-
公开(公告)号：KR1020170073911A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150182672
申请日：2015-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/322 , H01L21/28008 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/788
Abstract: 포토레지스트조성물은포토레지스트고분자및 염료수지의블렌드를포함하며총 중량대비상기염료수지의함량이약 20 중량% 내지약 80 중량%인감광성수지, 광산발생제및 용매를포함한다.
Abstract translation: 光致抗蚀剂组合物包含聚合物和光致抗蚀剂树脂和染料和相对于树脂为约20％至约80％（重量）的密封件重量轻的树脂，所述试剂和溶剂的酸产生剂含量的染料的总重量的共混物。
-
公开(公告)号：KR100599076B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020040038896
申请日：2004-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/122
Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 패터닝을 위한 목적물 상에 도포되고, 모노페닐술포늄염, 트리페닐술포늄염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량%, 폴리머 수지 2 내지 10중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 저면에 푸팅 현상이 발생하지 않으며, 상부의 손실이 없는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 作为图案形成能够防止图案的光刻胶组合物和用途的显影缺陷的方法的光致抗蚀剂，所述组合物被施加在用于图案形成的目标物质，单苯基锍盐，三苯基锍盐，或它们的混合物 0.1至0.5重量％的光酸产生剂，2至10重量％的聚合物树脂和过量的溶剂。 具有上述组成的光刻胶组合物具有垂直轮廓，基脚现象不会在底表面发生，能够形成光致抗蚀图案，而不上的损失。
-
公开(公告)号：KR100527667B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020040001916
申请日：2004-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08G77/50 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L83/06 , C11D1/008 , C11D3/373
Abstract: 포토레지스트 잔류물을 용이하게 제거할 수 있는 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 린스용액을 이용한 린스방법이 개시되어 있다. 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제는 하기식 (1)의 단량체를 중합하여 제조되고 소수성 및 친수성기를 포함한다.
이때, 상기식 (1)에서 R
1 은 비닐기이고, R
2 는 수소기를 의미한다. 이와 같이, 친수성 및 소수성을 갖는 실리콘계 고분기 고분자 계면활성제를 제조하여 제공함으로서 반도체 소자용 린스용액에 사용하여 잔류하는 포토레지스트 잔류물을 용이하게 제거한다.-
公开(公告)号：KR1020050075515A
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：KR1020040003012
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/0751
Abstract: 하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 향상시키면서, 포토레지스트의 잔류를 최소화할 수 있는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트의 패턴의 형성방법이 개시된다. 이를 위하여 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법이 제공된다(단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기(photoacid generator)이다). 현상과정에서 노광된 포토레지스트층과 접착제층이 함께 제거되어 불필요한 포토레지스트의 잔류를 용이하게 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020050015802A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020030054762
申请日：2003-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/312 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a semiconductor device using a photo-sensitive polyimide layer is provided to prevent the exposure of the photo-sensitive polyimide layer due to abnormal irradiation of light by forming a photoresist layer on the photo-sensitive polyimide layer. CONSTITUTION: A photo-sensitive polyimide layer(59) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(51). A photoresist layer(61) is formed on an upper surface of the photo-sensitive polyimide layer. A thickness of the photoresist layer is 500 angstrom or less than 500 angstrom. An exposure process for the photoresist layer and the photo-sensitive polyimide layer is performed using a photo mask.
Abstract translation: 目的：提供一种制造使用光敏聚酰亚胺层的半导体器件的方法，以通过在光敏聚酰亚胺层上形成光致抗蚀剂层来防止光异常照射光敏聚酰亚胺层的曝光。 构成：在半导体衬底（51）的上表面上形成光敏聚酰亚胺层（59）。 光致抗蚀剂层（61）形成在感光性聚酰亚胺层的上表面上。 光致抗蚀剂层的厚度为500埃或小于500埃。 使用光掩模进行光致抗蚀剂层和感光性聚酰亚胺层的曝光处理。
-
Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020040077454A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020040001916
申请日：2004-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08G77/50 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L83/06 , C11D1/008 , C11D3/373 , C11D11/0047 , H01L21/02057
Abstract: PURPOSE: A silicone-based highly branched polymer surfactant and preparation method thereof, and a rinsing method using a rinse solution containing the surfactant are provided to remove the hydrophobic photoresist residues with ease, by substituting the terminal group of a polymer having a hydrophobic siloxane backbone with a hydrophilic carboxyl group. CONSTITUTION: The silicone-based highly branched polymer surfactant comprising both of a hydrophilic group and a hydrophobic group is prepared by: hydrolyzing dimethylchlorosilane to form a dimethylsilanol; reacting the resulted dimethylsilanol with divinylmethylchlorosilane to obtain a monomer of methyldivinylsiloxy dimethylsilane represented by the formula 1, wherein R1 is a vinyl group and R2 is a hydric group; and carrying out polymerization process, which comprises polymerizing the monomers by hydrosilation to prepare a polymer and substituting the terminal group of the resulted polymer with a carboxylic group. The rinsing method using a rinse solution containing the surfactant comprises: forming photoresist patterns on a semiconductor substrate; applying a rinse solution comprised of the silicone-based highly branched polymer surfactant and deionized water onto the photoresist pattern and the semiconductor substrate; releasing the residues of a developing solution and photoresist from the pattern and the substrate; and removing the released residues.
Abstract translation: 目的：提供一种硅基高支化聚合物表面活性剂及其制备方法，以及使用含有表面活性剂的漂洗溶液的漂洗方法，通过用具有疏水性硅氧烷主链的聚合物的末端基取代疏水性光致抗蚀剂残留物 具有亲水性羧基。 构成：通过以下方法制备包含亲水基团和疏水基团的硅氧烷基高支化聚合物表面活性剂：水解二甲基氯硅烷以形成二甲基硅烷醇; 使得到的二甲基硅烷醇与二乙烯基甲基氯硅烷反应，得到由式1表示的甲基二乙烯基甲硅烷氧基二甲基硅烷的单体，其中R1是乙烯基，R2是一个羟基; 并进行聚合过程，其包括通过硅氢化使单体聚合以制备聚合物并用羧基取代所得聚合物的末端基团。 使用含有表面活性剂的冲洗溶液的冲洗方法包括：在半导体衬底上形成光刻胶图案; 将由硅氧烷基高分子量聚合物表面活性剂和去离子水组成的漂洗溶液施加到光致抗蚀剂图案和半导体衬底上; 从图案和衬底释放显影液和光致抗蚀剂的残留物; 并除去释放的残留物。
-
7.发明公开
公开(公告)号：KR1020090067092A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020080129565
申请日：2008-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/128 , G03F7/11
Abstract: A composition for anti-reflective coating containing a polymer for anti-reflective coating is provided to form the pattern of excellent profile by regulating the diffusion of acid in an anti-reflective coating film. A polymer for anti-reflective coating comprises a first repeating unit containing basic functional group of the chemical formula 1, a second repeating unit having a light absorbing functional group and a third repeating unit having crosslinking functional group. In the chemical formula 1, R1 is hydrogen or low alkyl group of C1-C4; X is alkylene, arylene, oxyakylene, alkyleneoxy, oxyarylene, aryleneoxy, carbonyl, oxy, oxycarbonyl, carbonyloxy, carbonyl alkylene, carbonyl arylene, alkylene carbonyl, arylene carbonyl and bivalent selected from them.
Abstract translation: 提供含有抗反射涂层用聚合物的抗反射涂层用组合物，以通过调节抗反射涂膜中酸的扩散来形成优异轮廓的图案。 用于抗反射涂层的聚合物包括含有化学式1的碱性官能团的第一重复单元，具有光吸收官能团的第二重复单元和具有交联官能团的第三重复单元。 在化学式1中，R1是C1-C4的氢或低级烷基; X是亚烷基，亚芳基，氧亚烷基，亚烷氧基，氧亚芳基，亚芳氧基，羰基，氧基，氧羰基，羰氧基，羰基亚烷基，羰基亚芳基，亚烷基羰基，亚芳基羰基和选自它们的二价。
-
公开(公告)号：KR1020080092154A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：KR1020070035669
申请日：2007-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0275 , G03F7/2004 , G03F7/7045 , G03F7/70466
Abstract: A method for forming fine patterns of a semiconductor device is provided to store energy in a photoresist layer even if smaller energy is projected than threshold energy, thereby obtaining the desired fine patterns. A method for forming fine patterns of a semiconductor device comprises the steps of: forming a photoresist layer having threshold energy on a semiconductor substrate(101), the threshold energy corresponding to minimum exposure energy to react to the photoresist layer chemically; projecting a first light having a first energy which is lower than the threshold energy to a first region of the photoresist layer to form a preliminary exposure region maintaining the first energy, the preliminary exposure region limiting a non-exposure region; projecting a second light having a second energy which is lower than the threshold energy to a second region in the preliminary exposure region and to the non-exposure region to convert the second region into an exposure region, the sum of the first and second energies the same and higher as/than the threshold energy; and removing the exposure region selectively to form photoresist patterns(110).
Abstract translation: 提供了一种用于形成半导体器件的精细图案的方法，用于在光刻胶层中存储能量，即使投射的能量小于阈值能量，从而获得所需的精细图案。 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括以下步骤：在半导体衬底（101）上形成具有阈值能量的光致抗蚀剂层，对应于最小曝光能量的阈值能量与光刻胶层化学反应; 将具有低于阈值能量的第一能量的第一光投射到光致抗蚀剂层的第一区域，以形成保持第一能量的初步曝光区域，该预曝光区域限制非曝光区域; 将具有低于阈值能量的第二能量的第二光投射到预曝光区域中的第二区域和将非曝光区域投影到第二区域以将第二区域转换为曝光区域，第一和第二能量之和 相同和高于阈值能量; 并选择性地去除曝光区域以形成光致抗蚀剂图案（110）。
-
公开(公告)号：KR100757341B1
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020060109227
申请日：2006-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0757 , C07F7/21 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/0755 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , Y10S430/146 , Y10S430/167
Abstract: 실록산 화합물, 이를 포함하는 분자 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법에서, 상기 조성물은 실리콘 원자를 포함하는 실록산 화합물 8 내지 14 중량%와, 광산 발생제 0.1 내지 0.5 중량%와 여분의 유기 용매를 포함한다. 상기 분자 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴은 산소 플라즈마를 이용하여 마스크막을 식각할 경우 내식성이 우수하여 마스크 패턴이 형성되기 전에 손실되는 문제점이 발생하지 않는다.
-
10.发明公开
公开(公告)号：KR1020060084094A
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020050004099
申请日：2005-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다.
......(1)
(상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)Abstract translation: 在光敏聚合物，光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂图案包括它是由重复以下通式（1）的单元的相同的，光敏聚合物的制造方法具有1,000的分子量为100,000。 为了最大限度地提高在光致抗蚀剂膜显影的部分的溶解度的曝光区域和未曝光的差异，并且因此，也以形成更精确的精细图案，并在同一时间，有可能以最小化线边缘粗糙度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.029 seconds)
