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公开(公告)号：KR1020150104712A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026377
申请日：2014-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01L21/76871 , C23C14/185 , C23C14/3464 , H01L21/2855 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 막 증착 시스템은 RF 스퍼터링 공정이 수행되는 제1 증착 챔버, DC 스퍼터링 공정이 수행되는 제2 증착 챔버, 제1 증착 챔버 및 제2 증착 챔버 사이에서 기판을 전달하는 이송 챔버, 제1 증착 챔버 내부에 배치된 제1 타겟에 RF 파워를 인가하는 RF 파워 공급부 및 제2 증착 챔버 내부에 배치된 제2 타겟에 DC 파워를 인가하는 DC 파워 공급부를 포함한다. RF 스퍼터링 공정 및 DC 스퍼터링 공정을 조합하여 균일한 프로파일의 도전막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 层沉积系统包括：用于执行RF溅射工艺的第一沉积室; 用于进行DC溅射工艺的第二沉积室; 输送室，其在第一和第二沉积室之间输送基板; 将RF功率施加到布置在第一淀积室中的第一靶的RF电源部; 以及将直流电力施加到布置在第二沉积室中的第二靶的直流电源部。 可以通过组合RF溅射工艺和DC溅射工艺来形成均匀轮廓的导电层。
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公开(公告)号：KR1020040095055A
公开(公告)日：2004-11-12
申请号：KR1020030028652
申请日：2003-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A vacuum system of a semiconductor substrate processing apparatus is provided to prevent interference between a roughing tube and a service monitor by installing the roughing tube to the opposite side of the service monitor. CONSTITUTION: A vacuum system of a semiconductor substrate processing apparatus includes a high vacuum pump connected to a load lock chamber, a fore line valve installed at a main tube, and a roughing valve and a roughing pump installed at a roughing tube. The roughing tube includes the first roughing tube(252) connected to the high vacuum pump, the second roughing tube(256) connected to the roughing valve, and a connection member(258) for connecting the first roughing tube to the second roughing tube. The first roughing tube is extended to a service monitor. The second roughing tube is extended from the connection member to the high pressure pump.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体基板处理装置的真空系统，通过将粗管安装到服务监视器的相对侧来防止粗糙管与维修监视器之间的干扰。 构成：半导体衬底处理设备的真空系统包括连接到负载锁定室的高真空泵，安装在主管上的前线阀，以及安装在粗管上的粗抽阀和粗抽泵。 粗加工管包括连接到高真空泵的第一粗加工管（252），连接到粗加工阀的第二粗加工管（256）和用于将第一粗轧管连接到第二粗轧管的连接部件（258）。 第一个粗加工管延伸到服务监视器。 第二粗加工管从连接构件延伸到高压泵。
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公开(公告)号：KR1020070054855A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050112915
申请日：2005-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K17/08112 , H02H5/04 , H02H7/205
Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 과전류 보호 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전류를 열로 소모시키는 제동 저항부에 인가되는 전류의 흐름을 조절하는 회로에 사용되는 트랜지스터의 과전류 보호 장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 트랜지스터의 과전류 보호 장치는 외부 전원을 통하여 연결된 제동 저항부; 상기 제동 저항부에 연결되어 상기 외부 전원의 공급을 조절하는 전원 제어부; 컬렉터는 전원 제어부에 연결되고, 이미터는 접지에 연결된 바이폴라 트랜지스터; 상기 트랜지스터의 베이스에 연결되어 상기 베이스에 주기적으로 동작신호를 입력하는 신호 입력부; 및 상기 신호 입력부의 동작신호에 따라 상기 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터와 이미터 사이의 전압을 감지하고, 그 결과를 상기 전원 제어부에 전달하는 전압 감지부를 포함한다.
제동 저항부, 이온주입장비, 스핀 디스크, 전원 제어부
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