公开(公告)号：KR3009579710000S

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：KR3020170035918

申请日：2017-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이충은 ,  최준혁 ,  김다정 ,  박수연 ,  전상운

公开(公告)号：KR3009326000000S

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR3020170019537

申请日：2017-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 최준혁 ,  김다정 ,  박수연 ,  전상운

公开(公告)号：KR3009579590000S

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：KR3020170019540

申请日：2017-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이충은 ,  최준혁 ,  김다정 ,  박수연 ,  전상운

公开(公告)号：KR1020170011009A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150102849

申请日：2015-07-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박수연 ,  나석희 ,  최윤정 ,  김보근 ,  최규옥

IPC: G06F17/30 ,  G06F3/0484 ,  G06F3/14

CPC classification number: G06F17/30126 ,  G06F3/04817 ,  G06F3/0482 ,  G06F3/04842 ,  G06F3/0485 ,  G06F3/0488

Abstract: 본발명의다양한실시예들은전자장치및 전자장치에서폴더내 객체를관리하기위한방법에관한것으로서, 전자장치는, 표시부및 상기표시부의화면상에적어도하나의객체를포함하는제1 폴더를표시하도록제어하고, 상기제1 폴더에연관된또는상기적어도하나의객체중 선택된객체에연관된적어도하나의추천폴더를상기제1 폴더가표시된화면상에상기제1 폴더와함께표시하도록제어하고, 상기선택된객체가상기적어도하나의추천폴더중 제2 폴더로이동되면, 상기선택된객체가상기제2 폴더내에포함되도록제어하는제어부를포함할수 있다.

Abstract translation: 提供一种用于管理电子设备中的文件夹中的对象的电子设备和方法。 电子设备包括显示单元和控制器，执行控制以在显示单元的屏幕上显示包括至少一个对象的第一文件夹，显示与第一文件夹相关联的至少一个推荐文件夹或从第 在所选择的对象被移动到所述至少一个推荐文件夹中的第二文件夹之后，在显示第一文件夹的屏幕上的至少一个对象以及第一文件夹包括所选择的对象在第二文件夹中。

公开(公告)号：KR3008561590000S

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR3020150040589

申请日：2015-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 최윤정 ,  나석희 ,  박수연

公开(公告)号：KR3009325990000S

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR3020170019533

申请日：2017-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김다정 ,  박수연 ,  전상운 ,  최준혁

公开(公告)号：KR1020140102351A

公开(公告)日：2014-08-22

申请号：KR1020130014989

申请日：2013-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 석성대 ,  하대원 ,  박수연

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/0847

Abstract: A gate all around type semiconductor device is provided. The gate all around type semiconductor device includes a source/drain layer which are separated from each other, a channel layer which is connected to the source/drain layer, and a gate electrode which is partly formed along the circumference of the channel layer. The lower part of the source/drain layer is deeper than the channel layer. An insulating pattern is formed between the lower part of the gate electrode and the lower part of the source/drain layer.

Abstract translation: 提供了一种全周围型半导体器件的门。 栅极全周型半导体器件包括彼此分离的源极/漏极层，连接到源极/漏极层的沟道层，以及沿着沟道层的圆周部分地形成的栅极电极。 源极/漏极层的下部比沟道层更深。 在栅电极的下部和源极/漏极层的下部之间形成绝缘图案。