公开(公告)号：KR1020130007088A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110063521

申请日：2011-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호준 ,  김희범

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2063 ,  G03F9/7034 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for measuring the flatness of a reticle are provided to show an actual incline of the reticle by measuring the flatness of reticle absorbed by a vacuum chuck. CONSTITUTION: A reticle is provided to a vacuum chuck. The reticle is horizontally arranged on the vacuum chuck(ST210). The reticle is absorbed by providing the vacuum to the reticle(ST220). The reticle is scanned. The flatness of the reticle is measured(ST230). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (ST210) Horizontally arranging a reticle on a vacuum chuck; (ST220) Absorbing a reticle by providing the vacuum to the reticle; (ST230) Measuring the flatness of a reticle by measuring local pressures of vacuum applied to the reticle; (ST240) Transmitting measured flatness to semiconductor light exposure equipment

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量掩模版的平坦度的装置和方法，以通过测量由真空卡盘吸收的掩模版的平坦度来显示掩模版的实际倾斜。 构成：将一个掩模版提供给真空吸盘。 标线水平布置在真空吸盘上（ST210）。 通过向掩模版提供真空来吸收掩模版（ST220）。 掩模版被扫描。 测量掩模版的平坦度（ST230）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （ST210）将真空卡盘上的光罩水平布置; （ST220）通过向掩模版提供真空吸收光罩; （ST230）通过测量施加到掩模版的真空的局部压力来测量掩模版的平坦度; （ST240）向半导体曝光设备传输测量平面度

公开(公告)号：KR1020100049799A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080108789

申请日：2008-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희범 ,  성영수 ,  이명수

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: G06T7/0006 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70625 ,  G06T2207/30148 ,  G03F7/70666

Abstract: PURPOSE: A method for inspecting the size uniformity of a photo mask pattern is provided to improve the yield of the inspection by comparing a gray level value and an estimated value based on captured pattern regions. CONSTITUTION: A photo mask is precisely measured and information related to a pattern which is formed on the photo mask is obtained(S10). A plurality of measured images are obtained(S20). Each patter region of the measured images is captured(S50). The gray level value of the pattern region is calculated(S60). An estimated value which corresponds to the change of the gray level value is confirmed(S70). Based on the comparison result of the estimated value and the gray level value, the size uniformity of the pattern is confirmed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检查光掩模图案的尺寸均匀性的方法，以通过基于捕获的图案区域比较灰度值和估计值来提高检查的产量。 构成：精确测量照片掩模，并获得与在光掩模上形成的图案有关的信息（S10）。 获得多个测量图像（S20）。 捕获测量图像的每个图案区域（S50）。 计算图案区域的灰度值（S60）。 确认与灰度值的变化对应的推定值（S70）。 基于估计值和灰度值的比较结果，确定了图案的尺寸均匀性。

公开(公告)号：KR100844981B1

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：KR1020060127625

申请日：2006-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤기성 ,  김희범 ,  최선영

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

Abstract: 광투과율을 조절할 수 있는 감쇠형 위상반전 마스크 및 이의 제조방법이 개시된다. 투명기판 상에 위상 반전막 및 차광막을 적층한다. 상기 위상 반전막 및 상기 차광막의 일부를 연속적으로 제거하여 제1 개구를 구비하는 차광패턴 및 상기 제1 개구와 연속하게 형성되어 상기 투명기판의 일부를 노출하는 제2 개구를 구비하는 위상반전 패턴을 형성한다. 상기 차광 패턴의 일부를 제거하여 적어도 하나의 상기 위상반전 패턴을 포함하며, 상기 위상반전 패턴의 상부면에 광투과율 조절부재를 구비하는 투광부를 형성한다. 광투과율 조절부재는 흡수계수가 높은 금속을 이용하여 스퍼터링 공정 및 확산에 의해 형성된다. 간섭광 편차를 줄이고 노광공정의 공정마진을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080030803A

公开(公告)日：2008-04-07

申请号：KR1020060097149

申请日：2006-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안병섭 ,  최성운 ,  김희범 ,  정동훈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70625 ,  G06F17/50

Abstract: A method of fabricating a semiconductor integrated circuit device is provided to optimize the design of a semiconductor integrated circuit by conducting a mask test and a CD(Critical Dimension) measurement simultaneously, and to reduce the time required for testing a mask, by measuring CD as forming an aerial image. A method of fabricating a semiconductor integrated circuit device comprises the steps of: forming an aerial image by exposing light to a mask, and measuring the CD(Critical Dimension) of a pattern to be formed on a wafer through the mask from the aerial image(S10); forming a CD map by using the measured CD(S20); transferring information obtained from the CD map to a mask database process for correcting a mask manufacturing process(S32,S42); transferring the measured CD value to OPC(Optical Proximity Correction) and ORC(Optical Rule Check) for modeling the OPC and ORC(S34); comparing a simulation aerial image formed by OPC with an aerial image formed by test equipment for modeling the OPC and ORC(S44,S54).

Abstract translation: 提供一种制造半导体集成电路器件的方法，通过同时执行掩模测试和CD（临界尺寸）测量来优化半导体集成电路的设计，并通过测量CD作为减少测试掩模所需的时间 形成航空图像。 制造半导体集成电路器件的方法包括以下步骤：通过将光曝光于掩模来形成空间图像，并且通过掩模从空间图像测量要在晶片上形成的图案的CD（临界尺寸） S10）; 通过使用所测量的CD形成CD映射（S20）; 将从CD映射获得的信息传送到用于校正掩模制造处理的掩码数据库处理（S32，S42）; 将测量的CD值传送到OPC（光学近程校正）和用于对OPC和ORC进行建模的ORC（光学规则检查）（S34）; 将由OPC形成的模拟航空图像与由OPC和ORC建模的测试设备形成的空中图像进行比较（S44，S54）。

公开(公告)号：KR100725170B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050109253

申请日：2005-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민 ,  김희범 ,  최성운

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/84

Abstract: 포토마스크의 제작을 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 이 방법은 마스크 레이아웃 데이터를 이용하여 취약지점 데이터를 준비하고, 마스크 레이아웃 데이터를 이용하여 포토마스크를 제작한 후, 취약지점 데이터에 이용하여 제작된 포토마스크의 에이리얼 이미지를 분석함으로써 중요 지점 데이터를 추출하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070042778A

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020050098739

申请日：2005-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희범 ,  허성민

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 공간영상 측정 시스템에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로 공간영상 측정 시스템에서 측정된 공간영상을 보정하는 공간영상 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 공간영상 측정 방법은 상기 전하 결합 소자가 측정한 공간영상 측정값에 상기 결상 렌즈를 통과하여 공간영상을 형성한 모든 회절광들이 포함하도록 상기 전하 결합 소자의 측정간격을 계산하는 단계; 상기 측정간격으로 상기 전하 결합 소자가 상기 공간영상을 측정하는 단계; 상기 측정한 공간영상의 측정값들로 상기 공간영상을 형성한 모든 회절광들의 각각의 성분을 계산하는 단계; 상기 계산된 회절광 성분들을 이용하여 상기 전하 결합소자에 의해 측정된 공간영상을 보정하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 공간영상 측정 방법은 공간영상 측정 시스템의 노광조건을 활용하여 공간영상 측정 시스템에 의해 측정된 왜곡된 공간영상을 보정하게 된다.
공간영상, 결상 렌즈

公开(公告)号：KR101806964B1

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020110128563

申请日：2011-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진 ,  김병국 ,  김희범 ,  이상희

IPC: G03F1/68

CPC classification number: G03F1/44

Abstract: 감광막상에 L자형의불량검출패턴을형성하여, 패턴불량을효율적으로검출할수 있는포토마스크제조방법을제공하는것이다. 상기포토마스크제조방법은기판상에감광막을형성하고, 상기감광막에제1 방향으로길게연장되는제1 패턴과, 상기제1 패턴의일단과오버랩되고상기제1 방향과다른제2 방향으로길게연장되는제2 패턴을포함하는불량검출패턴을형성하되, 상기제1 패턴과상기제2 패턴은동일한증폭기에의해서회절된전자빔으로형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 在感光膜上形成L形缺陷检测图案，并且可以有效地检测图案缺陷。 光掩模制造方法延伸以形成在基板上的感光膜，第一图案被拉长在感光膜在第一方向和与在第二方向上与所述第一方向不同的延伸的第一图案的端重叠 其中第一图案和第二图案由同一放大器衍射的电子束形成。

公开(公告)号：KR1020130090608A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：KR1020120011865

申请日：2012-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진 ,  김병국 ,  김희범 ,  이상희

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0275 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/76838

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern is provided to reduce a line edge roughness by increasing a dose around a pattern. CONSTITUTION: A first mask includes a first opening. A transverse section passes through the first opening and irradiates a first electron beam. A first transfer pattern (400) is formed on a resist (300) by irradiating the first electron beam. A second transfer pattern (410) is formed on the resist by irradiating a second electron beam.

Abstract translation: 目的：提供一种形成图案的方法，通过增加图案周围的剂量来减少线边缘粗糙度。 构成：第一个面罩包括第一个开口。 横截面穿过第一开口并照射第一电子束。 通过照射第一电子束，在抗蚀剂（300）上形成第一转印图案（400）。 通过照射第二电子束在抗蚀剂上形成第二转印图案（410）。

公开(公告)号：KR1020100114716A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033232

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상희 ,  최진 ,  김병국 ,  김희범

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/203 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/70383

Abstract: PURPOSE: A method for forming patterns is provided to minimize the re-scattering of an electron beam by applying a resist to a pre-set material layer on the front side of a substrate. CONSTITUTION: A resist(420) is applied to a pre-set material layer on the front side of a substrate. A first electron beam with a polygonal shape is radiated to the first region of the resist. The first transversal section of the first electron beam has a polygonal shape. A second region is defined along the boundary of the first region. A second electron beam is radiated to the second region of the resist. The second transversal section of the second electron beam has a polygonal shape.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成图案的方法，以通过将抗蚀剂施加到基板正面上的预定材料层来最小化电子束的再散射。 构成：将抗蚀剂（420）施加到基板正面上的预定材料层。 具有多边形形状的第一电子束辐射到抗蚀剂的第一区域。 第一电子束的第一横截面具有多边形形状。 沿着第一区域的边界限定第二区域。 第二电子束被辐射到抗蚀剂的第二区域。 第二电子束的第二横截面具有多边形形状。

公开(公告)号：KR100663367B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050118101

申请日：2005-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최요한 ,  김희범

IPC: H01L21/66

Abstract: A method for measuring a CD(Critical Dimension) of a semiconductor device and a related measuring apparatus are provided to control a width of a measuring window for obtaining measurement accuracy by using the measuring window across first and second planes of a measuring pattern. Image data of a measuring pattern is generated(120). The measuring pattern is provided with first and second planes opposite to each other. The image data has first and second sides corresponding to the first and second planes of the measuring pattern. The image data is edited to increase an overlapped length of the first and second sides(130). A measuring window is set, which crosses to the first and second sides in the edited image data(140). A distance between the first and second sides in the measuring window is measured(150).

Abstract translation: 提供了一种用于测量半导体器件的CD（临界尺寸）的方法和相关的测量装置，以通过使用测量图案的第一和第二平面上的测量窗来控制用于获得测量精度的测量窗的宽度。 测量图案的图像数据被生成（120）。 测量图案具有彼此相对的第一和第二平面。 图像数据具有对应于测量图案的第一和第二平面的第一和第二侧。 编辑图像数据以增加第一和第二边（130）的重叠长度。 在编辑的图像数据（140）中设置测量窗口，其跨越第一和第二侧。 测量测量窗中第一和第二侧之间的距离（150）。