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公开(公告)号：KR1019990010445A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970033241
申请日：1997-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K3/14
Abstract: 본 발명은 화학기계적 연마용 조성물의 제조방법에 관한 것이다. 상기 제조방법은 (a) 연마제와, 산성 또는 염기성 수용액을 혼합하여 수용성 슬러리를 제조하는 단계와 (b) 상기 슬러리내에 함유된 연마제의 입자 크기를 조절하는 단계를 포함하는데, 상기 (b)단계가 슬러리액을 연속적으로 원심분리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 종래의 여과방법과는 달리, 슬러리액내에 함유된 연마제 입자 크기를 적절하게 제어하는 공정 자체가 간편하며, 소정입자 크기를 갖는 연마제만을 선택적으로 이용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980031015A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050503
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: CMP 공정에서 연마패드의 표면 상태를 효과적으로 복원할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 복원장치에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은 다수의 구멍을 갖는 다이아몬드 디스크와, 상기 다수의 구멍 내부에 장착되는 브러시와, 상기 브러시와 연결되고 상기 다이아몬드 디스크와 일정한 간격으로 떨어진 보조디스크와, 상기 다이아몬드 디스크와 보조디스크간의 간격을 조절하면서 상기 다이아몬드 디스크의 표면으로부터 브러시의 돌출 길이를 제어할수 있는 높이조절 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMP 장비의 연마패드 복원장치를 제공한다. 따라서, 기존의 다이아몬드 디스크와 나이론 브러시의 장점을 조합하여 CMP 장비의 연마패드를 보다 효과적으로 초기 상태로 복원할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 복원장치를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100190051B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019960023695
申请日：1996-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박계선
IPC: H01L21/304
Abstract: 연마 패드를 사용하지 않는 화학기계적 연마 장치를 개시한다. 상하 진동운동이 가능한 아암과, 상기 아암에 접속되어 웨이퍼를 장착할 수 있는 웨이퍼 캐리어와, 담겨진 웨이퍼를 연마할 수 있는 연마제와 화학적 성분을 가진 연마 용액과, 상기 연마 용액에 초음파를 전달하는 저장 욕조로 이루어진 것을 특징으로 하는 연마 패드를 사용하지 않는 화학기계적 연마 장치를 제공하는 것이다.
상기 초음파는 10kHz에서 100kHz 사이의 범위의 초음파 또는 100kHz 이상의 메가소닉(megasonic) 범위를 사용하는 것이 바람직히다.
따라서, 본 발명에 의하면 연마 패드를 사용하지 않고 초음파의 진동수와 진폭을 조절함으로써 초음파가 슬러리를 통하여 웨이퍼의 전면에 고르게 압력을 가하므로 웨이퍼 표면의 금속이 균일한 연마가 이루어질 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980034362A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052392
申请日：1996-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조과정에 사용되는 슬러리 공급장치 및 이 장치를 이용한 슬러리 공급방법에 관해 개시한다. 슬러리 공급튜브에 슬러리 응집 방지 수단을 구비한다. 따라서 슬러리 공급튜브내의 슬러리의 응집을 항시 방지할 수 있고 이 장치를 사용하여 슬러리를 공급함에 따라 양질의 응집이 배제된 슬러리를 폴리싱 패드에 공급하여 웨이퍼의 스크래치를 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990074301A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007783
申请日：1998-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 마이크로 스크래치 발생을 최소화하는 반도체 장치의 평탄화 식각 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 형성된 소정의 막을 평탄화 식각 하기 위해 용기(container) 내에서 최소한의 기간(2T) 이상으로 에이징 된 슬러리를 준비한다. 이때, 상기 슬러리 에이징은 슬러리 원액 또는 사용 농도로 희석된 슬러리를 에이징 시키는 것으로, 상기 에이징 기간 동안 비교적 무거운 슬러리 입자는 용기의 하부 영역에 모이게 된다. 상기 무거운 슬러리 입자를 포함하지 않는 용기의 상부 영역의 슬러리를 사용하여 상기 소정의 막을 평탄화 식각 한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 슬러리를 최소한의 기간(2T) 이상으로 에이징 시킴으로써, 평탄화 식각 공정시 슬러리 내에 분포된 비교적 무거운 슬러리 입자에 의해 발생되는 마이크로 스크래치 발생을 최소화 할 수 있고, 슬러리 품질이 평탄화 식각 공정에 주는 영향을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100207514B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960050503
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: CMP 공정에서 연마패드의 표면 상태를 효과적으로 복원할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 복원장치에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은 다수의 구멍을 갖는 다이아몬드 디스크와, 상기 다수의 구멍 내부에 장착되는 브러시와, 상기 브러시와 연결되고 상기 다이아몬드 디스크와 일정한 간격으로 떨어진 보조디스크와, 상기 다이아몬드 디스크와 보조디스크간의 간격을 조절하면서 상기 다이아몬드 디스크의 표면으로부터 브러시의 돌출 길이를 제어할수 있는 높이조절 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CMP 장비의 연마패드 복원장치를 제공한다. 따라서, 기존의 다이아몬드 디스크와 나이론 브러시의 장점을 조합하여 CMP 장비의 연마패드를 보다 효과적으로 초기 상태로 복원할 수 있는 CMP 장비의 연마패드 복원장치를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980065729A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000842
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박계선
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 평탄화 방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 반도체장치의 평탄화 방법은 기판의 전면에 형성되는 절연층 사이에 산화성 물질막을 형성한 다음 절연막의 전면을 평탄화한후 상기 산화성 물질막을 패턴의 조밀도가 높은 영역에서 제거하고 패턴의 조밀도가 낮은 영역에서는 산화성 물질막을 남겨둔다. 이 상태에서 결과물을 산화시켜 상기 산화성 물질막을 산화시켜서 상기 패턴의 조밀도가 낮은 영역의 두께를 상기 패턴의 조밀도가 높은 영역의 높이와 동일하게 한다.
따라서 기판의 전면에서 패턴의 조밀도에 무관하게 결과물을 평탄화할 수 있으므로써 후속 공정의 안정성을 보장할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100292615B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019980007783
申请日：1998-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method for planarization etch process of a semiconductor device is provided to minimize generation of micro-scratch by performing a planarization etch process. CONSTITUTION: A container(2) is filled with a slurry. The slurry is formed with an oxide layer slurry. The oxide layer slurry is colloid suspension, which is formed by mixing an abrasive particles(6a,6b) such as silica particles or CeO2 particles with pH adjuster and deionized water(4). The silica particles are formed with light particles(6a) and heavy particles(6b). The slurry is aged within the container(2) during a predetermined time. The heavy slurry particles are accumulated on a bottom part of the container(2) during the aging period. A predetermined layer is planarized by using the slurry particles of an upper region of the container(2).
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公开(公告)号：KR100238213B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960052392
申请日：1996-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조과정에 사용되는 슬러리 공급장치 및 이 장치를 이용한 슬러리 공급방법에 관해 개시한다. 슬러리 공급튜브에 슬러리 응집 방지 수단을 구비한다. 따라서 슬러리 공급튜브내의 슬러리의 응집을 항시 방지할 수 있고 이 장치를 사용하여 슬러리를 공급함에 따라 양질의 응집이 배제된 슬러리를 폴리싱 패드에 공급하여 웨이퍼의 스크래치를 방지할 수 있다.
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