Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 증착 시스템은, 반응 챔버, 반응 챔버에 기체 상태의 전구체를 공급하는 가스 공급부, 반응 챔버에 전구체와 반응하는 반응물을 공급하는 반응물 공급부, 및 반응 챔버에서 나온 배기물을 배출하는 배기부를 포함하고, 가스 공급부는 순차적으로 연결되는 서브 탱크, 액체 유량 컨트롤러, 및 기화기를 포함하고, 전구체는 자동 충진 시스템에 의해 가스 공급부의 서브 탱크에 액체 상태로 충진되고, 서브 탱크, 액체 유량 컨트롤러, 및 기화기를 순차적으로 경유하여 반응 챔버로 공급되며, 배기부는 플라즈마 전처리 시스템이 적용되는 처리 공정 챔버, 펌프, 및 스크러버를 포함함으로써, 캐니스터의 교체 없이 안정적으로 전구체를 공급할 수 있고, 펌프의 수명을 향상시키며, 스크러버의 효율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 시스템을 이용하여 대량 생산 관점에서 설비의 유지 관리의 용이성을 개선할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device forming method and a semiconductor device thereof are provided to implement the semiconductor device having the excellent electrical property by maximizing the manufacturing rate by simplifying the process. CONSTITUTION: A conductive pattern contains the silicon in a substrate. A plurality of contact holes is formed along the surface of the word line(55) with the regular interval. The word line is made of the single crystal silicon film, the polysilicon layer, or the metal layer. The semiconductor film fills the contact hole.
Abstract:
PURPOSE: A method of manufacturing a phase-change memory device is provided to improve thermal stability of a phase change memory device by separating a programming region contacting a first electrode from the programming region of the phase change memory. CONSTITUTION: A lower interlayer dielectric layer is formed on a substrate(100). A first electrode(205) buried into the lower interlayer dielectric layer is formed. A mold layer has a trench which is expanded along a first direction while exposing the first electrode on the lower interlayer dielectric layer. A phase change material layer is formed on a mold layer while filling the trench. A second electrode(240) on the phase change material layer and is expanded in second direction. The phase change material layer is formed by removing a mold film and the phase change material layer which is exposed to the second electrode.
Abstract:
A phase change memory device and a method for forming thereof are provided to reduce the contact area between a phase change material layer and a conductor connected to the phase change material layer in order to operate the phase change memory device at a low temperature. A phase change memory device comprises an insulating layer which is positioned on a substrate and has an opening; a phase change material layer(140) filling the opening. The phase change material layer includes a first part adjacent to the lateral and the bottom part of the opening; a second part which fills the opening and has different characteristic from the first part. The phase change material layer is formed through at least two deposition processes which are performed under the different situation.
Abstract:
상변화 물질층, 상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 헬륨/아르곤 플라즈마가 형성된 반응 챔버 내에 제1 물질을 포함하는 제1 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 물질막을 형성한 후, 반응 챔버 내에 제2 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 및 제2 물질을 포함하는 제1 복합 물질막을 형성한다. 반응 챔버 내에 제3 물질을 포함하는 제3 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 물질막을 형성한 다음, 반응 챔버 내에 제4 물질을 포함하는 제4 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 및 제4 물질을 포함하는 제2 복합 물질막을 형성한다. 헬륨/아르곤 플라즈마가 형성된 분위기하에서 적절한 공급 시간으로 소스 가스들을 제공하여 탄소를 포함하는 상변화 물질층을 형성할 수 있다. 즉, 별도의 불순물 주입공정을 수행하지 않고 소정의 저항값을 갖는 상변화 물질층을 형성할 수 있다.
Abstract:
A phase changeable material layer, a method for forming the phase changeable material layer, and a method for manufacturing a phase changeable memory device are provided to improve a phase changing property of the phase changeable material layer by increasing a density of the phase changeable material layer. A plasma containing hydrogen plasma is formed in a reaction chamber where an object is loaded(S10). A first source gas containing a first material is supplied to the reaction chamber(S20), such that a first material film is formed on the object(S30). A second source gas containing a second material is supplied to the reaction chamber(S40), such that a first composite material film containing the first and second materials is formed on the object(S50). A third source gas containing a third material is supplied to the reaction chamber(S60), such that a third material film is formed on the first composite material film(S70). A fourth source gas containing a fourth material is supplied to the reaction chamber(S80), such that a second composite material film containing the third and fourth materials is formed on the object(S90).
Abstract:
A method for forming a phase change material layer, a phase change memory unit using the same and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to control easily a compositional rate of the phase change material layer and to form quickly the phase change material layer in a low temperature by using a variety of source gases. A first material layer is formed on an object body by supplying a first source gas containing a first material into a reaction chamber(S20). A first composite material layer containing the first material and a second material is formed on the object body by supplying a second source gas containing the second material into the reaction chamber(S40). A third material layer is formed on the first composite material layer by supplying a third source gas containing a third material into the reaction chamber(S60). A second composite material layer containing the third material and a fourth material is formed on the first composite material layer by supplying a fourth source gas containing the fourth material into the reaction chamber(S80).
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a TiN thin film, a nonvolatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the thickness of a thin film by changing a cycle number of a Tin thin film forming process. CONSTITUTION: An insulation film pattern(120) including an opening unit(125) is formed on a substrate. A switching device is formed in the opening. A bottom electrode(147') comprising a TiN thin film is formed on the switching device. A variable resistive material pattern(150') is formed on the bottom electrode. A phase change material pattern(162) and a top electrode contact(164) are formed on the bottom electrode.
Abstract:
상변화 물질층 형성 방법, 이를 이용한 상변화 메모리 유닛 및 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 반응 챔버 내에 제1 물질을 포함하는 제1 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 물질막을 형성한 후, 반응 챔버 내에 제2 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 및 제2 물질을 포함하는 제1 복합 물질막을 형성한다. 반응 챔버 내에 제3 물질을 포함하는 제3 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 물질막을 형성한 다음, 반응 챔버 내에 제4 물질을 포함하는 제4 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 및 제4 물질을 포함하는 제2 복합 물질막을 형성한다. 수소/아르곤 플라즈마를 형성한 상태에서 적절한 공급 시간으로 소스 가스들을 제공하여 상변화 물질층을 형성하기 때문에, 상변화 물질층의 구성 성분들의 조성비를 용이하게 조절할 수 있으며 저온에서 빠른 속도로 상변화 물질층을 형성할 수 있다.
Abstract:
제1 도전체와 제2 도전체 사이에 제공된 가변 저항체를 포함하는 메모리 소자. 상기 가변 저항체와 상기 제1 도전체는 절연막에 한정된 개구부 내에 제공된다. 상기 제1 도전체에 인접한 가변 저항체 부분과 상기 가변 저항체에 인접한 제1 도전체 부분은 실질적으로 동일한 형태를 가지며 그 두께는 상기 개구부의 폭보다 작다. 상변화 물질, 상변화 메모리