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公开(公告)号：KR101709941B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020090118151
申请日：2009-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/103 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N9/04
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L31/103 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N9/045 , H04N2209/047
Abstract: 2-레이어구조를갖는이미지센서가개시된다. 상기이미지센서는입사광에응답하여제1전기신호를생성하기위한제1광전변환소자와, 상기제1광전변환소자의하부에형성된광전자베리어와, 상기광전자베리어의하부에형성되고상기광전자베리어를통과한입사광에응답하여제2전기신호를생성하기위한제2광전변환소자를포함한다.
Abstract translation: 图像传感器包括设置在基板的下部的第二光电转换装置和在二次光电转换装置和基板的光接收表面之间延伸的第一光电转换装置。 第一和第二光电转换装置之间的电隔离由光电子势垒提供，光电子势垒可以是光学透明的电绝缘材料。 可以使用MOS晶体管将在第一和第二光电转换装置内产生的光电子转移到图像传感器内的浮动扩散区域。 这些晶体管可以分别响应于第一和第二门控信号，表示用于将在第一和第二光电转换装置中产生的光电子转移到衬底中的浮动扩散区域的装置的一个示例。 第一和第二门控信号可以在非重叠时间间隔期间被激活。
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公开(公告)号：KR101565750B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020090031396
申请日：2009-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/112 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/374
Abstract: 고감도이미지센서가제공된다. 고감도이미지센서는제1 도전형의기판내에형성된단전자트랜지스터(Single Electron Field Effect Transistor; SEFET)를포함하는픽셀을포함하며, 상기단전자트랜지스터는, 상기기판내에형성된제2 도전형의제1 웰; 상기제1 웰내에소정간격이격되어형성된제1 도전형의소스영역및 드레인영역; 상기소스영역및 드레인영역사이의제1 웰내에형성된제2 도전형게이트영역을포함한다.
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公开(公告)号：KR101558851B1
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020090000850
申请日：2009-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00 , H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3427 , G11C2213/71 , H01L27/0688 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 3차원구조의비휘발성메모리장치및 그동작방법이제공된다. 비휘발성메모리장치는반도체기판상에적층된 L 개의셀 어레이층들, 각각의셀 어레이층에복수개가배치되며, 스트링및 접지선택트랜지스터와, 스트링및 접지선택트랜지스터들사이의복수개의메모리셀들이직렬연결된스트링들, 동일한셀 어레이층에배치된복수개의스트링들의일측에공통으로연결되며, 셀어레이층들각각에배치된 L 개의공통소오스라인, 서로다른셀 어레이층들에배치된복수개의스트링들의타측에공통으로연결된 M 개의비트라인들및 서로다른셀 어레이층들에배치된메모리셀들과연결된 N 개의워드라인들을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150081808A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001666
申请日：2014-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 네자드말라예리호세인아미르 , 박윤동
CPC classification number: H04B10/532 , H04B10/278
Abstract: 메모리시스템은메모리콘트롤러, 복수의메모리모듈들및 상기메모리콘트롤러와상기메모리모듈들을연결하는메모리버스를포함한다. 상기메모리버스는, 상기메모리모듈들에각각상응하는선택신호들에응답하여상기메모리콘트롤러로부터전송되는선형편광된송신광의편광방향을조절하여상기송신광을상기메모리모듈들중 하나의타겟메모리모듈로전달하는적어도하나의편광제어광 채널을포함한다. 상기편광제어광 채널은, 상기메모리콘트롤러에결합된광도파관, 및상기광도파관의경로상에순차적으로삽입되고상기선택신호들을각각수신하고상기메모리모듈들과각각결합된복수의선택기들을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种存储器系统，包括：存储器控制器，多个存储器模块; 以及将存储器控制器连接到存储器模块的存储器总线。 存储器总线包括至少一个偏振控制光信道，其响应于分别对应于存储器模块的选择信号调整从存储器控制器传输的线偏振透射光的偏振方向，以将透射光传输到一个目标存储器模块中 内存模块。 偏振控制光通道包括：耦合到存储器控制器的光波导; 以及顺序地插入在光波导路径上的多个选择器，分别接收选择信号并分别耦合到存储器模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101438666B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020080027592
申请日：2008-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3454
Abstract: 소거 상태의 메모리 셀에 프리-프로그램 전압을 인가하여 소거 상태에 비해 문턱 전압 산포가 작으며 소거 상태로부터 이동된 프리-프로그램 상태로 프리-프로그램하는 단계와; 네거티브 유효 검증 전압을 이용하여 메모리 셀이 프리-프로그램 상태인지를 검증하는 단계;를 포함하는 메모리 장치 작동 방법이 개시되어 있다.
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公开(公告)号：KR101437103B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020080009218
申请日：2008-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/34 , G11C11/5642 , G11C2211/5634
Abstract: 메모리 장치 및 메모리 데이터 읽기 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 멀티 비트 셀 어레이, 및 상기 멀티 비트 셀 어레이 내의 메모리 페이지의 멀티 비트 셀들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분할하는 판정부 - 상기 제1 그룹은 문턱 전압이 기준 전압보다 높은 멀티 비트 셀들로 이루어지고, 상기 제2 그룹은 문턱 전압이 상기 기준 전압보다 낮은 멀티 비트 셀들로 이루어짐 - 를 포함하고, 상기 판정부는 상기 기준 전압을 변화시켜 가며 상기 제1 그룹 및 상기 제2 그룹을 업데이트하며, 이를 통해 데이터를 읽는 시간을 단축하고 하드웨어 복잡도를 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 메모리 읽기, 문턱 전압Abstract translation: 提供了一种用于读取存储器数据的存储器件和方法。 根据本发明存储设备是多比特单元阵列，以及用于将所述存储器页的多比特单元的多比特单元阵列中的成第一组和第二组一个确定部分，该第一组是所述阈值电压高于所述基准电压时， 其中第二群组包括具有低于参考电压的阈值电压的多位单元，并且其中确定单元将第一群组和第二群组 从而减少读取数据和降低硬件复杂度的时间。
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公开(公告)号：KR101435519B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020080072438
申请日：2008-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/14625
Abstract: 광 포커싱 구조를 가진 이미지 센서에 관하여 개시된다. 개시된 광 포커싱 구조를 가진 이미지 센서는 광전변환영역에 입사되는 광을 상기 광전변환영역에 포커싱시키는 적어도 하나의 금속나노도트를 구비한다. 상기 금속 나노도트는 상기 광전변환영역 상에 배치되거나 또는 상기 광전변환영역의 상면에 노출되게 상기 광전변환영역에 임베드된다.
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公开(公告)号：KR101434405B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020080015310
申请日：2008-02-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1072 , H03M13/09 , H03M13/15 , H03M13/1515 , H03M13/152
Abstract: 메모리 장치 및 메모리 데이터 읽기 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 멀티 비트 셀 어레이, 상기 멀티 비트 셀 어레이 내의 메모리 페이지로부터 제1 데이터 페이지를 읽고, 상기 읽은 제1 데이터 페이지의 오류 비트를 검출하는 오류 검출부, 및 상기 오류 비트가 저장된 멀티 비트 셀을 식별하고, 제2 데이터 페이지 중 상기 식별된 멀티 비트 셀에 저장된 데이터를 추정하는 추정부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 멀티 비트 셀에 저장된 데이터를 읽을 때의 오류를 줄일 수 있고, 멀티 비트 셀의 상태를 추가적인 오버헤드 없이 모니터할 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 문턱 전압, charge lossAbstract translation: 提供了一种用于读取存储器数据的存储器件和方法。 本发明的存储器件包括多位单元阵列，错误检测器，用于从多位单元阵列中的存储器页面读取第一数据页面，并用于检测读取的第一数据页面中的错误位， 以及估计器，用于识别所述单元并估计存储在所述第二数据页中的所识别的多位单元中的数据，由此减少读取存储在所述多位单元中的数据中的错误， 位单元的状态可以被监控而无需额外的开销。
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公开(公告)号：KR101403337B1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020080066221
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 셀 스트링을 이루는 복수의 메모리 셀 중 선택 메모리 셀에 독출 전압 또는 검증 전압을 인가하며, 셀 스트링의 비 선택 메모리 셀 중 선택 메모리 셀에 최인접한 비선택 메모리 셀에 제1패스 전압을 인가하며, 선택 메모리 셀에 다음으로 인접한 비선택 메모리 셀에 제2패스 전압을 인가하며, 그 외의 비선택 메모리 셀에 제3패스 전압을 인가하며, 제1패스 전압으로 제2 및 제3패스 전압보다 작은 전압을 인가하며, 제2패스 전압으로 상기 제3패스 전압보다 큰 전압을 인가하여, 선택 메모리 셀의 프로그램 상태를 검증 또는 독출하는 낸드형 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법이 개시되어 있다.
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