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公开(公告)号：KR1020160063280A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020150166123
申请日：2015-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 키틀,조지에이. , 오브라도빅,보르나요시프 , 보윈,로버트크리스토퍼 , 로더,마크에스.
IPC: H01L29/778 , H01L21/20 , H01L29/812
Abstract: 반도체장치는다수캐리어를위한제 1 반도체물질을갖는채널영역및 금속콘택을포함한다. 소스/드레인영역은제 2 반도체물질, 및금속콘택과채널영역사이의적어도하나의헤테로접합을포함한다. 헤테로접합은대략 0.2eV 이하의밴드-에지오프셋을형성한다.
Abstract translation: 半导体器件包括：具有用于多个载体的第一半导体材料的沟道区; 和金属接触。 源/漏区包括：第二半导体材料; 以及金属触点和沟道区之间的至少一个异质结。 异质结形成小于或等于约0.2eV的带边偏移。
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