请日：2013-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김현수 ,  박형근 ,  김효경 ,  샤피 ,  오창현 ,  유미선 ,  은일영 ,  차연진

公开(公告)号：KR1020160048553A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：KR1020140145459

申请日：2014-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  유원석 ,  김효경 ,  박창엽 ,  이공수 ,  이욱열 ,  임한진

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L27/10885

Abstract: 반도체소자형성방법은반도체설비의내로반도체기판을로딩하는것을포함한다. 베이스소스물질을이용하는베이스증착공정을진행하여, 상기로딩된반도체기판상에베이스층을형성한다. 상기베이스소스물질과다른실리콘소스물질을이용하는제1 실리콘증착공정을진행하여, 상기베이스층 상에상기베이스층보다두꺼운제1 실리콘층을형성한다. 제1 질화공정을진행하여, 상기제1 실리콘층을질화시키어제1 질화된실리콘층을형성한다. 상기제1 질화된실리콘층을갖는반도체기판을상기반도체설비로부터언로딩한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：将半导体衬底加载到半导体设备中; 通过使用基础源材料进行基底沉积工艺在所加载的半导体衬底上形成基底层; 通过使用不同于所述基底源材料的硅源材料进行第一硅沉积工艺，在所述基底层上形成比所述基底层更厚的第一硅层; 硝化第一硅层以通过进行第一硝化过程形成第一硝化硅层; 以及从所述半导体设备中用所述第一硝化硅卸载所述半导体衬底。