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公开(公告)号：KR1019970018314A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031115
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에서 사용되는 석영유리 제품의 식각에 따른 수명관리 방법에 관한 것으로서, 석영유리의 식각 정도를 육안으로 판단할 수 있는 기준선 또는 마크(Mark)를 미세관리가 필요한 부분에 표시하는 단계； 및 식각되어 없어지는 수를 확인하므로써 최초 사용 시점 기준해서 석영 유리 식각 정도를 계산하여 석영 유리의 계속 사용 여부를 판정할 수 있게 하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 반도체 제조 장치의 웨이퍼 자동 반송장치에 사용되는 석영 유리의 식각 정도에 따라서 웨이퍼 자동 반송 장치의 정열정도(Alignment) 및 프로세스(process)관련한 결함 발생 정도에 크게 영향을 주는 부문에서 특히 그 효과가 크다.
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公开(公告)号：KR1019970030539A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950043253
申请日：1995-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 내부 온도 계측 장치에 관한 것으로서, 반응관 내에서 상하 이동되며 다수의 웨이퍼를 이송하고, 보트의 보트바로 지지되는 웨이퍼의 표면에 공급 가스의 화학 반응에 의해 박막이 침적되는 반도체 소자 제조용 종형 확산로에 있어서, 상기 반응관 내부의 온도를 최근거리에서 계측할 수 있도록 보트바와 평행된 열전대 삽입바가 더 구비된 보트와, 상기 보트를 지지하며 상하이동되는 보트지지 수단과, 상기 보트지지 수단에서 보트로 삽입되며 내부 열전대를 보호할 수 있는 열전대 보호관을 구비하는 것을 특징으로 하여 보다 정확한 공정 온도를 제어함으로써 공정 및 설비의 안정을 도모할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100196423B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950036191
申请日：1995-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 반도체상의 소자격리영역을 형성함에 있어서, 실리콘 기판상에 Si
x O
y N
z 막, 질화막, 포토 레지스트막을 차례로 형성하고, 포토 레지스트막을 패터닝하여 소자격리영역을 한정한 후, 소자격리영역상의 질화막과 Si
x O
y N
z 막을 선택적으로 식각하여 제거한다. 상기와 같은 구조물상에 습식 산화 공정을 실시하면, 소자격리영역으로 필드 산화막이 형성되고, 종래의 소자격리영역상의 문제점이었던 소자격리영역상의 버즈버크 현상이 현저하게 줄어들고, 상대적으로 소자 형성 영역의 넓어짐에 따라, 반도체 소자의 안정화를 기할 수 있으며, 반도체 수율의 향상에도 기여하게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970052077A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059302
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 저압하에서 박막을 형성하는 LPCVD(low-[ressure CVD)장치의 진공펌프에 그 장치의 작동상태를 표시하는 작동표시부를 갖는 박막형성장치에 관한 것으로서, 적어도 상기 진공펌프(30)에 상기 반응챔버(10)의 작동상태를 표시하는 표시부(50)를 구비한다. 상기 박막형성장치에 의하면, 반응챔버와 진공펌프가 서로 이격되어 있어서도 진공펌프에 설치된 표시부에 의해 나타나는 반응챔버의 작동상태를 보면서 진공펌프의 보수작업을 용이하게 할 수 있다.
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