公开(公告)号：WO2022025588A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：PCT/KR2021/009700

申请日：2021-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김수환 ,  김현준 ,  박영림 ,  백동관 ,  정형석

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 증착 시스템은, 반응 챔버, 반응 챔버에 기체 상태의 전구체를 공급하는 가스 공급부, 반응 챔버에 전구체와 반응하는 반응물을 공급하는 반응물 공급부, 및 반응 챔버에서 나온 배기물을 배출하는 배기부를 포함하고, 가스 공급부는 순차적으로 연결되는 서브 탱크, 액체 유량 컨트롤러, 및 기화기를 포함하고, 전구체는 자동 충진 시스템에 의해 가스 공급부의 서브 탱크에 액체 상태로 충진되고, 서브 탱크, 액체 유량 컨트롤러, 및 기화기를 순차적으로 경유하여 반응 챔버로 공급되며, 배기부는 플라즈마 전처리 시스템이 적용되는 처리 공정 챔버, 펌프, 및 스크러버를 포함함으로써, 캐니스터의 교체 없이 안정적으로 전구체를 공급할 수 있고, 펌프의 수명을 향상시키며, 스크러버의 효율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 시스템을 이용하여 대량 생산 관점에서 설비의 유지 관리의 용이성을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110009545A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020090066990

申请日：2009-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  박영림 ,  박순오 ,  안동호 ,  이진일

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/324 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L21/28052

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device forming method and a semiconductor device thereof are provided to implement the semiconductor device having the excellent electrical property by maximizing the manufacturing rate by simplifying the process. CONSTITUTION: A conductive pattern contains the silicon in a substrate. A plurality of contact holes is formed along the surface of the word line(55) with the regular interval. The word line is made of the single crystal silicon film, the polysilicon layer, or the metal layer. The semiconductor film fills the contact hole.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件形成方法及其半导体器件，以通过简化处理来实现使制造速度最大化的具有优异电性能的半导体器件。 构成：导电图案包含衬底中的硅。 沿着字线（55）的表面以规则间隔形成多个接触孔。 字线由单晶硅膜，多晶硅层或金属层制成。 半导体膜填充接触孔。

公开(公告)号：KR1020100000927A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080060610

申请日：2008-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  박정희 ,  신희주 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a phase-change memory device is provided to improve thermal stability of a phase change memory device by separating a programming region contacting a first electrode from the programming region of the phase change memory. CONSTITUTION: A lower interlayer dielectric layer is formed on a substrate(100). A first electrode(205) buried into the lower interlayer dielectric layer is formed. A mold layer has a trench which is expanded along a first direction while exposing the first electrode on the lower interlayer dielectric layer. A phase change material layer is formed on a mold layer while filling the trench. A second electrode(240) on the phase change material layer and is expanded in second direction. The phase change material layer is formed by removing a mold film and the phase change material layer which is exposed to the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种制造相变存储器件的方法，通过将接触第一电极的编程区域与相变存储器的编程区域分开来提高相变存储器件的热稳定性。 构成：在衬底（100）上形成下层的介电层。 形成埋在下层间介电层中的第一电极（205）。 模具层具有沿着第一方向扩展的沟槽，同时暴露下层间介电层上的第一电极。 在填充沟槽的同时，在模具层上形成相变材料层。 相变材料层上的第二电极（240），并且在第二方向上扩展。 相变材料层通过去除模具膜和暴露于第二电极的相变材料层而形成。

公开(公告)号：KR1020080095683A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：KR1020070040501

申请日：2007-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  조성래 ,  배병재 ,  박혜영 ,  박영림

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2409 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/24 ,  H01L45/143

Abstract: A phase change memory device and a method for forming thereof are provided to reduce the contact area between a phase change material layer and a conductor connected to the phase change material layer in order to operate the phase change memory device at a low temperature. A phase change memory device comprises an insulating layer which is positioned on a substrate and has an opening; a phase change material layer(140) filling the opening. The phase change material layer includes a first part adjacent to the lateral and the bottom part of the opening; a second part which fills the opening and has different characteristic from the first part. The phase change material layer is formed through at least two deposition processes which are performed under the different situation.

Abstract translation: 提供了相变存储器件及其形成方法，以减小相变材料层与连接到相变材料层的导体之间的接触面积，以便在低温下操作相变存储器件。 相变存储器件包括位于衬底上并具有开口的绝缘层; 填充所述开口的相变材料层（140）。 相变材料层包括与开口的侧部和底部相邻的第一部分; 填充开口的第二部分具有与第一部分不同的特征。 通过在不同情况下进行的至少两个沉积工艺形成相变材料层。

公开(公告)号：KR100807223B1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：KR1020060065562

申请日：2006-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  조성래 ,  박영림 ,  박혜영

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 상변화 물질층, 상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 헬륨/아르곤 플라즈마가 형성된 반응 챔버 내에 제1 물질을 포함하는 제1 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 물질막을 형성한 후, 반응 챔버 내에 제2 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 및 제2 물질을 포함하는 제1 복합 물질막을 형성한다. 반응 챔버 내에 제3 물질을 포함하는 제3 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 물질막을 형성한 다음, 반응 챔버 내에 제4 물질을 포함하는 제4 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 및 제4 물질을 포함하는 제2 복합 물질막을 형성한다. 헬륨/아르곤 플라즈마가 형성된 분위기하에서 적절한 공급 시간으로 소스 가스들을 제공하여 탄소를 포함하는 상변화 물질층을 형성할 수 있다. 즉, 별도의 불순물 주입공정을 수행하지 않고 소정의 저항값을 갖는 상변화 물질층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080006394A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：KR1020060065562

申请日：2006-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  조성래 ,  박영림 ,  박혜영

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: A phase changeable material layer, a method for forming the phase changeable material layer, and a method for manufacturing a phase changeable memory device are provided to improve a phase changing property of the phase changeable material layer by increasing a density of the phase changeable material layer. A plasma containing hydrogen plasma is formed in a reaction chamber where an object is loaded(S10). A first source gas containing a first material is supplied to the reaction chamber(S20), such that a first material film is formed on the object(S30). A second source gas containing a second material is supplied to the reaction chamber(S40), such that a first composite material film containing the first and second materials is formed on the object(S50). A third source gas containing a third material is supplied to the reaction chamber(S60), such that a third material film is formed on the first composite material film(S70). A fourth source gas containing a fourth material is supplied to the reaction chamber(S80), such that a second composite material film containing the third and fourth materials is formed on the object(S90).

Abstract translation: 提供相变材料层，形成相变材料层的方法以及相变存储器件的制造方法，通过增加相变材料层的密度来提高相变材料层的相变性 。 在装载物体的反应室内形成含有氢等离子体的等离子体（S10）。 将包含第一材料的第一源气体供应到反应室（S20），使得在物体上形成第一材料膜（S30）。 将包含第二材料的第二源气体供应到反应室（S40），使得在物体上形成包含第一和第二材料的第一复合材料膜（S50）。 将包含第三材料的第三源气体供应到反应室（S60），使得在第一复合材料膜上形成第三材料膜（S70）。 将包含第四材料的第四源气体供应到反应室（S80），使得在物体上形成包含第三和第四材料的第二复合材料膜（S90）。

公开(公告)号：KR1020070025612A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050081965

申请日：2005-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  이충만 ,  조성래 ,  박영림

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: A method for forming a phase change material layer, a phase change memory unit using the same and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to control easily a compositional rate of the phase change material layer and to form quickly the phase change material layer in a low temperature by using a variety of source gases. A first material layer is formed on an object body by supplying a first source gas containing a first material into a reaction chamber(S20). A first composite material layer containing the first material and a second material is formed on the object body by supplying a second source gas containing the second material into the reaction chamber(S40). A third material layer is formed on the first composite material layer by supplying a third source gas containing a third material into the reaction chamber(S60). A second composite material layer containing the third material and a fourth material is formed on the first composite material layer by supplying a fourth source gas containing the fourth material into the reaction chamber(S80).

Abstract translation: 提供一种形成相变材料层的方法，使用该相变材料层的相变存储单元和相变存储器件的制造方法，以容易地控制相变材料层的组成速率并快速形成相变材料 通过使用各种源气体在低温下。 通过将含有第一材料的第一源气体供应到反应室中，在物体上形成第一材料层（S20）。 通过将含有第二材料的第二源气体供应到反应室中，在物体上形成含有第一材料和第二材料的第一复合材料层（S40）。 通过将包含第三材料的第三源气体供应到反应室中，在第一复合材料层上形成第三材料层（S60）。 通过将包含第四材料的第四源气体供应到反应室中，在第一复合材料层上形成含有第三材料和第四材料的第二复合材料层（S80）。

公开(公告)号：KR1020120065799A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020100127107

申请日：2010-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  이진일 ,  정경민 ,  정석우 ,  김창수

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1666

Abstract: PURPOSE: A method for forming a TiN thin film, a nonvolatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the thickness of a thin film by changing a cycle number of a Tin thin film forming process. CONSTITUTION: An insulation film pattern(120) including an opening unit(125) is formed on a substrate. A switching device is formed in the opening. A bottom electrode(147') comprising a TiN thin film is formed on the switching device. A variable resistive material pattern(150') is formed on the bottom electrode. A phase change material pattern(162) and a top electrode contact(164) are formed on the bottom electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成TiN薄膜的方法，非易失性存储器件及其制造方法，以通过改变锡​​薄膜形成工艺的循环次数来容易地控制薄膜的厚度。 构成：在基板上形成包括开口单元（125）的绝缘膜图案（120）。 开关装置形成在开口中。 在切换装置上形成包括TiN薄膜的底部电极（147'）。 在底部电极上形成可变电阻材料图案（150'）。 相位改变材料图案（162）和顶部电极接触（164）形成在底部电极上。

公开(公告)号：KR100962623B1

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020050081965

申请日：2005-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  이충만 ,  조성래 ,  박영림

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 상변화 물질층 형성 방법, 이를 이용한 상변화 메모리 유닛 및 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 반응 챔버 내에 제1 물질을 포함하는 제1 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 물질막을 형성한 후, 반응 챔버 내에 제2 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 대상체 상에 제1 및 제2 물질을 포함하는 제1 복합 물질막을 형성한다. 반응 챔버 내에 제3 물질을 포함하는 제3 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 물질막을 형성한 다음, 반응 챔버 내에 제4 물질을 포함하는 제4 소스 가스를 공급하여 제1 복합 물질막 상에 제3 및 제4 물질을 포함하는 제2 복합 물질막을 형성한다. 수소/아르곤 플라즈마를 형성한 상태에서 적절한 공급 시간으로 소스 가스들을 제공하여 상변화 물질층을 형성하기 때문에, 상변화 물질층의 구성 성분들의 조성비를 용이하게 조절할 수 있으며 저온에서 빠른 속도로 상변화 물질층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100922392B1

公开(公告)日：2009-10-19

申请号：KR1020070043664

申请日：2007-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  박영림 ,  김락환

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 제1 도전체와 제2 도전체 사이에 제공된 가변 저항체를 포함하는 메모리 소자. 상기 가변 저항체와 상기 제1 도전체는 절연막에 한정된 개구부 내에 제공된다. 상기 제1 도전체에 인접한 가변 저항체 부분과 상기 가변 저항체에 인접한 제1 도전체 부분은 실질적으로 동일한 형태를 가지며 그 두께는 상기 개구부의 폭보다 작다.
상변화 물질, 상변화 메모리