公开(公告)号：KR100632473B1

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020040061163

申请日：2004-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경우 ,  맹재열 ,  김재학 ,  오일환 ,  신홍재

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76826

Abstract: 염기성 물질 확산 장벽막을 사용하는 미세 전자 소자의 듀얼 다마신 배선제조 방법이 제공된다. 듀얼 다마신 제조 방법은 비아를 (RSiO
3/2 )x(HSiO
3/2 )y 로 표시되고, x+y=1 이고 0

Abstract translation: 提供了一种使用基本材料扩散阻挡膜来制造微电子器件的双镶嵌布线的方法。 双镶嵌制造方法使用过孔（RSiO）

公开(公告)号：KR1020060012462A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：KR1020040061163

申请日：2004-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경우 ,  맹재열 ,  김재학 ,  오일환 ,  신홍재

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/76826

Abstract: Methods of fabricating dual damascene interconnections suitable for use in microelectronic devices and similar applications using a diffusion barrier layer to protect against base materials during processing are provided. The methods include the steps of: filling a via with a hydrogen silsesquioxane (HSQ)-based filler as expressed by the general chemical formula: (RSiO 3/2 )x(HSiO 3/2 )y, wherein x and y satisfy the relationships x+y=1 and 0