公开(公告)号：KR100752673B1

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020060101024

申请日：2006-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희범 ,  이정우 ,  허성민

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR100674991B1

公开(公告)日：2007-01-29

申请号：KR1020050081848

申请日：2005-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진식 ,  김희범 ,  한우성 ,  허성민

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR100652400B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050011012

申请日：2005-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민 ,  김희범 ,  최성운 ,  박진홍

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 본 발명에 따르면, 투광 기판 상에 형성된 차광 영역, 투광 기판에 설정된 0°위상 변이를 위한 제1위상 변이 영역이며 투광되는 광을 TE 모드 편광시키는 제1편광 영역인 제1투광 영역, 및 제1투광 영역에 접해 경계를 이루되 제1위상 변이 영역과 180°광 위상차를 가지는 제2위상 변이 영역이며 경계에서의 위상 충돌을 방지하기 위해서 투광되는 광을 TM 모드 편광시키는 제2편광 영역인 제2투광 영역을 포함하는 위상 변이 마스크(PSM)를 제시한다.
PSM, 위상 충돌, 이중 노광, 트림 마스크, 편광

公开(公告)号：KR1020060089550A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1020050011012

申请日：2005-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민 ,  김희범 ,  최성운 ,  박진홍

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/14 ,  G03F1/38

Abstract: 본 발명에 따르면, 투광 기판 상에 형성된 차광 영역, 투광 기판에 설정된 0°위상 변이를 위한 제1위상 변이 영역이며 투광되는 광을 TE 모드 편광시키는 제1편광 영역인 제1투광 영역, 및 제1투광 영역에 접해 경계를 이루되 제1위상 변이 영역과 180° 광 위상차를 가지는 제2위상 변이 영역이며 경계에서의 위상 충돌을 방지하기 위해서 투광되는 광을 TM 모드 편광시키는 제2편광 영역인 제2투광 영역을 포함하는 위상 변이 마스크(PSM)를 제시한다.
PSM, 위상 충돌, 이중 노광, 트림 마스크, 편광

公开(公告)号：KR100566226B1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1019980059082

申请日：1998-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민

IPC: H04L12/66

Abstract: 본 발명은 원격의 관리시스템에서 네트워크 장비의 시스템코드를 변경시키기 위해 다운로드하는 방법을 개시하고 있다. 이러한 본 발명은, 네트워크 장비의 시스템코드를 원격의 관리시스템에서 다운로드하는 방법에 있어서, 상기 관리시스템이 내부에 탑재된 네크워크관리시스템(NMS) 프로그램을 이용하여 새로운 변경을 위한 시스템코드를 에스엔엠피(SNMP) 프로코콜에 따라 SNMP패킷에 담아 상기 네트워크 장비로 전송하는 과정과, 상기 네트워크 장비의 내부에 탑재된 에스엔엠피 에이전트가 상기 시스템코드를 수신하여 이전의 시스템코드를 대체하는 과정으로 이루어진다. 상기 관리시스템과 상기 네트워크 장비는 엠아이비(MIB) 시나리오에 따라 통신을 행하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100575000B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：KR1020040102222

申请日：2004-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김순호 ,  허성민

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR100564597B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020030094270

申请日：2003-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진형 ,  허성민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 전자 소자 기판 상에 원하는 임계 치수(Critical Dimension : CD)의 패턴을 정확하게 전사할 수 있는 포토마스크 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크는 앞면(前面)과 뒷면(後面)을 구비하며 노광원의 조명에 대해 투명한 기판, 기판의 앞면에 형성되어 패턴 형성을 위한 투광부를 정의하는 마스크 패턴, 및 기판의 앞면에 형성되고 기판의 뒷면에 입사되어 기판을 투과하는 조명의 강도를 조절하는 다수의 보조패턴을 포함한다. 조명의 강도를 조절하는 보조패턴을 포토마스크 기판 앞면에 포함시킴으로써 원하는 CD의 패턴을 정확하게 전사할 수 있으며, 보조패턴의 배치와 밀도를 조절하여 포토마스크의 국소적(local) 또는 전반적(global) CD 보정 및 리페어가 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020050062255A

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020030094270

申请日：2003-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진형 ,  허성민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 전자 소자 기판 상에 원하는 임계 치수(Critical Dimension : CD)의 패턴을 정확하게 전사할 수 있는 포토마스크 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 포토마스크는 앞면(前面)과 뒷면(後面)을 구비하며 노광원의 조명에 대해 투명한 기판, 기판의 앞면에 형성되어 패턴 형성을 위한 투광부를 정의하는 마스크 패턴, 및 기판의 앞면에 형성되고 기판의 뒷면에 입사되어 기판을 투과하는 조명의 강도를 조절하는 다수의 보조패턴을 포함한다. 조명의 강도를 조절하는 보조패턴을 포토마스크 기판 앞면에 포함시킴으로써 원하는 CD의 패턴을 정확하게 전사할 수 있으며, 보조패턴의 배치와 밀도를 조절하여 포토마스크의 국소적(local) 또는 전반적(global) CD 보정 및 리페어가 가능해진다.

公开(公告)号：KR101576205B1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：KR1020080125971

申请日：2008-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장일용 ,  우상균 ,  허성민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3174

Abstract: 극자외선포토마스크, 이를제조하기위한방법및 장치가제공된다. 상기제조방법은포토마스크기판상에상부막을형성한후, 상부막을패터닝하여경사진측벽을갖는상부패턴을형성하는단계를포함한다. 상부막을패터닝하는단계는상부막의상부면에경사진제 1 방향에평행하게운동하는하전된입자들을사용하여상부막을이방성식각하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120069020A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100116217

申请日：2010-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허성민 ,  이동근 ,  강인용

IPC: G03F1/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/42 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7088 ,  G03F1/22 ,  G03F7/2008 ,  H01L21/0276

Abstract: PURPOSE: A reflection mask for exposing extreme ultraviolet ray(EUV), a system for exposing the EUV, and a method for fixing the reflection mask are provided to prevent a plurality of pins in the form of an electrostatic chuck array from being overlapped with defects on the rear side of the reflection mask. CONSTITUTION: A reflection mask for exposing EUV(100) includes a first side and an opposing rear side. The EUV is reflected from the front side. The reflection mask includes a conductive layer(114), a substrate(113) on the conductive layer, a reflective layer(112) on the substrate, and an absorbent pattern(111) on the reflective layer. The conductive layer is spaced apart from the edge of the substrate. The alignment key(120) is formed on the rear side such that the reflection mask and an electrostatic chuck(200) are aligned. The conductive layer is attached to the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供用于暴露极紫外线（EUV）的反射掩模，用于暴露EUV的系统和用于固定反射罩的方法，以防止静电卡盘阵列形式的多个销与缺陷重叠 在反光罩的背面。 构成：用于曝光EUV（100）的反射罩包括第一侧和相对的后侧。 EUV从前方反映出来。 反射掩模包括导电层（114），导电层上的衬底（113），衬底上的反射层（112）和反射层上的吸收图案（111）。 导电层与衬底的边缘间隔开。 对准键（120）形成在后侧，使得反射掩模和静电卡盘（200）对准。 导电层附着在静电吸盘上。