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公开(公告)号：KR1019960000807B1
公开(公告)日：1996-01-12
申请号：KR1019920000154
申请日：1992-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/00
Abstract: The secondary ion mass spectrometry is characterized in that a secondary ion generating part has a pulse voltage generator to generate a voltage in turns, and a spectrum may be an electrostatic spectrum capable of changing the direction of the electrode, or a magnetic spectrum having exits in two directions.
Abstract translation: 二次离子质谱法的特征在于，二次离子产生部件具有脉冲电压发生器以依次产生电压，并且光谱可以是能够改变电极的方向的静电光谱或者具有出射的磁谱 两个方向
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公开(公告)号：KR1019950005091B1
公开(公告)日：1995-05-18
申请号：KR1019910017192
申请日：1991-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/25
Abstract: a scanning electron microscope for observing the minute particles by scanning an electomagnetic wave; a chamber part for receiving and shifting an wafer by employing a cathode luminescence detector for detecting an electo magnetic wave having wavelength of ultraviolet ray area; a back scattering electron detector for displaying the form of the impurity particle by converging electrons sprung out when the electron beam collides with the impurity particle; and a wavelength dispersive X-ray analyser made of crystals and an X-ray detector to detect the X-ray wave and analyse it.
Abstract translation: 扫描电子显微镜，用于通过扫描电磁波观察微小颗粒; 通过采用用于检测具有紫外线波长区域的电磁波的阴极发光检测器来接收和移动晶片的室部分; 背面散射电子检测器，用于当电子束与杂质颗粒碰撞时会聚电子弹出杂质颗粒的形式; 和由晶体制成的波长色散X射线分析仪和X射线检测器，以检测X射线波并对其进行分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930018676A
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019920002925
申请日：1992-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 MOS구조를 가지는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 게이트절연막으로서 보론(Boron)의 확산 억제력이 우수한 옥시나이트라이드(Oxynitride)막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 N
2 O 가스와 제1 반응물질을 반응시켜 산화막을 형성시키는 제1 공정과, 상기 산화막에 N
2 O 가스를 반응시켜 상기 반도체기판과의 계면 부위에서 소정의 질소함량을 지닌 옥시나이트라이드막을 형성시키는 제2 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 의해 제조된 옥시나이트라이드막은 반도체 기판과의 계면부위에서 질소함량이 증가되어 게이트에서부터 시작되는 보론의 확산을 억제하는데 큰 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR201284910000Y1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR2019920016299
申请日：1992-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 문환구
IPC: G01N23/225
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公开(公告)号：KR2019940006178U
公开(公告)日：1994-03-22
申请号：KR2019920016299
申请日：1992-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 문환구
IPC: G01N23/225
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