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公开(公告)号：KR1020170035635A
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：KR1020150134764
申请日：2015-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/3115 , H01L21/3205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L21/3105 , H01L21/67115 , H01L21/76814 , H01L21/76825
Abstract: 층간절연층 및배선을갖는반도체소자형성방법에관한것이다. 기판상에층간절연층을형성한다. 상기층간절연층 내에개구부를형성한다. 상기개구부를갖는상기층간절연층에마이크로웨이브(Microwave)를조사하여디개싱(degassing) 공정을수행한다. 상기개구부를갖는상기층간절연층에유브이(UV)를조사하여 K-값복구(K-value recovery) 공정을수행한다. 상기개구부내에도전층을형성한다. 상기디개싱공정및 상기 K-값복구공정은인-시츄(in-situ) 공정으로수행한다.
Abstract translation: 层间绝缘层和布线。 在衬底上形成层间绝缘层。 并且在层间绝缘层中形成开口。 将微波施加到具有开口的层间绝缘层以执行脱气过程。 通过用UV光照射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复处理。 导电层形成在开口中。 脱气过程和K值恢复过程通过原位过程进行。
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公开(公告)号：KR1020150104712A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026377
申请日：2014-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01L21/76871 , C23C14/185 , C23C14/3464 , H01L21/2855 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 막 증착 시스템은 RF 스퍼터링 공정이 수행되는 제1 증착 챔버, DC 스퍼터링 공정이 수행되는 제2 증착 챔버, 제1 증착 챔버 및 제2 증착 챔버 사이에서 기판을 전달하는 이송 챔버, 제1 증착 챔버 내부에 배치된 제1 타겟에 RF 파워를 인가하는 RF 파워 공급부 및 제2 증착 챔버 내부에 배치된 제2 타겟에 DC 파워를 인가하는 DC 파워 공급부를 포함한다. RF 스퍼터링 공정 및 DC 스퍼터링 공정을 조합하여 균일한 프로파일의 도전막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 层沉积系统包括：用于执行RF溅射工艺的第一沉积室; 用于进行DC溅射工艺的第二沉积室; 输送室，其在第一和第二沉积室之间输送基板; 将RF功率施加到布置在第一淀积室中的第一靶的RF电源部; 以及将直流电力施加到布置在第二沉积室中的第二靶的直流电源部。 可以通过组合RF溅射工艺和DC溅射工艺来形成均匀轮廓的导电层。
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