公开(公告)号：KR1020040012052A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：KR1020020045409

申请日：2002-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남헌 ,  박수관

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A reaction gas supply system of etch equipment for fabricating a semiconductor is provided to supply process gas of a uniform pressure to a process chamber and minimize a process defect by mixing various reaction gases in a gas mixing unit to form process gas wherein the pressure of the reaction gases is firstly controlled through a plurality of individual supply lines and by including a gas stabilizing line in a united supply line such that the gas stabilizing line readjusts the pressure of the process gas through a final pressure adjusting unit. CONSTITUTION: Gas from a bombe in which various reaction gases are classified and filled is supplied to the plurality of individual supply lines(2). A plurality of valves(23), pressure control units(21) and mass flow controllers(22) are installed in the individual supply lines. An integrated supply line(4) generates the process gas generated by mixing the various reaction gases supplied from the individual supply lines. A final valve(41) is installed in the integrated supply line. The gas stabilizing line(3) in which the gas mixing unit(31) and a final pressure control unit(32) are installed is further included in the integrated supply line.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体的蚀刻设备的反应气体供应系统，以将均匀压力的处理气体提供给处理室，并且通过将气体混合单元中的各种反应气体混合以形成工艺气体来最小化工艺缺陷，其中压力 反应气体首先通过多个单独的供应管线控制，并且通过在联合供应管线中包括气体稳定管线，使得气体稳定管线通过最终压力调节单元重新调节工艺气体的压力。 构成：将来自分类和填充各种反应气体的炸弹的气体供给到多个单独的供给管线（2）。 多个阀（23），压力控制单元（21）和质量流量控制器（22）安装在各个供应管线中。 集成供应管线（4）产生通过混合从各个供应管线供应的各种反应气体产生的处理气体。 最终的阀（41）安装在集成供应管线中。 其中安装气体混合单元（31）和最终压力控制单元（32）的气体稳定管线（3）还包括在集成供应管线中。

公开(公告)号：KR1019990034780A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056476

申请日：1997-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박수관 ,  김남헌

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 라이너(liner)를 구비하는 반도체 장치의 제조설비에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조설비는 라이너의 상단부에 다수의 돌기로 구성되는 GDP 지지대를 구비한다. 이에 따라 라이너의 탑 리드를 오픈하기 위한 가스 밴트시 가스가 상기 돌기사이의 틈으로 새어나갈 수 있기 때문에 상기 가스 흐름에 의한 상기 GDP의 흔들림을 최소화할 수 있다. 이 결과, 상기 GDP와 그 지지대의 잦은 충돌에 의해 상기 GDP 가장자리가 깨어지는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030097022A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020020034148

申请日：2002-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남헌 ,  박수관

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: Multi-chamber equipment for fabricating a semiconductor with a stabilized foreline pressure is provided to prevent a vacuum pump from breaking down so that contaminated process byproducts don't flow backward, by uniformly maintaining a stabilized foreline pressure. CONSTITUTION: A plurality of chambers(20a,20b,20c) for fabricating the semiconductor are prepared. A gas supply unit supplies gas to the respective chambers. A turbomolecular pump(30a,30b,30c) is installed in each chamber to pump the gas and process byproducts inside the chamber. The gas and process byproducts pumped by the turbomolecular pump are exhausted through the foreline(35a,35b,35c) in which a pressure gauge is installed. A nitrogen supply line(53a,53b,53c,56a,56b,56c) supplies ballast nitrogen to the turbomolecular pump and the foreline to prevent a backflow of the process gas and process byproducts inside the chamber. A regulator is so installed in each nitrogen supply line to uniformly maintain the stabilized pressure of the foreline in each chamber.

Abstract translation: 目的：提供用于制造具有稳定的前级管线压力的半导体的多腔室设备，以防止真空泵分解，使污染的过程副产物不会向后流动，通过均匀地保持稳定的前级管路压力。 构成：制备用于制造半导体的多个室（20a，20b，20c）。 气体供给单元向各个室供给气体。 涡轮分子泵（30a，30b，30c）安装在每个室中以泵送气体并处理室内的副产物。 通过涡轮分子泵泵送的气体和过程副产物通过其中安装压力计的前级管线（35a，35b，35c）排出。 氮气供应管线（53a，53b，53c，56a，56b，56c）向涡轮分子泵和前级管线供应压载氮，以防止工艺气体的回流和室内的加工副产物。 在每个氮气供应管线中安装调节器，以均匀地保持每个室中前级管线的稳定压力。

公开(公告)号：KR1020020043954A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：KR1020000073428

申请日：2000-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박수관 ,  최정민

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A dry etcher for fabricating a semiconductor device is provided to minimize a process defect that the lower surface of a contact is not located in a precise position because of an abnormal vertical profile of the contact, by forming the contact having an excellent vertical profile while improving uniformity in dry-etching a wafer. CONSTITUTION: An etch process is performed in a chamber. An anode is installed in the upper portion of the chamber. Power for generating plasma to perform the etch process is supplied to the anode. A cathode(34) is installed in the lower portion of the chamber, facing the anode. Power for generating plasma to perform the etch process is supplied to the cathode. A wafer chuck(36) on which a wafer is placed is installed on the cathode. The diameter of the wafer chuck is smaller than that of the wafer. A shadow ring(38) is so formed that the lower surface of the edge of the wafer placed on the wafer chuck is supported at the side surface of the wafer chuck. A protrusion is formed near the side surface of the wafer.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的干蚀刻机，以通过形成具有优异垂直剖面的接触来最小化接触的下表面由于接触的异常垂直轮廓而不位于精确位置的过程缺陷 同时提高干蚀刻晶片的均匀性。 构成：在腔室中进行蚀刻处理。 阳极安装在腔室的上部。 用于产生等离子体以进行蚀刻处理的功率被提供给阳极。 阴极（34）安装在室的下部，面向阳极。 用于产生等离子体以进行蚀刻处理的功率被提供给阴极。 其上放置晶片的晶片卡盘（36）安装在阴极上。 晶片卡盘的直径小于晶片的直径。 阴影环（38）被形成为使得放置在晶片卡盘上的晶片的边缘的下表面被支撑在晶片卡盘的侧表面。 在晶片的侧表面附近形成突起。

公开(公告)号：KR1019990075057A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980009040

申请日：1998-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남헌 ,  박수관

IPC: H01L21/306

Abstract: 냉각시스템의 작동이 멈출 때 식각공정도 동시에 멈출 수 있도록 하는 식각장치의 냉각시스템을 개시한다. 이 시스템은 압축기, 응축기 및 항온조 내를 냉매가 흐르되, 상기 항온조 내의 열교환기를 통하여 상기 냉매가 항온조 내의 냉각액과 열교환을 하며, 상기 냉각액은 펌프에 의해 식각공정이 진행되는 챔버 내의 반도체 기판을 지지하는 전극 내를 흐르면서 상기 전극의 온도상승을 방지하는 식각장치의 냉각시스템에 있어서, 상기 압축기의 전원입력단에 직렬로 연결된 고압차단 스위치와, 상기 압축기와 병렬로 상기 전원입력단에 그 입력단이 병렬로 연결된 식각공정 제어 스위치를 구비하되, 상기 식각공정 제어 스위치의 출력단에 상기 냉각액을 이동시키기 위한 상기 펌프가 연결되어 상기 고압차단 스위치가 열리면 상기 식각공정 제어 스위치의 입력전원이 차단됨으로써 상기 펌프의 작동이 멈추도록 한다.

公开(公告)号：KR1020020087757A

公开(公告)日：2002-11-23

申请号：KR1020010026756

申请日：2001-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남헌 ,  박수관

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An apparatus of manufacturing a semiconductor device having a GDP is provided to prevent leakage of helium and process fail in a thin film formation and an etching process. CONSTITUTION: The apparatus comprises a GDP(40), an electrostatic chuck, a gas supplier, and a chamber for thin film formation or etching. The inner part(42) of the GDP is consists of quartz and the outer part(46) of it is covered with a protection layer(teflon) in order to prevent a damage caused by thin film formation or etching process.

Abstract translation: 目的：提供一种制造具有GDP的半导体器件的装置，以防止氦泄漏，并且在薄膜形成和蚀刻工艺中处理失败。 构成：该装置包括GDP（40），静电卡盘，气体供应器和用于薄膜形成或蚀刻的室。 GDP的内部部分（42）由石英组成，其外部部分（46）被保护层（特氟隆）覆盖，以防止由薄膜形成或蚀刻过程造成的损坏。

公开(公告)号：KR1020000031675A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980047826

申请日：1998-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창순 ,  박수관

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A device for dry etching is provided to improve sealing effect by increasing contacting surface, to easily assemble, and to prevent a deviation while assembling. CONSTITUTION: A device for dry etching contains an electrode base(40) of upper part, a chamber wall(42), and an electrode(44) of upper part located under the electrode base of upper part for being supported by the chamber wall. Herein, the contacting part of the upper electrode and the chamber wall is completely attached without a gap. Therefore, the flat surfaces of the upper electrode and the chamber wall are attached for improving sealing effect. Herein, the most part of a screw cover(48) for fixing is in an inner wall(46) while projecting a certain part to upward for being inserted to the upper electrode while assembling the upper electrode and the chamber wall. Also, the upper electrode contains a groove for corresponding to the inner wall.

Abstract translation: 目的：提供用于干蚀刻的装置，通过增加接触表面，容易组装和防止组装时的偏差来提高密封效果。 构成：用于干蚀刻的装置包括上部的电极基座（40），室壁（42）和位于上部电极基座下方的上部电极（44），用于由腔室壁支撑。 这里，上部电极和室壁的接触部分完全没有间隙地附着。 因此，安装上部电极和室壁的平坦表面以提高密封效果。 这里，用于固定的螺钉盖（48）的大部分在内壁（46）中，同时在组装上电极和室壁的同时向上突出一定部分以插入上电极。 此外，上电极包含用于对应于内壁的凹槽。

公开(公告)号：KR1020000065492A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990011829

申请日：1999-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창순 ,  박수관

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A plasma chamber from which abnormal abrasion on focus ring was removed is provided to enhance the life time of a focus ring and to restrain the deposition of by-products to ESC(electro static chuck) in the etching process. CONSTITUTION: A plasma chamber from which abnormal abrasion of focus ring was removed comprises a circular ESC(100) on which a wafer(112) is laid, a cathode electrode(102) which composes a circular out line of ESC(100), a first lower ring(106) which composes a lower part of a focus ring(104), and a side wall of cathode electrode(102), and a second ring and a third ring(108,110) which mechanically support the first ring(106) and have the characteristics of a dense structure between the focus ring(104) and the first ring(106). Wherein the second and the third ring are distorted to remove the gap between the focus rings, so the deposition of the by-products to ESC is restrained.

Abstract translation: 目的：提供去除聚焦环异常磨损的等离子体室，以提高聚焦环的使用寿命，并抑制蚀刻过程中ESC（静电吸盘）副产物的沉积。 构成：去除聚焦环的异常磨损的等离子体室包括圆形ESC（100），其上放置晶片（112），构成ESC（100）的圆形出线的阴极（102）， 构成聚焦环（104）的下部的第一下环（106）和阴极电极（102）的侧壁，以及机械地支撑第一环（106）的第二环和第三环（108,110） 并且具有在聚焦环（104）和第一环（106）之间的致密结构的特征。 其中第二和第三环变形以去除聚焦环之间的间隙，因此抑制副产物向ESC的沉积。

公开(公告)号：KR1019990075169A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980009228

申请日：1998-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉선 ,  박수관

IPC: H01L21/306

Abstract: 섀도우 링(shadow ring)을 갖춘 반도체 소자 제조용 건식 식각 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 건식 식각 장치는 식각 챔버 내에서 웨이퍼를 지지하는 페데스탈 주위에 설치되어 반응성 이온이 상기 식각 챔버 내부로부터 펌핑 라인으로 빠져나가는 것을 방지하는 섀도우 링을 포함한다. 상기 섀도우 링은 내주측에서 비교적 얇은 두께로 형성된 제1 부분과 외주측에서 비교적 두꺼운 두께로 형성된 제2 부분으로 구성되는 섀도우 링 본체와, 상기 섀도우 링의 제1 부분 위에서 상기 섀도우 링과 착탈 가능하게 결합되고, 상기 섀도우 링과 결합된 상태로 상기 식각 챔버 내에 장착되었을 때 상면의 높이가 상기 페데스탈의 상면의 높이와 동일하게 되는 콜러(collar)를 포함한다.

公开(公告)号：KR100574915B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1019990011829

申请日：1999-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창순 ,  박수관

IPC: H01L21/68

Abstract: 플라즈마 챔버에서 포커스 링의 수명을 연장하고, 웨이퍼를 식각할 때 발생하는 복합부산물이 정전기 척의 모서리 및 포커스 링 하부에 증착되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 식각 챔버에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 웨이퍼가 놓이는 원형의 정전기척(ESC)과, 상기 정전기척 하부에 구성된 캐소오드 전극(cathode electrode)과, 상기 정전기척에서 원형의 외곽을 따라서 구성된 포커스 링(focus ring)과, 상기 캐도오드 전극 측벽 외곽을 따라서 구성되고, 상기 포커스 링 하부에 구성되는 제1 하부링을 구비하는 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 포커스 링(focus ring)과 상기 제1 하부링 사이에는 이격이 발생하지 않는 밀착된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 포커스 링의 이상 마모를 제거한 플라즈마 챔버를 제공한다.