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1.发明授权열적 안정성이 우수한 실리사이드막 형성방법, 이방법으로 형성된 실리사이드막이 구비된 반도체 소자와반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법 失效形成具有优异热稳定性的硅化物膜的方法，半导体器件和包含由其形成的硅化物膜的半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100738066B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020030086509
申请日：2003-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
CPC classification number: C30B29/52 , C30B1/02 , H01L21/28518 , H01L21/76849 , H01L21/76889 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 열적 안정성이 우수한 실리사이드막 형성방법, 이 방법으로 형성된 실리사이드막이 구비된 반도체 소자와 반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 실리콘 함유 기판 상에 게르마늄막과 니켈막을 순차적을 적층한 다음, 그 결과물을 열처리하여 게르마늄이 포함된 니켈 모노 실리사이드막 형성 방법을 제공하고, 이렇게 형성된 니켈 모노 실리사이드막을 구비하는 반도체 소자와 반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법을 제공한다.
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2.发明公开열적 안정성이 우수한 실리사이드막 형성방법, 이방법으로 형성된 실리사이드막이 구비된 반도체 소자와반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법 失效形成具有优异的热稳定性的硅氧烷膜的方法，包含由其形成的硅氧烷膜的半导体器件和半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050052926A
公开(公告)日：2005-06-07
申请号：KR1020030086509
申请日：2003-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
CPC classification number: C30B29/52 , C30B1/02 , H01L21/28518 , H01L21/76849 , H01L21/76889 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 열적 안정성이 우수한 실리사이드막 형성방법, 이 방법으로 형성된 실리사이드막이 구비된 반도체 소자와 반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 실리콘 함유 기판 상에 게르마늄막과 니켈막을 순차적을 적층한 다음, 그 결과물을 열처리하여 게르마늄이 포함된 니켈 모노 실리사이드막 형성 방법을 제공하고, 이렇게 형성된 니켈 모노 실리사이드막을 구비하는 반도체 소자와 반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100818267B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020030075218
申请日：2003-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28556 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/90 , H01L28/91
Abstract: 산화 문제를 방지할 수 있는 커패시터, 이를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 스택형 커패시터는 알루미늄을 포함한 금속을 포함하는 하부전극과, 산소를 포함하는 반응 가스에 의하여 하부전극 상에 형성된 유전체 층 및 유전체 층 상에 형성된 상부전극을 포함한다. 따라서, 하부전극 및 확산 방지막을 알루미늄(Al) 도핑된 메탈로 형성함으로써, 후속 공정에서 산소를 포함한 가스를 사용하여도 산화 문제가 발생하지 않는다. 또한, 산화 문제를 해결함으로써, TiAlN 하부 전극 사용시 누설전류(leakage current)가 개선되는 효과가 있으며, 하부 전극을 및 확산 방지막을 알루미늄(Al) 도핑된 메탈로 형성함으로써, 후속 공정에서 TiN 또는 일함수 높이가 높은 Ru를 상부에 사용하는 것이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR1020050040160A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075218
申请日：2003-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28556 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/90 , H01L28/91
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