公开(公告)号：KR20210037629A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020210034361A

申请日：2021-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양시영 ,  김성길 ,  김정환 ,  문금비

IPC: H01L25/065 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 기판 상에, 제1 방향으로 교대로 적층된 복수의 전극간 절연층 및 복수의 워드라인을 포함하는 적층 구조체, 및 적층 구조체를 관통하는 채널 홀의 프로파일을 따라 순차적으로 제2 방향으로 형성된 배리어층, 전하 저장층, 터널 절연층 및 채널층을 포함하는 수직 구조체를 포함하되, 적층 구조체는 제1 서브 적층 구조체 및 제1 서브 적층 구조체 상의 제2 서브 적층 구조체를 포함하고, 제1 및 제2 서브 적층 구조체 사이에 배치된 전극간 절연층은 적층체간 절연층이고, 적층체간 절연층 및 수직 구조체는 인(P)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020210037629A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020210034361

申请日：2021-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양시영 ,  김성길 ,  김정환 ,  문금비

IPC: H01L25/065 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11578

Abstract: 반도체메모리장치가제공된다. 반도체메모리장치는기판상에, 제1 방향으로교대로적층된복수의전극간절연층및 복수의워드라인을포함하는적층구조체, 및적층구조체를관통하는채널홀의프로파일을따라순차적으로제2 방향으로형성된배리어층, 전하저장층, 터널절연층및 채널층을포함하는수직구조체를포함하되, 적층구조체는제1 서브적층구조체및 제1 서브적층구조체상의제2 서브적층구조체를포함하고, 제1 및제2 서브적층구조체사이에배치된전극간절연층은적층체간절연층이고, 적층체간절연층및 수직구조체는인(P)을포함한다.