公开(公告)号：KR1020160044976A

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：KR1020140140164

申请日：2014-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 동야오취

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238

Abstract: 본발명의기술적사상에따른반도체소자는, 반도체기판; 상기반도체기판에형성되는핀형구조물; 상기핀형구조물의상면보다낮은상면을갖도록상기반도체기판에형성되는절연층; 및상기핀형구조물의상면의일부및 양측면의일부를덮는게이트;를포함하고, 상기게이트는상기핀형구조물의측면에서상기절연층의상면으로부터제1 레벨에있는제1 너비와, 상기제1 레벨보다낮은제2 레벨에있는제2 너비를갖고, 상기제1 레벨로부터상기제2 레벨까지의상기게이트의너비는상기제1 너비로부터상기제2 너비까지좁아질수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的技术思想，半导体器件包括：半导体衬底; 形成在所述半导体基板上的翅片型结构; 绝缘层，形成在所述半导体基板上，以具有比所述鳍式结构的上表面低的上表面; 以及构造成覆盖翅片型结构的上表面或两侧的一部分的门。 所述栅极具有从所述绝缘层的上表面在所述鳍式结构侧的第一高度处的第一宽度，并且具有比所述第一水平低的第二水平的第二宽度。 从第一级到第二级的栅极的宽度可以从第一宽度减小到第二宽度。

公开(公告)号：KR1020170033494A

公开(公告)日：2017-03-27

申请号：KR1020150131151

申请日：2015-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 동야오취 ,  김문현 ,  조근휘 ,  마에다,시게노부 ,  오한수

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 제1 방향으로연장되는활성영역이정의된기판, 및활성영역과교차하여제2 방향으로연장되며, 하부에배치되는제1 게이트전극및 제1 게이트전극의상부에배치되는제2 게이트전극을포함하는게이트전극을포함한다. 제1 게이트전극은제1 방향에서제1 길이를갖고, 제2 게이트전극은제1 방향에서제1 길이보다작은제2 길이를갖는다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括：衬底，第一方向上延伸的有源区限定在该衬底上;第一栅电极，与有源区交叉并且沿第二方向延伸; 并且栅电极包括设置在栅电极的上部上的第二栅电极。 第一栅电极在第一方向上具有第一长度，并且第二栅电极在第一方向上具有小于第一长度的第二长度。