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    활물질, 그 제조방법, 이를 포함하는 전극 및 이를 포함한 이차 전지
    3.
    发明授权
    활물질, 그 제조방법, 이를 포함하는 전극 및 이를 포함한 이차 전지 有权
    制备包括活性材料的活性材料电极和包括电极的二次电池的活性材料方法

    公开(公告)号：KR101696902B1

    公开(公告)日：2017-01-17

    申请号：KR1020140098632

    申请日：2014-07-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김령희 ,  이석수 ,  한동욱 ,  베나야드아나스 ,  김주식 ,  장원석

    IPC: H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M10/05 ,  C01G31/02

    Abstract: 하기화학식 1로표시되는바나듐옥사이드를포함하며, 상기바나듐옥사이드의바나듐이복수의산화수의혼합산화상태를가지며, 상기산화수가산화수가 +3의산화상태를갖는활물질, 그제조방법, 및상기활물질을포함하는전극및 이를포함하는이차전지가제시된다. [화학식 1] VO상기화학식 1 중 1.5

    Abstract translation: 本发明涉及活性物质，其制备方法，包含活性物质的电极和包含该电极的二次电池。 提供了含有由以下化学式1表示的氧化钒的活性物质，具有多个氧化数的混合氧化态的氧化钒的钒和具有+3氧化态的氧化数的制备方法 包括活性物质的电极和包含该活性物质的二次电池。 化学式1是VO_x，其中1.5

    트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치
    4.
    发明公开
    트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치 有权
    包含晶体管的晶体管和电子器件

    公开(公告)号：KR1020110064701A

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：KR1020090121407

    申请日：2009-12-08

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 이재철 ,  이창승 ,  오세정 ,  베나야드아나스 ,  정재관 ,  이은하 ,  김상욱

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

    CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742

    Abstract: PURPOSE: A transistor and electronic device with the same are provided to prevent the degradation of a channel layer due to an external environment, thereby obtaining superior reliability. CONSTITUTION: A channel layer(C1) includes a Zn oxide. A source and a drain(D1) contact both ends of the channel layer respectively. A gate insulating layer insulates the channel layer from a gate. The channel layer includes a first side adjacent to a substrate and a second side facing the first side. A channel layer-protection area includes a fluoride group material on the second side.

    Abstract translation: 目的：提供一种晶体管及其电子器件，以防止由于外部环境导致的沟道层的劣化，从而获得优异的可靠性。 构成：沟道层（C1）包括Zn氧化物。 源极和漏极（D1）分别与沟道层的两端接触。 栅极绝缘层将沟道层与栅极绝缘。 沟道层包括与衬底相邻的第一侧和面向第一侧的第二侧。 沟道层保护区域包括在第二侧上的氟化物基材料。

    활물질, 그 제조방법, 이를 포함하는 전극 및 이를 포함한 이차 전지
    6.
    发明公开
    활물질, 그 제조방법, 이를 포함하는 전극 및 이를 포함한 이차 전지 有权
    活性材料，制备活性材料的方法，包括活性材料的电极和包括电极的二次电池

    公开(公告)号：KR1020150024251A

    公开(公告)日：2015-03-06

    申请号：KR1020140098632

    申请日：2014-07-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김령희 ,  이석수 ,  한동욱 ,  베나야드아나스 ,  김주식 ,  장원석

    IPC: H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M10/05 ,  C01G31/02

    CPC classification number: H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052

    Abstract: 하기 화학식 1로 표시되는 바나듐 옥사이드를 포함하며, 상기 바나듐 옥사이드의 바나듐이 복수의 산화수의 혼합 산화 상태를 가지며, 상기 산화수가 산화수가 +3의 산화 상태를 갖는 활물질, 그 제조방법, 및 상기 활물질을 포함하는 전극 및 이를 포함하는 이차 전지가 제시된다.
    [화학식 1]
    VO
    x
    상기 화학식 1 중 1.5

    Abstract translation: 本发明涉及活性物质，其制备方法，包含活性物质的电极和包含该电极的二次电池。 提供了含有由以下化学式1表示的氧化钒的活性物质，具有多个氧化数的混合氧化态的氧化钒的钒和具有+3氧化态的氧化数的制备方法 包括活性物质的电极和包含该活性物质的二次电池。 化学式1是VO_x，其中1.5

    박막 및 그 형성방법과 박막을 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법
    8.
    发明公开
    박막 및 그 형성방법과 박막을 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법 审中-实审
    薄膜，薄膜形成方法，薄膜的半导体器件及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020140102086A

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：KR1020130015531

    申请日：2013-02-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이은하 ,  베나야드아나스 ,  김태상 ,  손경석

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66742

    Abstract: A thin film, a method of forming the thin film, a semiconductor device including the thin film, and a method of manufacturing the semiconductor device are disclosed. The disclosed method of forming the thin film may include the step of forming a thin film containing metal oxynitride, and the step of treating the thin film with inert gas ions. The metal oxynitride may include zinc oxynitride (ZnOxNy). The inert gas ions may include at least one of Ar and Ne ions. The treating of the thin film with the inert gas ions may be performed by a sputtering process, a plasma treatment process, or the like. The thin film can be applied to a semiconductor device such as a transistor.

    Abstract translation: 公开了薄膜，薄膜形成方法，包括该薄膜的半导体器件及其制造方法。 公开的形成薄膜的方法可以包括形成含有金属氮氧化物的薄膜的步骤，以及用惰性气体离子处理薄膜的步骤。 金属氮氧化物可以包括氮氧化锌（ZnO x N y）。 惰性气体离子可以包括Ar和Ne离子中的至少一种。 用惰性气体离子处理薄膜可以通过溅射工艺，等离子体处理工艺等进行。 该薄膜可以应用于诸如晶体管的半导体器件。

    나노구조 박막 및 나노 구조 박막의 표면특성 제어방법
    9.
    发明公开
    나노구조 박막 및 나노 구조 박막의 표면특성 제어방법 有权
    纳米结构膜和控制纳米结构膜表面性质的方法

    公开(公告)号：KR1020100006422A

    公开(公告)日：2010-01-19

    申请号：KR1020080066639

    申请日：2008-07-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 불리아드자비에 ,  베나야드아나스 ,  박종진 ,  이재철 ,  최윤혁

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/401 ,  Y10S977/707 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24372

    Abstract: PURPOSE: A nano structure thin film which is easy to control physical characteristic, surface energy and optical characteristic is provided. CONSTITUTION: A nano structure thin film comprises: a nanoparticle layer containing plural nanoparticle, and micro concave and convex which is formed on the surface of the nanoparticle. The size of the micro concave and convex is smaller than nanoparticle. The micro concave and convex is plural. The nanoparticle layer is single layer or multi-layer. The nanoparticle is single nanoparticle comprising inorganic, metal, semiconductor or polymer or double nanoparticle having core-shell structure. The nanoparticle contains a material selected from gold, silver, chrome, molybdenum, nickel, iron, cobalt, titanium, zinc oxide, alumina, silicon, and poly stylene.

    Abstract translation: 目的：提供易于控制物理特性，表面能和光学特性的纳米结构薄膜。 构成：纳米结构薄膜包括：包含多个纳米颗粒的纳米颗粒层，以及形成在纳米颗粒表面上的微凹凸。 微凹凸的尺寸小于纳米颗粒。 微凹凸是复数。 纳米颗粒层是单层或多层。 纳米颗粒是包含具有核 - 壳结构的无机，金属，半导体或聚合物或双重纳米颗粒的单一纳米颗粒。 纳米颗粒含有选自金，银，铬，钼，镍，铁，钴，钛，氧化锌，氧化铝，硅和聚苯乙烯的材料。

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