公开(公告)号：KR100328596B1

公开(公告)日：2002-03-15

申请号：KR1019990039484

申请日：1999-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기영 ,  현경호 ,  안중일 ,  구병수

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91 ,  Y10S438/954

Abstract: 본발명은반도체소자제조방법을개시한다. 이에의하면, LPCVD장치에서종래와는달리고압력을유지한상태에서하나의동일한온도에서커패시터의하부전극용다결정실리콘층의패턴상의자연산화막을암모니아가스분위기에서질화하고인시튜(in-situ) 상태로그 위에질화막을적층한다. 그리고나서질화막상에산화막을적층하여 NO 유전막을형성완료하고산화막상에상부전극용다결정실리콘층의패턴을형성한다. 따라서, 본발명은 NO 유전막의하층인전체질화막을품질저하없이도형성시간을단축할수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。 根据该结构，在比运行氮化物和时针管（原位）之前的LPCVD装置状态日志已在电容器在相同温度下的底部电极的多晶硅层上形成图案的自然氧化膜，在该压力在氨气气氛在保留状态 氮化物膜被层压。 然后，在氮化物膜上层叠氧化物膜，形成NO电介质膜，在氧化物膜上形成上部电极多晶硅层的图案。 因此，本发明可以缩短形成时间而不降低作为NO电介质膜的下层的整个氮化物膜的品质。

公开(公告)号：KR1020010027645A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990039484

申请日：1999-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기영 ,  현경호 ,  안중일 ,  구병수

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91 ,  Y10S438/954

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce time for forming a whole nitride layer which is a lower layer of a nitrogen-oxide dielectric layer, without decreasing the quality of the whole nitride layer. CONSTITUTION: A polycrystalline silicon layer(60) pattern for a storage electrode of a capacitor is formed on a silicon substrate. A native oxide layer on the polycrystalline silicon layer is nitridized at an arbitrary temperature by using a low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) process. A nitride layer(71) is stacked on the nitridized native oxide layer on an in-situ state at the same temperature as the arbitrary temperature. An oxide layer is stacked on the nitride layer. A plate electrode pattern is formed on the oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以减少形成氮氧化物介电层的下层的整个氮化物层的时间，而不降低整个氮化物层的质量。 构成：在硅衬底上形成用于电容器的存储电极的多晶硅层（60）图案。 通过使用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺在多晶硅层上的自然氧化层在任意温度下氮化。 在与任意温度相同的温度下，氮化层（71）以原位状态堆叠在氮化的自然氧化物层上。 氧化层层叠在氮化物层上。 在氧化物层上形成平板电极图案。

公开(公告)号：KR1020000037586A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980052213

申请日：1998-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이장혁 ,  이철영 ,  안중일

IPC: H01L21/223

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device fabricating method is provided to effectively implant impurities after forming an HSG layer and implant impurities in a lower electrode with a wanted density. CONSTITUTION: A wafer feeding device section is formed by an argon gas atmosphere. A wafer undergoes an HSG layer forming process. The wafer is fed to the wafer feeding device section. The wafer feeding device section feeds the wafer to a reactor. The interior of the reactor is purged by the argon gas. The wafer undergoes a diffusion process. According to the semiconductor device fabricating method, impurities are effectively implanted after forming an HSG layer and impurities are implanted in a lower electrode with a wanted density.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造方法，用于在形成HSG层之后有效地植入杂质并将杂质植入具有所需密度的下部电极中。 构成：通过氩气气氛形成晶片供给装置部。 晶片经历HSG层形成工艺。 晶片被馈送到晶片馈送装置部分。 晶片馈送装置部分将晶片馈送到反应器。 反应器的内部被氩气吹扫。 晶片经历扩散过程。 根据半导体器件制造方法，在形成HSG层之后有效地注入杂质，并且将杂质以期望的密度注入到下部电极中。

公开(公告)号：KR1020060055822A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020040094986

申请日：2004-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황완구 ,  채승기 ,  박영규 ,  안중일 ,  장경호 ,  김명진

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546

Abstract: 배치 타입 수직형 반응로를 이용하여 기판 상에 티타늄 질화막을 형성하기 위한 방법 및 장치에 있어서, 상기 티타늄 질화막은 TiCl
4 가스를 포함하는 제1소스 가스와 NH
3 가스를 포함하는 제2소스 가스 사이의 반응에 의해 형성된다. 상기 티타늄 질화막이 형성된 후, 상기 티타늄 질화막에 잔류하는 염소는 NH
3 가스를 포함하는 처리 가스에 의해 제거된다. 이어서, 상기 기판을 기 설정된 회전 각도만큼 회전시킨다. 상기 티타늄 질화막의 형성과 처리 및 기판의 회전을 반복적으로 수행함으로써 상기 기판들 상에 균일한 두께를 갖는 티타늄 질화막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100269311B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019970052120

申请日：1997-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경수 ,  김중기 ,  안중일 ,  임정수

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y10S156/912

Abstract: PURPOSE: A wafer strip method is provided to minimize a loss of a wafer, and to enable to strip a number of wafers at the same time, and there is no need to form an additional oxide to reuse the wafer after being stripped. CONSTITUTION: The wafer includes a step of introducing a wafer(200), where a chemical vapor deposited film(220) is formed, into a CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus, and a step of removing the chemical vapor deposited film formed on the wafer by injecting a strip gas into the CVD apparatus. The chemical vapor deposited film is a polysilicon film, and the strip gas injected into a tube is a ClF3 gas and a flux of the strip gas is 500-01000 sccm. The temperature in the tube is 350-450 deg.C and the pressure in the tube is 1.0-2.0 Torr. In order to maintain a constant pressure in the tube, a N2 or Ar gas is injected into the tube while removing the polysilicon film on the wafer.

Abstract translation: 目的：提供晶片条方法以最小化晶片的损耗，并且能够同时剥离多个晶片，并且不需要在剥离之后形成另外的氧化物来再利用晶片。 构成：晶片包括将形成有化学气相沉积膜（220）的晶片（200）引入CVD（化学气相沉积）装置的步骤，以及除去形成在化学气相沉积膜上的化学气相沉积膜的步骤 通过将带状气体注入到CVD装置中。 化学气相沉积膜是多晶硅膜，注入管中的带状气体是ClF 3气体，带状气体的通量为500〜1000sccm。 管中的温度为350-450℃，管中的压力为1.0-2.0乇。 为了在管中保持恒定的压力，将N2或Ar气体注入到管中，同时去除晶片上的多晶硅膜。

公开(公告)号：KR100253089B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970056009

申请日：1997-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최백순 ,  안중일 ,  김진성 ,  김중기

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus is provided to clean the interior of a process chamber in-situ using a cleaning gas supply line, a sampling manifold and a gas analyzer. CONSTITUTION: A chemical vapor deposition apparatus includes a process chamber(10) for performing a deposition process for manufacturing semiconductor devices. A plurality of process gas supply tunes(22) supply a process gas to the process chamber(10). A used gas exhaust tube(24) removes an used gas after the process from the process chamber(10) by means of an exhaust pump(44). A cleaning gas supply tube(10) supplies a cleaning gas to the process chamber(10). A sampling manifold(50) connected to the process chamber(10) samples the gas within the process chamber(10) using the difference in the pressure. A gas analyzer(80) analyzes the sampling gas from the sampling manifold(50).

Abstract translation: 目的：提供一种化学气相沉积设备，以使用清洁气体供应管线，采样歧管和气体分析仪在原位清洁处理室的内部。 构成：化学气相沉积装置包括用于进行用于制造半导体器件的沉积工艺的处理室（10）。 多个工艺气体供应曲调（22）将处理气体供应到处理室（10）。 废气排出管（24）借助于排气泵（44）从处理室（10）处理之后，去除废气。 清洁气体供给管（10）将清洁气体供给到处理室（10）。 连接到处理室（10）的采样歧管（50）使用压力差来对处理室（10）内的气体进行采样。 气体分析器（80）分析来自采样歧管（50）的采样气体。

公开(公告)号：KR1020010108610A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020000029184

申请日：2000-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안중일

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 스크러버(Scrubber)에 관한 것으로, 특히 드라이 스크러버의 내부에 발생하는 파우더를 효과적으로 제거하여 드라이 스크러버의 성능 및 효율을 지속적으로 유지할 수 있는 파우더 집진장치를 내장하는 드라이 스크러버에 관한 기술이이다. 본 발명에서 제안하는 드라이 스크러버는; 설비에서 사용되고 남은 미반응 가스를 제거하기 위한 필터 및 촉매가 각각 별도의 용기로 제작되어 상호 연결부를 통해 연결되어 있는 구조를 형성하고, 상기 필터와 촉매의 연결부 사이에 연결되어 가동 중에 상기 필터 주변에 상기 미반응 가스가 강제 반응을 통해 파우더가 생성되면 상기 파우더를 흡입/포집하는 집진기를 구비함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020000056797A

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019990006443

申请日：1999-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성한 ,  안중일

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to simplify a manufacturing process and to prevent a stress caused by a heat budget, by performing an in-situ operation for forming a silicon nitride layer and an oxidation layer on the silicon nitride layer, in the same chamber. CONSTITUTION: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device comprises the steps of: forming a first conductive layer on a semiconductor substrate; sequentially forming a nitride layer and an oxidation layer on the first conductive layer while forming the layers in the same chamber by using an in-situ method; and forming a second conductive layer on the oxidation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器的方法，以简化制造工艺并通过在硅上形成氮化硅层和氧化层的原位操作来防止由热量预算引起的应力 氮化物层，在相同的室中。 构成：制造半导体器件的电容器的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一导电层; 在第一导电层上依次形成氮化物层和氧化层，同时通过原位法在同一室中形成层; 以及在所述氧化层上形成第二导电层。

公开(公告)号：KR1019990080110A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980013115

申请日：1998-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수 ,  김홍근 ,  조종현 ,  안중일

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 이를 이용하는 방법에 관한 것으로, 특히 캐리어를 스테이지의 전면에서 후면으로 밀면서 캐리어를 고정시키는 반도체 장치의 캐리어 고정 장치 및 캐리어 고정 방법에 관한 것이다. 캐리어를 웨이퍼를 담는 캐리어를 놓는 스테이지와, 스테이지의 전면(前面)에 설치된 캐리어 고정 키 및 스테이지의 전단 상부에 설치되어 캐리어 고정 동작 시 캐리어 고정 키를 지지하는 지지대로 된 캐리어 고정부를 갖는 캐리어 고정 장치의 지지대와 캐리어 고정 키 사이의 스테이지 상에 올려놓는다. 캐리어 고정 키로 캐리어가 지지대에 의해 지지될 때 까지 캐리어를 스테이지 전면에서 후면으로 민다.

公开(公告)号：KR1019990034410A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056009

申请日：1997-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최백순 ,  안중일 ,  김진성 ,  김중기

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 RGA-QMS(Residual Gas Analyzer - Quadrupole Mass Spectrometer)을 사용하여 반도체 웨이퍼에 대한 특정의 공정 수행 후 인시튜(in-situ)로 공정챔버내를 세정하는 공정 레시피 최적화에 관한 것이다.
본 발명의 반도체소자 제조용 화학기상증착장치는, 공정챔버에 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급라인; 공정수행 후의 폐가스를 제거하는 폐가스 배기라인; 공정챔버에 ClF
3 가스를 공급하기 위한 공급라인; 공정챔버내의 가스를 차압을 이용하여 샘플링하는 샘플링 매니폴드; 및 샘플링가스를 분석하는 RGA-QMS를 구비하며, RGA-QMS의 평가를 통하여 공정챔버 세정공정의 가스유량, 압력, 온도에 따른 엔드포인트의 최적화를 이룬다.
따라서, 공정시간의 단축과 설비의 수명연장 및 생산성 향상의 효과가 있다.