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公开(公告)号：KR20210028396A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109409A
申请日：2019-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F04C29/12 , F04C18/356 , F25B31/02
CPC classification number: F04C18/356 , F04C29/12 , F25B31/02 , F25B31/026 , F04C2210/26 , F05B2210/14
Abstract: 로터리 압축기가 개시된다. 본 로터리 압축기는 외관을 형성하는 케이싱, 내부공간을 가지며, 내부공간에서 편심을 가지고 선회운동하는 롤링피스톤, 롤링피스톤과 접하여 내부공간을 흡입실과 압축실로 구획하는 베인 및 외부와 흡입실을 연결하는 메인 흡입구를 포함하며, 케이싱 내부에 배치된 실린더, 실린더의 상부에 배치된 제1 플랜지 및 실린더의 하부에 배치된 제2 플랜지를 포함하며, 메인 흡입구는 제1 플랜지 및 제2 플랜지 중 적어도 하나가 배치된 방향으로 연장된 서브 흡입구를 포함하고, 제1 플랜지 및 제2 플랜지 중 적어도 하나는 서브 흡입구와 흡입실을 연결하는 유로 홈을 구비한다.
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公开(公告)号：WO2023286943A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2021/018108
申请日：2021-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F04C18/356 , F04C29/02 , F04C23/02 , F04C29/00
Abstract: 횡형 로터리 압축기는 흡입구 및 토출구를 포함하고, 오일이 저류되는 케이스, 흡입구로 유입된 냉매가 수용되는 압축 공간을 갖는 압축 장치, 압축 장치의 일측에 배치되어 압축 장치를 구동시키는 구동 장치, 구동 장치와 압축 장치를 연결하고, 압축 장치를 관통하는 회전축, 압축 장치의 타측에 배치되고, 일단이 회전축과 연결되고, 타단이 오일에 잠기도록 케이스의 하면과 인접하게 배치되는 급유관, 케이스의 내부를 구동 장치가 배치되는 제1 영역과 압축 장치가 배치되는 제2 영역으로 구획하고, 압축 장치로부터 제1 영역으로 압축된 냉매가 토출되는 토출홀 및 상측에 형성되어 제1 및 제2 영역을 연통시키는 제1 홀을 포함하는 제1 플레이트 및 케이스의 내부를 제2 영역과 급유관이 배치되고 토출구와 연통하는 제3 영역으로 구획하고, 상측에 형성되어 제2 및 제3 영역을 연통시키는 제2 홀을 포함하는 제2 플레이트를 포함하고, 제1 및 제2 플레이트는 하단이 케이스의 하면과 이격되어 오일 유로를 형성한다.
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公开(公告)号：WO2023090672A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/KR2022/016358
申请日：2022-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/401 , H04B1/036 , H04B7/0413 , H04W8/24 , H04B1/04
Abstract: 전자 장치는, 적어도 하나의 커뮤니케이션 프로세서, 상기 적어도 하나의 커뮤니케이션 프로세서로부터의 신호에 기반하여 RF(radio frequency) 신호를 제공하도록 설정된 적어도 하나의 RFIC(radio frequency integrated circuit), 및 상기 RF 신호를 처리하여 제공하도록 설정된 제 1 RF 회로 및 제 2 RF 회로를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 커뮤니케이션 프로세서는, 과온도 상태에서, 상기 제 1 RF 회로가 상기 RFIC로부터 제공되는 적어도 하나의 제 1 RF 신호를 처리하도록 상기 전자 장치의 적어도 일부를 제어하고, 상기 제 1 RF 회로가 상기 적어도 하나의 제 1 RF 신호를 처리한 시간의 합계가 지정된 주기 이상임을 확인하고, 상기 제 1 RF 회로가 상기 적어도 하나의 제 1 RF 신호를 처리한 시간의 합계가 상기 지정된 주기 이상임에 기반하여, 상기 제 1 RF 회로의 이용을 중단하고, 상기 제 2 RF 회로가 상기 RFIC로부터 제공되는 적어도 하나의 제 2 RF 신호를 처리하도록 상기 전자 장치의 적어도 일부를 제어 하도록 설정될 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2021045361A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/KR2020/007790
申请日：2020-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F04C29/12 , F04C18/356 , F25B31/02
Abstract: 본 로터리 압축기는 외관을 형성하는 케이싱, 내부공간을 가지며, 내부공간에서 편심을 가지고 선회운동하는 롤링피스톤, 롤링피스톤과 접하여 내부공간을 흡입실과 압축실로 구획하는 베인 및 외부와 흡입실을 연결하는 메인 흡입구를 포함하며, 케이싱 내부에 배치된 실린더, 실린더의 상부에 배치된 제1 플랜지 및 실린더의 하부에 배치된 제2 플랜지를 포함하며, 메인 흡입구는 제1 플랜지 및 제2 플랜지 중 적어도 하나가 배치된 방향으로 연장된 서브 흡입구를 포함하고, 제1 플랜지 및 제2 플랜지 중 적어도 하나는 서브 흡입구와 흡입실을 연결하는 유로 홈을 구비한다.
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公开(公告)号：WO2022260276A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/KR2022/005990
申请日：2022-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F04C29/00 , F25B43/00 , F04C18/356
Abstract: 횡형 압축기에 설치되는 압축기용 어큐뮬레이터는, 횡형 압축기의 중심선에 대해 수직하게 횡형 압축기의 일측에 설치되는 몸체와, 몸체의 하면에서 몸체의 내부로 돌출되는 스탠드 파이프와, 몸체의 측면에 마련되는 흡입구와, 몸체의 내부에 스탠드 파이프의 위에 설치되며, 복수의 배플 구멍을 포함하는 배플, 및 배플의 위에 설치되는 스크린을 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101861084B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020110068607
申请日：2011-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/0483
Abstract: 비휘발성메모리장치, 이의동작방법이개시된다. 상기비휘발성메모리장치의동작방법은 (a) 다수의비휘발성메모리셀들에대한기설정된복수의부가오프셋들을저장하는단계, (b) 상기메모리셀에대하여, 상기프로그램된메모리셀의 CSL 노이즈레벨에상응하여상기부가오프셋들중 어느하나를선택하는단계, (c)상기선택된부가오프셋을 2단계검증전압에반영하는단계및 (d)상기검증전압으로상기프로그램된메모리셀 각각에대한검증을수행하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101775429B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020110000554
申请日：2011-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C16/3454
Abstract: 문턱전압의산포를개선시킬수 있는비휘발성메모리소자의프로그램방법을개시한다. 이를위해본 발명은, 메모리셀에대해제 1 프로그램전압을인가하는프로그램단계및 메모리셀에대한검증단계를포함하는루프단계, 및루프단계가적어도한 번수행되어메모리셀이검증레벨에도달한뒤, 메모리셀이타겟상태에해당하는검증레벨에도달하였는지여부를판단하는제 2 검증단계를포함하고, 제 2 검증단계에서메모리셀이검증레벨에도달하지못한경우, 메모리셀에제 1 프로그램전압보다작은제 2 프로그램전압을인가하여메모리셀을프로그램하는소프트프로그램단계를수행하는것을특징으로하는비휘발성메모리소자의프로그램방법을제공한다.
Abstract translation: 公开了一种能够改善阈值电压的分散的非易失性存储器件的编程方法。 为此，本发明提供一种方法，包括：循环步骤，其包括用于将第一编程电压施加到存储器单元的程序步骤和用于存储器单元的验证步骤，以及循环步骤至少执行一次， 以及确定存储器单元是否已达到对应于目标状态的验证电平的第二验证步骤，其中如果在第二验证步骤中存储器单元未能达到验证电平， 并且通过向非易失性存储器件施加第二编程电压来执行编程存储器单元的软编程步骤。
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公开(公告)号：KR101734204B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020100051748
申请日：2010-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3436
Abstract: 본발명은프로그램시퀀서를포함하는플래시메모리장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른플래시메모리장치는복수의물리페이지로구성되는메모리셀 어레이; 및상기복수의물리페이지가일차적으로프로그램된다음에, 상기복수의물리페이지가이차적으로프로그램되도록프로그램순서를정하기위한프로그램시퀀서를포함한다. 여기에서, 상기일차적프로그램동작의프로그램상태(P0)는상기이차적프로그램동작의비트라인세트업구간에서상기복수의물리페이지에인가되는워드라인전압보다낮은것을특징으로한다. 본발명에의하면, 커플링노이즈, Vpass 디스터번스, 그리고 Vpgm 디스터번스를줄일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括程序定序器的闪存器件。 根据本发明实施例的闪存器件包括：包括多个物理页面的存储器单元阵列; 以及一个程序定序器，用于确定一个程序顺序，从而首先对多个物理页面进行编程，然后对多个物理页面进行二次编程。 这里，主编程操作的编程状态（P0）低于在次编程操作的位线建立周期中施加到多个物理页面的字线电压。 根据本发明，可以降低耦合噪声，Vpass干扰和Vpgm干扰。
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公开(公告)号：KR1020150146013A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140075730
申请日：2014-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박재우
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/038 , G06F2203/04108 , G06F3/0416
Abstract: 본발명의다양한실시예에따르면, 전자장치는, 다층패널(mutiple layers panel)과, 상기다층패널의서로다른레이어에각각배치되는제 1 상부전극및 제 1 하부전극과, 상기다층패널의서로다른레이어에각각배치되는제 2 상부전극및 제 2 하부전극과, 상기제 1 상부전극과상기제 1 하부전극사이의전기장을이용하여접촉터치입력(contact touch input)을감지하기위한제 1 터치컨트롤러, 및상기제 2 상부전극과상기제 2 하부전극사이의전기장을이용하여비접촉터치입력(non-contact touch input)을감지하기위한제 2 터치컨트롤러를포함할수 있다. 다양한다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，电子设备包括：多层面板; 分别设置在多层面板的不同层中的第一上电极和第一下电极; 分别设置在多层面板的不同层中的第二上部电极和第二下部电极; 第一触摸控制器，用于通过使用第一上电极和第一下电极之间的电场来感测接触触摸输入; 以及第二触摸控制器，用于通过使用第二上电极和第二下电极之间的电场来感测非接触触摸输入。 各种其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020140072697A
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020120140512
申请日：2012-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3404 , G11C16/3422
Abstract: A memory device, a memory system and an operating method of the same are disclosed. A method for operating a memory system according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: reading nonvolatile memory cells using a first soft read voltage with a voltage level difference between the first soft read voltage and a first hard read voltage being indicated by a first voltage value; and reading the nonvolatile memory cells using a second soft read voltage which is paired with the first soft read voltage and has a voltage level difference between the second soft read voltage and the first hard read voltage being indicated by a second voltage value. A difference between the first voltage value and the second voltage value corresponds to the degree of asymmetry of adjacent threshold voltage distributions among multiple threshold voltage distributions set for the nonvolatile memory cells of the memory system.
Abstract translation: 公开了一种存储器件，存储器系统及其操作方法。 根据本发明的实施例的用于操作存储器系统的方法包括以下步骤：使用具有第一软读取电压和第一硬读取电压之间的电压电平差的第一软读取电压来读取非易失性存储器单元， 第一电压值; 以及使用与第一软读取电压配对的第二软读取电压读取非易失性存储器单元，并且由第二电压值指示第二软读取电压和第一硬读取电压之间的电压电平差。 第一电压值和第二电压值之间的差异对应于针对存储器系统的非易失性存储器单元设置的多个阈值电压分布中的相邻阈值电压分布的不对称程度。
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