Abstract:
보호막의 손실을 최소화할 수 있는 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 소자의 보호막 형성방법에서, 상기 포토레지스트 조성물은 수소 결합 화합물 및 열경화성 수지를 포함한다. 열경화성 수지 분자간의 상호 결합력을 증가시켜, 현상과정에서 발생할 수 있는 보호막의 손실을 최소화할 수 있다.
Abstract:
레졸을 함유하는 수지용액, 이를 사용하여 형성된 열경화수지막 및 이를 사용하여 열경화수지막을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 수지용액은 유기용매 및 상기 유기용매에 용해된 레졸(resol)의 혼합물이다. 상기 수지용액은 가교제(cross-linking agent) 및 감광성 화합물(photo active compound)중 적어도 하나를 더 함유할 수 있다. 상기 수지용액을 약 120℃ 내지 250℃의 낮은 온도에서 하드 베이크시키면, 상기 레졸분자들이 서로 반응하거나 상기 레졸분자들 및 상기 가교제가 서로 반응하여 열경화 수지막(cured resin layer)을 형성한다.
Abstract:
A method for indirectly testing adhesive force between an epoxy molding compound layer and a polyimide layer of a semiconductor package using a test device is provided to improve accuracy of an adhesive force measurement. A specific section having weak adhesive force between a main polyimide layer(14) and a main epoxy molding compound(17) in a semiconductor package(10) is detected. A test device having a dummy polymide layer and a dummy epoxy molding compound pattern contacting thereto is formed so as to have a structure identical to that of the specific section. Adhesive force between the dummy epoxy molding compound pattern and the dummy polyimide layer is measured. The dummy polyimide layer is formed on a test chip and then a test substrate is attached onto the dummy polyimide layer. The test substrate includes a window for exposing a certain region of the dummy polyimide layer. The dummy epoxy molding compound pattern covers the window.
Abstract:
보호막의 손실을 최소화할 수 있는 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 소자의 보호막 형성방법에서, 상기 포토레지스트 조성물은 수소 결합 화합물 및 열경화성 수지를 포함한다. 열경화성 수지 분자간의 상호 결합력을 증가시켜, 현상과정에서 발생할 수 있는 보호막의 손실을 최소화할 수 있다.
Abstract:
레졸을 함유하는 수지용액, 이를 사용하여 형성된 열경화수지막 및 이를 사용하여 열경화수지막을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 수지용액은 유기용매 및 상기 유기용매에 용해된 레졸(resol)의 혼합물이다. 상기 수지용액은 가교제(cross-linking agent) 및 감광성 화합물(photo active compound)중 적어도 하나를 더 함유할 수 있다. 상기 수지용액을 약 120℃ 내지 250℃의 낮은 온도에서 하드 베이크시키면, 상기 레졸분자들이 서로 반응하거나 상기 레졸분자들 및 상기 가교제가 서로 반응하여 열경화 수지막(cured resin layer)을 형성한다.
Abstract:
PURPOSE: A method of fabricating a semiconductor device using a photo-sensitive polyimide layer is provided to prevent the exposure of the photo-sensitive polyimide layer due to abnormal irradiation of light by forming a photoresist layer on the photo-sensitive polyimide layer. CONSTITUTION: A photo-sensitive polyimide layer(59) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(51). A photoresist layer(61) is formed on an upper surface of the photo-sensitive polyimide layer. A thickness of the photoresist layer is 500 angstrom or less than 500 angstrom. An exposure process for the photoresist layer and the photo-sensitive polyimide layer is performed using a photo mask.
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for analyzing physical properties of an organic coating layer are provided to use the organic coating layer having superior physical properties for fabricating a semiconductor device by analyzing the physical properties of the organic coating layer varying in real time according to a change of a temperature. CONSTITUTION: An apparatus for analyzing physical properties of an organic coating layer includes a substrate(101) having an organic coating layer. The organic coating layer is formed on the substrate by using a spin-coater(10). The spin-coater(10) includes a spin-chuck(103) and a nozzle(105). The spin-chuck(103) rotates the substrate(101), and the nozzle(105) sprays an organic matter towards the rotated substrate. The substrate(101) having the organic coating layer is not subject to a change of a temperature. The substrate(101) includes a photo resist film, an organic anti-reflective coating layer, and a polyimide layer.
Abstract:
폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 상기 폴리머막 형성용 조성물은 폴리하이드록시 스티렌 수지와 실리콘을 포함하는 교차결합 화합물과 용매를 포함한다. 그리고, 상기 패턴형성 방법은 상기 조성물을 식각 대상물 상에 도포하여 폴리머막을 형성한 후 상기 폴리머막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 그러므로, 내식각성이 우수한 폴리머막을 형성할 수 있다.
Abstract:
폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 상기 폴리머막 형성용 조성물은 폴리하이드록시 스티렌 수지와 실리콘을 포함하는 교차결합 화합물과 용매를 포함한다. 그리고, 상기 패턴형성 방법은 상기 조성물을 식각 대상물 상에 도포하여 폴리머막을 형성한 후 상기 폴리머막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 그러므로, 내식각성이 우수한 폴리머막을 형성할 수 있다.
Abstract:
감광성 폴리이미드막을 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 반도체기판 상부에 감광성 폴리이미드막 및 포토레지스트막을 차례로 형성하는 것을 구비한다. 상기 포토레지스트막은 500Å 또는 그보다 작은 두께로 형성한다. 상기 포토레지스트막 및 상기 감광성 폴리이미드막을 포토 마스크를 사용하여 노광시킨다. 상기 노광 공정 동안 상기 포토 마스크의 바코드 영역 및/또는 마스크 정렬키 영역을 통과하는 반사광들이 발생될지라도, 상기 포토레지스트막의 존재에 기인하여 상기 반사광들에 의해 상기 감광성 폴리이미드막의 소정영역이 노광되는 것을 방지할 수 있다.