公开(公告)号：KR1020160035378A

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：KR1020140126891

申请日：2014-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리우빈 ,  김성민 ,  마에다

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7831

Abstract: 반도체장치는액티브층, 게이트구조물, 스페이서및 소스/드레인층을포함한다. 액티브층은기판상에형성되어게르마늄(Ge)을포함하며, 제1 게르마늄농도를갖는제1 영역, 및제1 영역양측에접하여제1 영역으로부터멀어질수록점차높아지는상면을가지며제1 게르마늄농도보다작은제2 게르마늄농도를갖는제2 영역을포함한다. 게이트구조물은액티브층의제1 영역상에형성된다. 스페이서는액티브층의제2 영역상에형성되어게이트구조물측벽에접촉한다. 소스/드레인층은액티브층의제2 영역에인접한다.

Abstract translation: 具有优异特性的半导体器件包括有源层，栅极结构，间隔物和源极/漏极层。 有源层形成在基板上，并包括锗（Ge）。 活性层包括具有第一Ge浓度的第一区域和第二区域，其上表面接触第一区域的两侧并从第一区域逐渐上升，并且具有低于第一Ge浓度的第二GE浓度。 栅极结构形成在有源层的第一区域上。 间隔物形成在有源层的第二区域上并且接触栅极结构的侧壁。 源极/漏极层与有源层的第二区域相邻。

公开(公告)号：KR1020160005550A

公开(公告)日：2016-01-15

申请号：KR1020140084619

申请日：2014-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리우빈 ,  김성민

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892

Abstract: 본발명의기술적사상에따른반도체소자는, 기판상에있는핀 구조, 핀구조에형성된한 쌍의소스및 드레인, 상기핀 구조에서한 쌍의소스및 드레인사이에있는채널영역, 채널영역상에있는게이트유전층, 및게이트유전층상에있는게이트라인을포함하고, 핀구조는펀치쓰루방지층, 펀치쓰루방지층상부에실리콘보다격자상수가큰 물질로이루어진상부핀 구조, 펀치쓰루방지층하부에기판과같은물질로이루어진하부핀 구조를포함하는것을특징으로하는것이다.

Abstract translation: 根据本发明的技术思想的半导体器件包括：衬底上的翅片结构，在翅片结构上形成的一对源极和漏极，鳍片结构中的一对源极和漏极之间的沟道区域 沟道区上的栅极介电层，以及栅极电介质层上的栅极线。 翅片结构包括穿通防止层，由穿通防止层的上部具有比硅更大的晶格常数的材料制成的上部翅片结构以及由其制成的下部翅片结构 作为穿孔防止层下部的基材的材料。

公开(公告)号：KR102241974B1

公开(公告)日：2021-04-19

申请号：KR1020140126891

申请日：2014-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리우빈 ,  김성민 ,  마에다

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 반도체장치는액티브층, 게이트구조물, 스페이서및 소스/드레인층을포함한다. 액티브층은기판상에형성되어게르마늄(Ge)을포함하며, 제1 게르마늄농도를갖는제1 영역, 및제1 영역양측에접하여제1 영역으로부터멀어질수록점차높아지는상면을가지며제1 게르마늄농도보다작은제2 게르마늄농도를갖는제2 영역을포함한다. 게이트구조물은액티브층의제1 영역상에형성된다. 스페이서는액티브층의제2 영역상에형성되어게이트구조물측벽에접촉한다. 소스/드레인층은액티브층의제2 영역에인접한다.

公开(公告)号：KR101817660B1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：KR1020150170661

申请日：2015-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리우빈 ,  진홍시아 ,  왕나

IPC: G06F3/048 ,  G06F3/0484

CPC classification number: G06F21/6218 ,  G06F21/6254 ,  G06F2221/2111 ,  G06F2221/2127 ,  G06N99/005

Abstract: 사용자인터페이스를동작시키는제어부와상기제어부와연결되어서비스타입에대한퍼미션(permission) 레벨을조정하기위한액세스환경설정과연결된어플리케이션을표시하고, 디바이스에서의어플리케이션의동작을제어하기위해리소스타입에액세스하는서비스타입에대한퍼미션레벨을변경하는사용자입력을수신하는사용자인터페이스를포함하는전자시스템을개시한다.

公开(公告)号：KR1020160081789A

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020150170661

申请日：2015-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리우빈 ,  진홍시아 ,  왕나

IPC: G06F3/048 ,  G06F3/0484

CPC classification number: G06F21/6218 ,  G06F21/6254 ,  G06F2221/2111 ,  G06F2221/2127 ,  G06N99/005

Abstract: 사용자인터페이스를동작시키는제어부와상기제어부와연결되어서비스타입에대한퍼미션(permission) 레벨을조정하기위한액세스환경설정과연결된어플리케이션을표시하고, 디바이스에서의어플리케이션의동작을제어하기위해리소스타입에액세스하는서비스타입에대한퍼미션레벨을변경하는사용자입력을수신하는사용자인터페이스를포함하는전자시스템을개시한다.

Abstract translation: 公开了一种电子系统，包括：操作用户界面的控制部分; 以及连接到控制部分的用户界面，并且显示连接到用于调整服务类型的许可级别的访问配置的应用，并且接收改变访问资源类型以控制的服务类型的许可级别的用户输入 应用程序在设备中的操作。 因此，可以提高个人信息的安全性。