公开(公告)号：KR1020090081657A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：KR1020080007647

申请日：2008-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경륜 ,  신희탁 ,  김정훈 ,  이종환 ,  김용현 ,  최창언

IPC: G06F12/00 ,  G06F9/00 ,  G06K19/07

CPC classification number: G06F12/0246

Abstract: A writing and merging method of a memory card system decreasing page copy frequency is provided to differentiate a log block according to an initial writing request or an update request for a corresponding page, thereby removing an ineffective page. A mapping table is searched with a logical address(S110). The write request of a predetermined page is received. Writing is performed in a first log block corresponding to a first data block in which the page is included(S120). The update request of the page is received. Writing is performed in a second log block corresponding to the first data block(S140). The mapping table is updated(S150).

Abstract translation: 提供降低页面复制频率的存储卡系统的写入和合并方法，以根据初始写入请求或对应页面的更新请求区分日志块，从而去除无效页面。 用逻辑地址搜索映射表（S110）。 接收到预定页面的写入请求。 在对应于其中包括页面的第一数据块的第一对数块中执行写入（S120）。 接收到页面的更新请求。 在对应于第一数据块的第二对数块中执行写入（S140）。 映射表被更新（S150）。

公开(公告)号：KR101465789B1

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：KR1020080007647

申请日：2008-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배경륜 ,  신희탁 ,  김정훈 ,  이종환 ,  김용현 ,  최창언

IPC: G06F12/00 ,  G06F9/00 ,  G06K19/07

CPC classification number: G06F12/0246

Abstract: 본 발명은 페이지 복사 횟수를 줄일 수 있는 메모리 카드 시스템의 쓰기 및 병합 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 카드 시스템의 쓰기 방법은 소정의 페이지에 대한 쓰기 요청을 수신하는 단계; 상기 페이지가 포함된 제 1 데이터 블록에 대응하는 제 1 로그 블록에 쓰기를 수행하는 단계; 상기 페이지에 대한 갱신 요청을 수신하는 단계; 및 상기 제 1 데이터 블록에 대응하는 제 2 로그 블록에 쓰기를 수행하는 단계를 포함한다. 또한, 발명에 따른 메모리 카드 시스템의 병합 방법은 제 1 데이터 블록과 대응하는 제 1 로그 블록을 병합하여 제 2 데이터 블록을 생성하는 단계를 포함한다. 여기에서, 상기 제 2 데이터 블록 내 페이지들은 비순차적(out-of-place order) 방식으로 쓰이는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 메모리 카드 시스템은 해당 페이지에 대한 최초의 쓰기 요청인지 갱신 요청인지에 따라 로그 블록을 다르게 함으로써 무효 페이지를 없앨 수 있다. 또한, 본 발명은 데이터 블록 내 페이지들을 비순차적 방식으로 쓰기 동작을 수행함으로써, 병합 동작 시 페이지 복사 횟수를 줄일 수 있다. 본 발명은 이로 인해 메모리 카드 시스템의 성능을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101581857B1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020090072525

申请日：2009-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현주 ,  최창언 ,  전태근 ,  배경륜

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0607 ,  G11C16/32

Abstract: 본발명은불휘발성메모리장치를포함하는메모리시스템의프로그램방법에관한것이다. 본발명에따른상기메모리시스템의프로그램방법은인터리브유닛을구성하는것을포함한다. 상기인터리브유닛은상기메모리시스템이상기불휘발성메모리장치를초기화하는동작에서구성되며, 인터리브동작의단위가된다. 본발명에의하면, 복수의불휘발성메모리장치를포함하는메모리시스템에서, 데이터프로그램동작시불휘발성메모리시스템의속도를향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020110014919A

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020090072525

申请日：2009-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현주 ,  최창언 ,  전태근 ,  배경륜

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0607 ,  G11C16/32

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory system and a method for comprising an interleaving unit are provided to improve the speed of a memory system through an interleaving operation with an interleaving unit. CONSTITUTION: A memory controller comprise super phases about flash memory devices(231,241,251,261). Each memory cell array is divided into a page, a block, and a plane. The flash memory devices include a page buffer unit. A first page is comprised of an LSB page block. A second page is comprised of an MSB page block.

Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器系统和包括交错单元的方法，以通过与交错单元的交织操作来提高存储器系统的速度。 构成：存储器控制器包括关于闪存器件的超阶段（231,241,251,261）。 每个存储单元阵列被分成页面，块和平面。 闪存器件包括页缓冲器单元。 第一页由LSB页块组成。 第二页由MSB页面块组成。

公开(公告)号：KR1020120002760A

公开(公告)日：2012-01-09

申请号：KR1020100063431

申请日：2010-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태민 ,  김정훈 ,  정진우 ,  배경륜

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/06

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418

Abstract: PURPOSE: A data recording method and data recording device for improving operation reliability of an NAND flash memory are provided to improve the reliability of an operation by scrambling data which is recorded in the direction of a word line. CONSTITUTION: In a data recording method and data recording device for improving operation reliability of an NAND flash memory, the address of a memory cell is calculated(S62). The information of the memory cell corresponding to the memory cell address is extracted(S63). A data scramble mode is selected(S64). The data is scrambled(S65). The scrambled data is recorded in the memory cell(S66).

Abstract translation: 目的：提供一种用于提高NAND闪存的操作可靠性的数据记录方法和数据记录装置，以通过对沿字线方向记录的数据进行加扰来提高操作的可靠性。 构成：在用于提高NAND闪存的操作可靠性的数据记录方法和数据记录装置中，计算存储单元的地址（S62）。 提取与存储单元地址对应的存储单元的信息（S63）。 选择数据加扰模式（S64）。 数据被加扰（S65）。 加密数据被记录在存储单元中（S66）。

公开(公告)号：KR1020110097438A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017284

申请日：2010-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정욱 ,  최창언 ,  전태근 ,  배경륜 ,  김현주

IPC: G06F13/16 ,  G06F12/08 ,  G06F9/06 ,  G06F9/44

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F9/453 ,  G06F9/454 ,  G06F12/0895 ,  G06F12/0897 ,  G06F13/1689 ,  G06F13/1694

Abstract: A memory system includes a nonvolatile memory device, a memory controller for controlling the nonvolatile memory device and a virtual data interface layer that manages reading and/or writing of patterned data from/to the nonvolatile memory device. In a read operation, the virtual data interface layer generates patterned data that is requested to be read. Accordingly, a read speed of the memory system may be improved.