公开(公告)号：KR1020150081808A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020140001666

申请日：2014-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 네자드말라예리호세인아미르 ,  박윤동

IPC: G06F13/14 ,  G06F12/00

CPC classification number: H04B10/532 ,  H04B10/278

Abstract: 메모리시스템은메모리콘트롤러, 복수의메모리모듈들및 상기메모리콘트롤러와상기메모리모듈들을연결하는메모리버스를포함한다. 상기메모리버스는, 상기메모리모듈들에각각상응하는선택신호들에응답하여상기메모리콘트롤러로부터전송되는선형편광된송신광의편광방향을조절하여상기송신광을상기메모리모듈들중 하나의타겟메모리모듈로전달하는적어도하나의편광제어광 채널을포함한다. 상기편광제어광 채널은, 상기메모리콘트롤러에결합된광도파관, 및상기광도파관의경로상에순차적으로삽입되고상기선택신호들을각각수신하고상기메모리모듈들과각각결합된복수의선택기들을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种存储器系统，包括：存储器控制器，多个存储器模块; 以及将存储器控制器连接到存储器模块的存储器总线。 存储器总线包括至少一个偏振控制光信道，其响应于分别对应于存储器模块的选择信号调整从存储器控制器传输的线偏振透射光的偏振方向，以将透射光传输到一个目标存储器模块中 内存模块。 偏振控制光通道包括：耦合到存储器控制器的光波导; 以及顺序地插入在光波导路径上的多个选择器，分别接收选择信号并分别耦合到存储器模块。

公开(公告)号：KR102110369B1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：KR1020140020675

申请日：2014-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 네자드말라예리호세인아미르

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/34

公开(公告)号：KR1020150081812A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：KR1020140001674

申请日：2014-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 네자드말라예리호세인아미르 ,  박윤동

IPC: H04B10/532 ,  H04B10/2569

CPC classification number: H04J14/06 ,  H04B10/532 ,  H04B10/801

Abstract: 상보적광 상호접속장치는송신기, 광도파관및 수신기를포함한다. 상기송신기는제1 편광방향으로직선편광된제1 전송광및 상기제1 편광방향과직교하는제2 편광방향으로직선편광되고상기제1 전송광의데이터패턴과상보적인데이터패턴을갖는제2 전송광을발생한다. 상기광도파관은상기제1 전송광및 상기제2 전송광을동시에전달한다. 상기수신기는상기광도파관으로부터상기제1 송신광에상응하는제1 수신광및 상기제2 송신광에상응하는제2 수신광을수신한다. 상기제1 전송광의파워와상기제2 전송광의파워의합은상기데이터패턴과관계없이일정하다.

Abstract translation: 互补光互连装置技术领域本发明涉及一种互补光互连装置，包括发射器，光波导和接收器。 发射机产生沿第一偏振方向线性偏振的第一透射光，以及与第一偏振方向交叉的第二偏振方向线偏振的第二透射光，并具有与第一透射光的数据图形互补的数据图案。 光波导同时传输第一透射光和第二透射光。 接收机接收与来自光波导的对应于第一发送光的第一接收光和对应于第二发送光的第二接收光。 第一透射光的功率和第二透射光的功率的总和是数据模式的规则。

公开(公告)号：KR1020150016077A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：KR1020140020675

申请日：2014-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 네자드말라예리호세인아미르

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/22 ,  H01L21/34 ,  H01L31/1804

Abstract: 전광 변환기는 반도체 기판, 코어 영역 및 슬랩 영역을 포함한다. 코어 영역은 반도체 기판 상에 배치되고, 제1 저농도 도핑 영역, 제2 저농도 도핑 영역 및 제1 저농도 도핑 영역 및 제2 저농도 도핑 영역 사이에 배치되는 고농도 도핑 영역을 포함한다. 슬랩 영역들은 코어 영역에 접하고 반도체 기판 상에 배치된다. 제1 저농도 도핑 영역과 제2 저농도 도핑 영역 사이에 역 바이어스 전압을 인가하면 고농도 도핑 영역에 포함되는 공핍 영역의 폭을 조절할 수 있다. 공핍 영역의 폭이 조절되면, 공핍 영역을 통하여 전달되는 광신호를 조절할 수 있다. 본 발명에 따른 전광 변환기는 시스템의 동작 속도를 증가시키고 전력 소모를 감소시킬 수 있다.

Abstract translation: 电光调制器包括半导体衬底，芯区和拍击区。 芯区域布置在半导体衬底上，第一低浓度掺杂区域，第二低浓度掺杂区域和布置在第一低浓度掺杂区域和第二低浓度掺杂区域之间的高浓度掺杂区域。 拍击区域接触核心区域并且布置在半导体衬底上。 当在第一低浓度掺杂区域和第二低浓度掺杂区域之间施加反向偏置电压时，可以控制耗尽区域的宽度。 当耗尽区的宽度被控制时，可以控制通过耗尽区传输的光信号。 根据本发明的电光调制器增加了系统的操作速度并且可以降低功耗。