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公开(公告)号：KR100684887B1
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020050010750
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F3/064 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리를 포함한 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치는 플래시 메모리와 컨트롤러를 포함한다. 상기 플래시 메모리는 FAT 정보를 저장한다. 그리고 상기 컨트롤러는 머지 동작 시 상기 FAT 정보를 참조하여 상기 플래시 메모리의 데이터 블록에 저장된 데이터를 새로운 데이터 블록으로 선택적으로 복사한다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법은 FAT 정보를 참조하여 머지 동작을 선택적으로 수행하기 때문에 종래의 머지 방법에 비하여 머지 동작 시간을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060089491A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010750
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F3/064 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리를 포함한 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치는 플래시 메모리와 컨트롤러를 포함한다. 상기 플래시 메모리는 FAT 정보를 저장한다. 그리고 상기 컨트롤러는 머지 동작 시 상기 FAT 정보를 참조하여 상기 플래시 메모리의 데이터 블록에 저장된 데이터를 새로운 데이터 블록으로 선택적으로 복사한다. 본 발명에 따른 데이터 저장 장치 및 그것의 머지 방법은 FAT 정보를 참조하여 머지 동작을 선택적으로 수행하기 때문에 종래의 머지 방법에 비하여 머지 동작 시간을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100389867B1
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010031124
申请日：2001-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0679 , G06F13/4239 , G06F2212/2022 , G06F2212/7203
Abstract: A flash memory management method is provided. According to the method, when a request to write the predetermined data to a page to which data has been written is made, the predetermined data is written to a log block corresponding to a data block containing the page. When a request to write the predetermined data to the page again is received, the predetermined data is written to an empty free page in the log block. Even if the same page is requested to be continuously written to, the management method allows this to be processed in one log block, thereby improving the effectiveness in the use of flash memory resources.
Abstract translation: 提供了一种闪存管理方法。 根据该方法，当向写入了数据的页面写入预定数据的请求被写入时，预定数据被写入与包含该页面的数据块相对应的日志块。 当接收到再次向页面写入预定数据的请求时，预定数据被写入日志块中的空闲空闲页面。 即使请求连续写入同一页面，管理方法也可以在一个日志块中处理，从而提高使用闪存资源的效率。
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公开(公告)号：KR100681429B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050100406
申请日：2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F11/10
Abstract: A semiconductor memory device and a bit error detection method thereof are provided to correct the bit error with an ECC(Error Checking and Correction) circuit and detect the bit error not detected in the ECC circuit by using a CRC(Cyclic Redundancy Check) circuit. The CRC circuit(230) generates a write CRC code for data to be stored in a cell array(210). Each ECC circuit(240,250) generates an ECC code for the data, and detects and corrects the bit error of the data by using the ECC code in a read operation. The CRC circuit generates a read CRC code for the data corrected by the ECC circuit during the read operation, and detects the error bit of the data by comparing the read CRC code with the write CRC code. The CRC circuit includes a CRC engine receiving the data corrected by the ECC circuit and generating the read CRC code, and a comparator generating a pass signal in case that both codes are matched and generating a fail signal in the case that both codes are unmatched.
Abstract translation: 提供半导体存储器件及其位错误检测方法，用ECC（错误检查和校正）电路校正位错误，并通过使用CRC（循环冗余校验）电路检测在ECC电路中未检测到的位错误。 CRC电路（230）为要存储在单元阵列（210）中的数据生成写入CRC码。 每个ECC电路（240,250）产生用于该数据的ECC码，并且通过在读取操作中使用该ECC码来检测和校正该数据的比特错误。 CRC电路在读取操作期间为由ECC电路校正的数据生成读取CRC码，并且通过将读取的CRC码与写入CRC码进行比较来检测数据的错误位。 CRC电路包括接收由ECC电路校正的数据并产生读取的CRC码的CRC引擎，以及在两个码匹配的情况下产生通过信号的比较器，并且在两个码不匹配的情况下产生失败信号。
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公开(公告)号：KR100672996B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050011301
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 장치는 데이터를 저장하는 플래시 메모리와 상기 플래시 메모리의 상태 정보에 대한 메타 데이터를 저장하는 하나 이상의 FRAM을 가지며, 전원 공급이 차단된 후 다시 전원이 공급될 때 상기 FRAM에 있는 상기 메타 데이터를 읽어 상기 플래시 메모리의 동작을 복구하는 플래시 메모리 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking6.发明授权
公开(公告)号：KR100578143B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040109826
申请日：2004-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/14
Abstract: 여기에 제시되는 저장 시스템은 데이터를 저장하는 저장 매체와; 상기 저장 매체에 쓰여질 데이터를 임시 저장하는 버퍼 메모리와; 그리고 외부로부터 쓰기 되물리기 정보가 입력될 때, 상기 임시 저장된 데이터를 상기 저장 매체로 옮겨쓰는 작업을 무효화시키는 제어 장치를 포함한다.
Abstract translation: 这里公开的存储系统包括：用于存储数据的存储介质; 缓冲存储器，用于临时存储要写入存储介质的数据; 和回弹从当信息被输入的外部，并为无效的操作以写入暂时存储在存储介质中的传输的数据的控制装置的信。
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公开(公告)号：KR100755702B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020050130822
申请日：2005-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0866 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/222 , G06F2212/282 , G06F2212/7211
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치 및 그 동작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전원이 차단된 경우에도 데이터가 남아있는 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치는, 주 저장 매체, 상기 주 저장 매체의 캐쉬로 사용되며, 데이터의 고정 여부에 따라 고정 영역 및 비고정 영역을 포함하는 비휘발성 메모리, 및 상기 비휘발성 메모리에 할당되는 블록을 관리하는 블록 관리부를 포함한다.
비휘발성 메모리, 캐쉬, 블록 회수, 정전 복구-
公开(公告)号：KR1020070068807A
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020050130822
申请日：2005-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0866 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/222 , G06F2212/282 , G06F2212/7211
Abstract: A storage device using a non-volatile memory as a cache and management method thereof are provided to safely recover data after sudden power-off by dividing an area of the non-volatile memory as a fixed and unfixed area according to fixation of the data, and managing the areas. The storage device includes a main storage medium(110), the non-volatile memory(120) used as a cache of the main storage medium and including the fixed/unfixed area, and a block manager(130) managing blocks assigned to the non-volatile memory. The block manger manages the area of the non-volatile memory by converting the non-volatile memory into a circular structure. Two points for dividing the fixed and unfixed area are set in the circular structure. The two points is a point assigning the blocks in the fixed and unfixed area, and the last point assigning the blocks.
Abstract translation: 提供一种使用非易失性存储器作为缓存的存储装置及其管理方法，用于通过根据数据的固定将非易失性存储器的区域划分为固定和未固定区域来安全地恢复突发断电后的数据， 并管理这些地区。 存储装置包括主存储介质（110），用作主存储介质的高速缓存并且包括固定/未固定区域的非易失性存储器（120），以及块管理器（130），其管理分配给非存储介质 非易失存储器 块管理器通过将非易失性存储器转换成圆形结构来管理非易失性存储器的区域。 在圆形结构中设置用于分割固定和未固定区域的两个点。 两点是分配固定和非固定区域中的块的点，以及分配块的最后一个点。
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公开(公告)号：KR1020060090088A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011301
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/06 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F13/1668 , G11C14/0027
Abstract: 본 발명에 따른 메모리 장치는 데이터를 저장하는 플래시 메모리와 상기 플래시 메모리의 상태 정보에 대한 메타 데이터를 저장하는 하나 이상의 FRAM을 가지며, 전원 공급이 차단된 후 다시 전원이 공급될 때 상기 FRAM에 있는 상기 메타 데이터를 읽어 상기 플래시 메모리의 동작을 복구하는 플래시 메모리 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020080021211A
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060082979
申请日：2006-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/16
Abstract: A computing system having a scheme capable of invalidating data stored in a buffer memory is provided to prevent unnecessary write operation of the stored in the buffer memory, and control the write operation of invalid data stored in the buffer memory by referring to validity/invalidity information, which is received from an upper level, of the data stored in the buffer memory. A buffer memory(240) temporarily stores the data to be stored to a storage device(220). A memory(120) stores a device driver needed for managing the buffer memory. A controller(260) controls the buffer memory by using the device driver. The controller manages write state information, which is used for invalidating the data temporarily stored in the buffer memory when the temporarily stored data is processed as the invalid data, by using a mapping table(261). The controller updates the write state information by the information related to the temporarily stored data.
Abstract translation: 提供一种能够使存储在缓冲存储器中的数据无效化的方案的计算系统，以防止存储在缓冲存储器中的不必要的写入操作，并且通过参考有效/无效信息来控制存储在缓冲存储器中的无效数据的写入操作 从上层接收存储在缓冲存储器中的数据。 缓冲存储器（240）临时存储要存储的数据到存储装置（220）。 存储器（120）存储用于管理缓冲存储器所需的设备驱动器。 控制器（260）通过使用设备驱动器来控制缓冲存储器。 控制器通过使用映射表（261）管理写入状态信息，该状态信息用于使临时存储的数据被作为无效数据处理时临时存储在缓冲存储器中的数据无效。 控制器通过与临时存储的数据相关的信息来更新写状态信息。
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