이온 주입 장치
    1.
    发明授权
    이온 주입 장치 失效
    用于将离子植入的装置

    公开(公告)号:KR100673006B1

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:KR1020050064421

    申请日:2005-07-15

    Inventor: 박금식

    Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로, 더미 웨이퍼를 포함하는 다수매의 웨이퍼에 특정의 이온을 주입하는 이온 주입 장치에 있어서 상기 더미 웨이퍼는 상기 특정의 이온별로 개별적으로 사용되고, 상기 특정의 이온별로 개별적으로 사용되는 더미 웨이퍼를 개별적으로 보관하는 다수개의 더미 웨이퍼 카세트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 더미 웨이퍼 카세트가 다수개 설치되어 있어서 도핑 이온별로 더미 웨이퍼를 별도로 보관하여 이온 주입 공정에 사용할 수 있게 된다. 따라서, 하나의 더미 웨이퍼를 공용으로 사용함으로써 발생하는 교차 오염 문제를 해결하여 웨이퍼의 가공 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
    반도체, 웨이퍼, 이온 주입 장치, 더미 웨이퍼 카세트

    이온주입시스템의 진공처리 장치
    2.
    发明授权
    이온주입시스템의 진공처리 장치 失效
    用于离子植入物的真空控制装置

    公开(公告)号:KR100195865B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019960022348

    申请日:1996-06-19

    Inventor: 박금식

    Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 이온주입시스템의 진공처리 장치에 있어서 이온주입시스템의 프로세스챔버를 배기하여 고진공상태로 하기위한 과정에서 진공라인의 저진공정도를 검출하기 위한 저진공측정용게이지가 진공라인에 결합되는 구조에 관한 것으로서, 그 구성은 이온주입이 진행되는 프로세스챔버를 진공상태로 유지하기 위한 진공펌프(10) 및 상기 프로세스챔버와 상기 진공펌프사이에 있는 진공라인(20)을 구비하고, 또한 상기 진공라인(20)의 진공상태를 검출하기 위해 연통되어 있는 진공측정라인(40)과 상기 진공라인(20)과; 상기 진공측정라인(40)사이에서 전기적 제어에 의해 개폐작동하는 제1밸브(50)와 상기 진공측정라인(40)과 그의 배기구(41)사이에 설치되어 있는 제2밸브(60) 및; 상기 제1밸브(50)와 재2밸브(60)사이에서 상기 진공측정라인(40)에 설치되어 있는 진공측정용 게이지(30)를 포함한다.

    웨이퍼 이송 장치
    3.
    发明公开
    웨이퍼 이송 장치 无效
    转移装置

    公开(公告)号:KR1020070010933A

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:KR1020050065936

    申请日:2005-07-20

    Inventor: 정세흔 박금식

    CPC classification number: H01L21/67742 H01L21/6719

    Abstract: A wafer transfer apparatus is provided to improve maintenance efficiency of the wafer transfer apparatus by enabling an operating member to approach an overall region inside a chamber. A wafer transfer apparatus includes at least one robot arm(150), a chamber, and cover units(120,130). The robot arm is arranged inside the chamber. A front portion and/or an upper portion of the chamber are opened. The cover unit opens and closes the front and/or the upper portion of the chamber. The chamber has an opened side portion and at least one open/close unit(200). The open/close unit opens and closes the side portion. At least on window unit, through which the robot arm is monitored from outside, is formed on the cover unit.

    Abstract translation: 提供晶片传送装置,以通过使操作部件接近室内的整个区域来提高晶片传送装置的维护效率。 晶片传送装置包括至少一个机械臂(150),腔室和盖单元(120,130)。 机器人臂布置在室内。 打开室的前部和/或上部。 盖单元打开和关闭室的前部和/或上部。 腔室具有敞开的侧部和至少一个打开/关闭单元(200)。 打开/关闭单元打开和关闭侧面部分。 至少在盖单元上形成有从外部监测机器人手臂的窗单元。

    이온주입 설비용 이온 소스 헤드
    4.
    发明公开
    이온주입 설비용 이온 소스 헤드 无效
    用于离子植入设备的离子源头

    公开(公告)号:KR1020010002285A

    公开(公告)日:2001-01-15

    申请号:KR1019990022021

    申请日:1999-06-14

    Inventor: 박금식

    Abstract: PURPOSE: An ion source head for an ion implantation equipment is to precisely determine when to replace the ion source head, by attaching a high temperature detecting sensor in a lower end of an arc chamber. CONSTITUTION: An ion source head comprises a plate-type first plate(100), lower supports(104a), upper supports(104b), the second plate(108), an arc chamber(112), anode plates(116), the third plate(118), a pipe(120), a connector(120) and a high temperature detecting sensor(124). The lower supports are inserted through the first plate by having a sealing material(102) between the lower supports, facing each other and disposed on the first plate. The upper supports are respectively connected to the lower supports by having a strap(106) between the upper supports. The plate-type second plate is fixed in a lower portion of the upper supports. The arc chamber is fixed on the second plate by upholding bars. The anode plates facing each other are adhered to upper portions of the upper supports to receive thermal electrons. The third plate has a slit mounted on the arc chamber. The pipe is connected to a lower end of the arc chamber to supply gas into the chamber. The connector is connected to a lower end of the lower supports to which the filament is adhered. The high temperature detecting sensor is adhered to a lower end of the arc chamber, connected to a display monitor to detect a surface temperature of the chamber and to display the result of the detection.

    Abstract translation: 目的:用于离子注入设备的离子源头是通过将高温检测传感器安装在电弧室的下端来精确确定何时更换离子源头。 构成:离子源头包括板式第一板(100),下支撑件(104a),上支撑件(104b),第二板(108),电弧室(112),阳极板(116), 第三板(118),管(120),连接器(120)和高温检测传感器(124)。 下支撑件通过在下支撑件之间具有彼此面对并设置在第一板上的密封材料(102)插入穿过第一板。 上支撑件通过在上支撑件之间具有带(106)而分别地连接到下支撑件。 板式第二板固定在上支撑件的下部。 电弧室通过支撑杆固定在第二板上。 彼此面对的阳极板粘附到上支撑件的上部以接收热电子。 第三板具有安装在电弧室上的狭缝。 管道连接到电弧室的下端以将气体供应到腔室中。 连接器连接到下部支撑件的下部,其中细丝被粘附到该下部支撑件上。 高温检测传感器粘附到电弧室的下端,连接到显示监视器以检测室的表面温度并显示检测结果。

    이온주입장치
    5.
    发明公开
    이온주입장치 无效
    离子注射装置

    公开(公告)号:KR1020000059963A

    公开(公告)日:2000-10-16

    申请号:KR1019990007922

    申请日:1999-03-10

    Inventor: 박금식

    Abstract: PURPOSE: An ion injection apparatus is to be capable of being partially switched off without switching off a main power to cope with an emergency. CONSTITUTION: In an ion injection apparatus including a source module(10), a beam-line module(20), an end station module(30), a control element(40) for controlling them, and a main emergency machine-off switch(51-58) to deal with an emergency taking place in the modules, a sub emergency machine-off switch(60) is additionally established in a desired module to turn off the power of the desired module only.

    Abstract translation: 目的:离子注入装置能够在不关闭主电源以应付紧急情况的情况下部分关闭。 构成:在包括源模块(10),射束线模块(20),终端站模块(30),用于控制它们的控制元件(40)和主应急切断开关 (51-58)来处理在模块中发生的紧急情况,另外在所需模块中建立副紧急停机开关(60),以仅关闭所需模块的电力。

    이온주입장치의 빔전송부
    6.
    发明公开
    이온주입장치의 빔전송부 无效
    离子植入装置的光束传输部分

    公开(公告)号:KR1020000050402A

    公开(公告)日:2000-08-05

    申请号:KR1019990000263

    申请日:1999-01-08

    Abstract: PURPOSE: A beam transmission part of an ion implantation apparatus is to suppress occurrence of secondary electrons generated by scattered ion beams being collided with side walls of beam transmission part. CONSTITUTION: A beam transmission part(24) of an ion implantation apparatus which receives an ion beam(38) from an ion beam source part(20) and allows the received ion beams to be transmitted to a beam implantation part, the beam transmission part comprises: a first lens(30) disposed in the front of the beam transmission part, for concentrating the transmitted ion beams thereto; an accelerator(28) disposed at the back of the first lens, for accelerating the ion beams concentrated by the first lens; a second lens(32) disposed at the end of the beam transmission part, for concentrating the accelerated ion beam to the beam implantation part; and a filter(34) disposed between the first lens and the accelerator, allowing the ion beams passing through the first lens to be concentrated to the accelerator.

    Abstract translation: 目的:离子注入装置的光束透射部分是为了抑制散射离子束产生的与电子束透射部分侧壁相撞的二次电子的发生。 构成:离子注入装置的光束透射部分(24),其从离子束源部分(20)接收离子束(38)并允许接收的离子束传输到束注入部分,光束透射部分 包括:第一透镜(30),设置在光束透射部分的前面,用于将透射的离子束聚集到其上; 设置在所述第一透镜的背面的加速器(28),用于加速由所述第一透镜聚集的离子束; 设置在光束透射部分的端部处的第二透镜(32),用于将加速的离子束聚集到光束注入部分; 以及设置在第一透镜和加速器之间的过滤器(34),允许通过第一透镜的离子束被集中到加速器。

    이온 주입 장치
    7.
    发明公开
    이온 주입 장치 无效
    离子植入装置

    公开(公告)号:KR1020070007614A

    公开(公告)日:2007-01-16

    申请号:KR1020050062346

    申请日:2005-07-11

    Abstract: An ion implantation apparatus is provided to suppress damage of an extraction electrode by minimizing loss of ion beams penetrating a slit member and the extraction electrode. An ion implantation apparatus includes a source head having a slit member(100) for emitting ions from an arc chamber. A first slit(140) is formed at the slit member. The first slit is formed with a shape of ellipse. A ratio of a short axis and a long axis of the first slit is 1:1.3 to 1:1.4. The short axis of the first slit is 5mm. The long axis of the first slit is 7mm. The ion implantation apparatus further includes an extraction electrode having a second slit. The second slit is larger than the first slit.

    Abstract translation: 提供一种离子注入装置,通过使通过狭缝部件和引出电极的离子束的损失最小化来抑制引出电极的损伤。 离子注入装置包括具有用于从电弧室释放离子的狭缝部件(100)的源头。 第一狭缝(140)形成在狭缝部件处。 第一狭缝形成为椭圆形。 第一狭缝的短轴和长轴的比例为1:1.3〜1:1.4。 第一个狭缝的短轴为5mm。 第一个狭缝的长轴为7mm。 离子注入装置还包括具有第二狭缝的引出电极。 第二狭缝比第一狭缝大。

    웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및웨이퍼 로딩 방법
    8.
    发明授权
    웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및웨이퍼 로딩 방법 失效
    晶圆加载装置,使用其的半导体制造设备以及晶圆加载方法

    公开(公告)号:KR100614649B1

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:KR1020040058755

    申请日:2004-07-27

    Inventor: 이동호 박금식

    CPC classification number: B24B37/345 B24B41/005

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조 설비의 웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및 웨이퍼 로딩 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 고정시키는 고정 부재를 전면에 구비하고 관통공이 형성된 디스크 패드; 및 상기 디스크 패드의 배면에 위치하고, 상기 디스크 패드의 전면에 로딩되는 웨이퍼를 고정시키도록 상기 고정 부재를 푸싱하는 푸싱 부재와, 상기 관통공에 삽입되어 상기 디스크 패드의 전면과 로딩된 웨이퍼의 배면과의 밀착 여부를 감지하는 센싱 부재가 구비된 푸셔를 포함하는 웨이퍼 로딩 장치를 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 로딩하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 본격적인 공정을 진행하기 이전에 센서에 의해 웨이퍼와 디스크 패드와의 밀착성을 정확히 판단할 수 있게 된다. 따라서, 불안정한 웨이퍼 클램핑 상태에서의 공정 진행에 따른 웨이퍼 로스를 최소화하거나 없앨 수 있어서 생산량이나 수율이 향상되는 효과가 있다.

    Abstract translation: 盘形垫本发明涉及一种使用该半导体制造设备,包括用于固定晶片至前一个固定部件和通孔形成在晶片装载装置,半导体制造设备和晶片装载方法; 并且推动构件位于盘垫的后表面上并推动固定构件以固定装载在盘垫的前表面上的晶片, 该晶片装载设备包括推动器,该推动器具有用于感测晶片是否与晶片紧密接触的感测构件。 根据本发明,晶片和盘垫之间的粘合可以在进行全尺寸过程之前由传感器准确地确定。 因此,可以最小化或消除由于在不稳定的晶片夹持状态下的工艺进程而导致的晶片损失,并且可以提高产量和产量。

    웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및웨이퍼 로딩 방법
    9.
    发明公开
    웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및웨이퍼 로딩 방법 失效
    加热装置,使用它的半导体制造装置及其加载方法

    公开(公告)号:KR1020060010152A

    公开(公告)日:2006-02-02

    申请号:KR1020040058755

    申请日:2004-07-27

    Inventor: 이동호 박금식

    CPC classification number: B24B37/345 B24B41/005

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조 설비의 웨이퍼 로딩 장치, 이를 이용한 반도체 제조 설비 및 웨이퍼 로딩 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 고정시키는 고정 부재를 전면에 구비하고 관통공이 형성된 디스크 패드; 및 상기 디스크 패드의 배면에 위치하고, 상기 디스크 패드의 전면에 로딩되는 웨이퍼를 고정시키도록 상기 고정 부재를 푸싱하는 푸싱 부재와, 상기 관통공에 삽입되어 상기 디스크 패드의 전면과 로딩된 웨이퍼의 배면과의 밀착 여부를 감지하는 센싱 부재가 구비된 푸셔를 포함하는 웨이퍼 로딩 장치를 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 로딩하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 본격적인 공정을 진행하기 이전에 센서에 의해 웨이퍼와 디스크 패드와의 밀착성을 정확히 판단할 수 있게 된다. 따라서, 불안정한 웨이퍼 클램핑 상태에서의 공정 진행에 따른 웨이퍼 로스를 최소화하거나 없앨 수 있어서 생산량이나 수율이 향상되는 효과가 있다.

    이온주입기의 로드록챔버
    10.
    发明公开
    이온주입기의 로드록챔버 无效
    离子植入装置的负载锁定室

    公开(公告)号:KR1020010010824A

    公开(公告)日:2001-02-15

    申请号:KR1019990029923

    申请日:1999-07-23

    Inventor: 박금식

    Abstract: PURPOSE: A load lock chamber is to prevent an O-ring from being scratched due to opening/closing of a door and to increase a process productivity and reliability by applying horizontal and vertical movement to the door together. CONSTITUTION: A load lock chamber of an ion implantation device comprises: a main body(11); a frame(13) connected to a front side of the main body and having an O-ring for maintaining vacuum in the frame; a door(15) for opening and closing the main body to carry in and out a wafer cassette; a cylinder(17) and a roller(19) for moving the door vertically; and a unit connected to the cylinder for horizontally moving the door to prevent damage of the O-ring. Preferably, the unit for horizontally moving the door may be a cylinder(21) or a gear. The door is advanced in a predetermined distance horizontally from the frame by the cylinder. Then, the door is moved downwards vertically by the cylinder and the roller to be opened. After the door is opened, a wafer cassette is carried in the main body and loaded.

    Abstract translation: 目的:负载锁定室是为了防止O型圈由于门的打开/关闭而被划伤,并且通过将门水平和垂直运动一起施加在门上来提高工艺生产率和可靠性。 构成:离子注入装置的负载锁定室包括:主体(11); 框架(13),其连接到所述主体的前侧并具有用于在所述框架中保持真空的O形环; 用于打开和关闭主体以携带和离开晶片盒的门(15); 气缸(17)和用于垂直移动门的辊(19); 以及连接到气缸的单元,用于水平地移动门以防止O形环的损坏。 优选地,用于水平移动门的单元可以是圆筒(21)或齿轮。 门通过气缸从框架水平预定的距离前进。 然后,门通过缸和滚筒垂直向下移动以打开。 打开门后,将晶片盒装入主体并装载。

Patent Agency Ranking