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公开(公告)号:KR1020170059048A
公开(公告)日:2017-05-30
申请号:KR1020150162535
申请日:2015-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/495 , H01L23/00 , H01L23/485 , H01L23/58 , H01L29/40
CPC classification number: H01L33/62 , F21V19/006 , F21V23/02 , F21V29/77 , G02B6/0031 , G02B6/0073 , G02B6/0083 , H01L24/45 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H05B37/0272 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체패키지용본딩와이어는, 은을포함하는코어부, 2nm 내지 23nm 두께로상기코어부를둘러싸며, 금을포함하는쉘층을포함한다. 본발명의실시예에따른반도체패키지는, 제1 및제2 전극구조를가지는패키지본체, 상기제1 및제2 전극구조와각각전기적으로연결되는제1 및제2 전극부를포함하는반도체소자, 및상기제1 및제2 전극구조중 적어도하나와상기반도체소자를연결하는본딩와이어를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的半导体封装的接合线包括含有银的芯部分,所述的部分芯由23nm厚度包围2nm至所述,并且包括外壳层包括金。 根据本发明,包括具有封装体,第一mitje第二电极结构和所述第一mitje第二电极部各自电连接到第一mitje第二电极结构的半导体器件的实施例的半导体封装件,并且所述第一 以及将第一和第二电极结构中的至少一个连接到半导体元件的键合线。