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公开(公告)号：KR1019980039931A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059049
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 튜브에 적재된 다수매의 웨이퍼를 챔버내에 넣어 공정이 수행될 수 있도록 하고, 공정이 수행된 웨이퍼를 다시 챔버로부터 꺼낼 수 있도록 된 반도체 확산공정설비의 웨이퍼 이송용 로더에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 다수매의 웨이퍼가 적재된 튜브의 이송이 원활하게 이루어지도록 하는 베어링 조립체(30)의 베이스(32)와 베어링(33) 사이에 설치된 베어링 블록(34)(35)을 구비하는 반도체 확산공정설비의 웨이퍼 이송용 로더에 있어서, 상기 베어링 블록(34)(35)에 걸리는 하중이 분산되도록 이들 사이에 또 다른 베어링 블록(36)을 추가 설치하여 이루어진다.
따라서 다수매의 웨이퍼를 적재한 튜브의 이송시 웨이퍼의 편심하중이 추가 설치된 베어링 블록에 의해 분산되므로 라이너와의 마모가 감소되는 것이고, 이로써 마모로 인해 발생되는 이물질에 의해 기능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100765328B1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060008950
申请日：2006-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 민경일
Abstract: 본 발명은 내선 가입자의 선택에 따라 수신되는 통화 호에 대한 수신 거부 정보 또는 피해자 정보를 제공하는 적어도 하나 이상의 내선 단말과, 각 내선 단말로부터 수신 거부 정보가 제공되면, 해당 통화 호의 발신 전호 번호 정보를 악의적 전화 번호 정보와, 통화 호의 수신 시간 정보를 저장하고, 신고 센터로 악의적 전화 번호 정보 및 수신 시간 정보를 전송하여, 악의적 전화 번호 정보를 신고하는 교환기를 포함하는 사설 교환 시스템을 개시함으로써, 내선 가입자가 악의적인 전화 통화를 거부함은 물론, 불법 스팸 대응 센터로 악의적인 전화 번호 정보를 신속하고, 편리하게 신고할 수 있도록 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020070078565A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060008950
申请日：2006-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 민경일
CPC classification number: H04M3/2281 , H04M3/436
Abstract: A method and an apparatus for reporting a malicious call in a private switching system are provided to enable an extension subscriber not only to reject a malicious call, but also to rapidly and conveniently report information about the phone number from which a malicious call is originated to an associated illegal spam processing center. A private switching system comprises a plurality of extension terminals and a private exchange(200). Each of the extension terminals provides reception denial information or victim information related to a received traffic call according to each extension subscriber's selection. The private exchange(200), if reception denial information is provided from an extension terminal, stores origination phone number information of the traffic call as malicious phone number information together with information about the time when the traffic call is received. Also the private exchange(200) reports the malicious call by transmitting the malicious phone number information and the reception time information to a report center.
Abstract translation: 提供一种用于在专用交换系统中报告恶意呼叫的方法和装置，以使分机用户能够不仅拒绝恶意呼叫，而且可以快速方便地将关于恶意呼叫发起的电话号码的信息发送到 相关的非法垃圾邮件处理中心。 专用交换系统包括多个分机终端和私人交换机（200）。 每个分机终端根据每个分机用户的选择提供与接收到的业务呼叫相关的接收拒绝信息或受害者信息。 私人交换机（200）如果从分机终端提供接收拒绝信息，则将该业务呼叫的发起电话号码信息作为恶意电话号码信息连同关于接收到该呼叫的时间的信息一起存储。 此外，私人交换机（200）通过将恶意电话号码信息和接收时间信息发送到报告中心来报告恶意呼叫。
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公开(公告)号：KR200191155Y1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR2019950007814
申请日：1995-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 고안은 반도체 장치의 장벽금속(barrier metal)으로 사용되는 Ti 막질의 열처리에 있어서 발생할 수 있는 막질의 비정상적인 변화를 방지하는 반도체 기판의 열처리 장치에 관한 것이다.
본 고안의 열처리장치는 일단이 가스주입구에 연결되어 운송자(carrier)에 적재된 다수의 웨이퍼를 열처리 하기 위한 프로세스 튜브와, 상기 프로세스 튜브의 타단에 접속되고 자동개폐기(Auto Door)가 장착된 엘레펀트(Elephant)튜브와, 상기 엘레펀트 튜브와 미세 배기홀을 통한 배기자바라(Exhaust Javara)에 의해 연결되어 상기 프로세스 튜브내의 가스 유속 및 유량을 조절하기 위한 배기본체(40)를 포함하고, 상기 배기본체에 배기량을 제어하기 위한 밸브로서 압력계의 유동 및 플로우(flow) 유지에 반작용이 없는 정밀한 볼 밸브(ball valve)를 사용하여, 유량등의 공정조건 상의 제약없이 웨이퍼의 공정불량을 억제한다.-
公开(公告)号：KR1019960039244A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019950009449
申请日：1995-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 불순물 침투 공정용 테스트 웨이퍼의 재생방법에 관한 것으로, 테스트 웨+이퍼에 형성된 불순물 침투층을 물리적 또는 화학적 방법으로써 분리제거하여 웨이퍼의 표면을 불순물 침투 이전 상태로 회복시켜 재사용 가능하게함으로써, 반도체 칩 생산원가를 감소시키고 나아가 폐실리콘 기판으로 야기될 수도 있는 환경문제 해결에도 일조할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020030058841A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020020000066
申请日：2002-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 민경일
IPC: H01L21/316
Abstract: PURPOSE: A method for forming a sacrificial oxide layer using a wet oxidation is provided to prevent yield from being decreased by preventing a wafer from being damaged and contaminated and by making a threshold voltage not drop. CONSTITUTION: The wafer inserted into a tube is loaded into a reaction furnace maintained at a temperature of 650 deg.C. Oxygen gas is injected into the reaction furnace in an atmosphere of 650 deg.C, in an atmosphere in which the temperature is increased to 800 deg.C and in an atmosphere of a stable temperature of 800 deg.C. Hydrogen gas and oxygen gas are further injected into the reaction furnace in the atmosphere of 800 deg.C and the wafer is wet-oxidized. Nitrogen gas is injected to the reaction furnace in the atmosphere of the stable temperature of 800 deg.C, in an atmosphere in which the temperature is slowly decreased to 650 deg.C and in an atmosphere of a stable temperature of 650 deg.C and a purification process is performed. The wafer is unloaded at a temperature of 650 deg.C and is cooled.
Abstract translation: 目的：提供一种使用湿氧化形成牺牲氧化物层的方法，以防止晶片被损坏和污染，并且通过使阈值电压不下降来防止产量降低。 构成：将插入管中的晶片装载到维持在650摄氏度的反应炉中。 在650℃的气氛中，在温度升高至800℃的气氛和800℃的稳定气氛中，将氧气注入反应炉内。 在800摄氏度的气氛中，将氢气和氧气进一步注入反应炉中，并将晶片湿式氧化。 将氮气在稳定温度为800摄氏度的气氛中，在温度缓慢降至650℃，稳定温度为650摄氏度的气氛中，向反应炉内注入， 进行净化处理。 将晶片在650℃的温度下卸载并冷却。
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