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公开(公告)号：KR1020170038521A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150138004
申请日：2015-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176
Abstract: 외부로부터에너지를흡수하여레이저광을발생시키는반도체레이저공진기가개시된다. 반도체레이저공진기는반도체물질을포함하며, 적어도하나의트렌치에의해상부에돌출되게마련되는적어도하나의돌출부를포함하는이득매질층을구비한다. 여기서, 상기적어도하나의돌출부중 적어도하나의내부에상기레이저광이정상파로구속될수 있다.
Abstract translation: 公开了从外部吸收能量以产生激光的半导体激光共振器。 半导体激光共振器包括半导体材料并且具有增益介质层，该增益介质层包括至少一个突起，该突起被设置为通过至少一个沟槽向上突出。 这里，激光可以被限制在至少一个突起中的至少一个内的驻波。
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公开(公告)号：KR1020160024736A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020150048324
申请日：2015-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 외부로부터에너지를흡수하여레이저광을발생시키는반도체레이저공진기및 이러한반도체레이저공진기를구비한반도체레이저소자가개시된다. 개시된반도체레이저공진기는, 반도체물질을포함하며, 중심부; 및상기중심부의외곽에돌출되게마련되는것으로상기중심부의외곽을따라주기적인구조로배치되는복수의돌출부;를포함하는이득매질층을구비한다. 여기서, 상기복수의돌출부중 적어도하나의내부에상기레이저광이정상파로구속된다.
Abstract translation: 公开了通过从外部吸收能量产生激光束的半导体激光谐振器和包括该半导体激光谐振器的半导体激光器件。 所公开的能够选择或分离谐振模式的半导体激光谐振器包括增益介质层。 增益介质层包括半导体材料，并且包括中心部分和多个突起，其以周期性结构从中心部分的外部部分突出并设置。 这里，激光束被限制在作为驻波的至少一个突起中。
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公开(公告)号：KR1020170045040A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150144946
申请日：2015-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/242 , H01L29/413 , H01L29/66037 , H01L29/66969 , H01L29/7311 , H01L29/7391 , H01L29/88 , H01L29/882 , H01L29/885 , H01L31/032 , H01L31/1136
Abstract: 이차원물질을포함한반도체소자가개시된다. 일실시예에따른반도체소자는기판, 기판상에형성되어있으며제1 영역과이에인접한제2 영역을갖는이차원물질층, 및이차원물질층의제1 및제2 영역과각각접촉하도록형성된소스/드레인전극을포함한다. 여기서, 제1 영역의이차원물질층의표면에흡착된산소의양인제1 산소흡착율과상기제2 영역의이차원물질층의표면에흡착된산소의양인제2 산소흡착율이서로다르다.
Abstract translation: 公开了一种包括二维材料的半导体器件。 根据一个实施例的半导体器件包括衬底，形成在衬底的第一区域和与其相邻的具有面积材料的第二二维层，并形成为与连接器1个mitje第二区域，并且每个二维材料层，一源极/ 排水电极。 这里，第一材料的两个维层的表面上的氧吸附的重新开始2氧吸附速度的量和在西班牙的二维材料层1的第2区域的区域的表面上的氧吸附的氧吸附速度的量是彼此不同的。
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